Свая

Номер патента: 889791

Опубликовано: 15.12.1981

Автор: Ерошенко

МПК: E02D 1/00

Метки: грунтах, оттаивающих, свай, сил, трения

...действующих на основную сваю трения осуществляют путем нанесени личины осадки основной сваи на графивисимости нагрузка в осад основной сваи.На фиг. 1 и 2 показаны испытуемые сваи; на фи. 3 - график зависимости нагрузка- осадка дополнительной сваи.В массив грунта, состоящий из мерзлого 1 и талого 2 слоев, установлены основная 3 и дополнительная 4 сваи на одинаковом уровне в талом слое 2, при этом между мерзлым слоем 1 и боковой поверхностью сваи 4 образован зазор 5. 10Пример, В массив грунта на одинаковую глубину погружают две одинаковые по конструкции, способу погружения и мерзлотногрунтовым условиям сваи 3 и 4, при этом обе сваи полностью прорезают мерзлый слой 1 и опираются в талом слое 2, а между боковой поверхностью дополнительной...

Номер патента: 54998

Опубликовано: 01.01.1939

Автор: Ратомский

МПК: E02D 13/00, E02D 7/02, E02F 5/30

Метки: грунт, забивки, мерзлый, свай

...грунт забивают готовые сваи, как в обычные талые грунты.Как первый, так и второй способ имеет ряд недостатков, а именно: по первому способу необходимо производить бурение скважин, что при диаметрах свай в 25 - 35 см требует, помимо дорого стоящего бурового оборудования, также и больших расходов на бурение, учитывая, что бурение производится в мерзлоте; по второму способу вначале проводится полностью весь процесс оттаивания грунта на глубину забиваемых свай, а затем в оттаявший грунт производится забивка свай; таким образом происходит двойная затрата времени, необ. ходимого для проведения этих двух операций - оттаивания и забивки свай,Изобретение относится ко второму способу погружения свай и имеет целью исключить вышеотмеченные...

Номер патента: 1158676

Опубликовано: 30.05.1985

Авторы: Сальников, Торгашев

МПК: E02D 1/00, E02D 33/00

Метки: грунтах, оттаивающих, свай, сил, трения

...основная 3 и дополнительная 4 сваи на одинаковом уровне в талом слое 2, при этом между мерзлым слоем 1 грунта и боковой поверхностью сваи 4 образован зазор 5.В массиве грунта на одинаковую глубину в одинаковых мерзлотно-грунтовых условиях погружают одинаковые по конструкции и способу погружения сваи 3 и 4, при этом обе сваи прорезаот мерзлый слой 1 грунта и опираются на талый слой 2 грунта, а между боковой поверхностью сваи 4 и мерзлым грунтом 1 образуют зазор 5. Затем к основной свае 3 прикладывают нагрузку величиной 0,5 РГ (где 1= - площадь опирания сваи, Й- расчетное сопротивление грунта под нижним концом сваи, принимаемое Фкак для немерзлых грунтов по нормативным документам), оттаивают мерз"лый грунт вокруг основной...

Номер патента: 1409730

Опубликовано: 15.07.1988

Авторы: Ладыженский, Сабуров

МПК: E02D 33/00

Метки: грунтах, испытаний, просадочных, свай, статических

...помощью которого осуществляют локальное замачивание, непросадочные грунты 6 20естественной влажности, изменяющиесвои физико-механические характеристики при замачивании и находящиеся ни" же уровня просадочной толщи 3.Способ осуществляют следующим об" 25 разом.Первоначально на глубину просадочФ) ной толщи 3 бурят лидер-скважину 4диаметром большим наибольшего поФ, перечного сечения сваи. Затем со дна 30 ; лидер-скважины .4 до уровня грунтовых вод погружают инъектор 5, через который подают воду для замачивания непосредственно грунта. После этого 1производят погружение со дна лидер скважины 4 и испытание на сжатие сваи1 проектной длины, а затем погружение сваи 2 на глуйину просадочной толщи естественной влажности и испы"тание ее на...

Номер патента: 855416

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Дронов, Емцев

МПК: G01L 27/00

Метки: датчик, упругих, характеристик, чувствительных, электроконтактный, элементов

...крышкой 31, на которой расположен токоподвод 32. Токоподвод 33 от второго электрического контакта установлен на резьбовойвтулке 15.Датчик устанавливается в подставке 34.Конструкция подставки определяется конструкцией приемного узла исследуемого прибора.Датчик позволяет определять четыре основные характеристики приборов давления:чувствительность, пропорциональность, температурную погрешность и стабильность.45Его работа заключается в следукипем,Датчик с подставкой устанавливают наприемный узел исследуемого прибора. Шток4 устанавливают на центр чувствительногоэлемента (жесткий центр мембраны, мембранной коробки, сильфонного блока). К токоподводам 32 и 33 подключают электрическую цепь, содержащую источник питания исигнальное устройство....