Поглотитель электромагнитных волн
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1786567
Авторы: Быстров, Добровенский, Клещевников, Куприянов, Мировицкий
Текст
(19) (11) РЕСПУБЛИК 51) ОСУДАРСТВЕН ВЕДОМСТВО С ОСПАТЕНТ СС АТЕН ОПИСАНИ ОБРЕТЕН СВИДЕТЕЛЬСТВУ АВТОРСКО(71) М ос ко вс к и йэлектроники и авто(57) Использование; в электромагнитных в Сущность изобретени нен в виде двух диэ расположенного меж проводящего матери проницаемость, толщ тивление слоев приво адиотехни институт мати ки В.В.Д И,К,Куприкачестве поглотителя олн СВЧ-диапазона. я: поглотитель выполлектрических слоев и ду ними слоя электроала. Диэлектрическая ина и удельное сопродятся,бровенски нов и Д,И.М оника, 1972 1,кл,Н 01 адиоэлекКг 0238 е Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для создания покрытий, поглощающих электромагнитные волны миллиметрового СВЧ-диапазона,Широко известны поглотители электромагнитных волн, в которых поглощающие элементы выполнены из ферритных материалов, а в качестве связующего используются краска, грунтовка, полимерные слои смолы или пластмасса (1),Основным недостатком таких поглотителей является наличие высокого коэффициента отражения из-за отсутствия затухания волн миллиметрового диапазона,Наиболее близок к предлагаемому поглотитель электромагнитных волн (2). содержащий композиционный поверхностный слой, состоящий из смеси волокон с удельным сопротивлением более 10 ом см и полимера, Поглощающий слой выполнен из композиционного материала, содержащего волокна карбида кремния, имеющие удельное сопротивление от 10 до 10 ом см, путем пропитки полимером промежутков между волокнами, после того как из них были выполнены такие изделия либо структуры с однонаправленными волокнами,Недостатком известного поглотителя является сравнительно высокий коэффициент отражения (более 10 С), поскольку н обеспечивается эффективное поглощение Б радиоволн заданного частотного диапазона в связи с трудностями получения прочных волокон карбида кремния большой длины с определенным удельным сопротивлением,Цель изобретения - снижение коэффициента отражения радиоволн до величины, О не превышающей 5;ь по мощности в диапа- (Я зоне от 30 до 100 ГГц, 0Поставленная цель достигается тем, что 4 в поглотителе электромагнитных волн, вь 1- полненном в виде трех слоев: внешнего и нижнего из диэлектрических материалов и расположенного между ними среднего слояааааЪ электропроводящего материала, внешний и нижний слои выполнены из диэлектрического материала с диэлектрической проницаемостью 1,2 - 1,4 толщиной 0,5-1,0 мм и 0,2 +0,05 мм соответственно, а средний слой - .из электро- проводящего материала с удельным сопротивлением 0,1-15 Ом см и толщиной ,1786567 Составитель В.Добровенски Редактор, Т.Федотов Техред М.Моргентал Корректор Н.Кешел аказ 252 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Толщины внешнего и нижних слоев позволяет осуществлять эффективное интерференционное гашение падающей электромагнитной волны при минимальном ее отражении от наружной поверхности. 5 Средний слой может быть, например, изготовлен из углеграфитовой ткани, пропитанный полимерным связующим, и является эффективным поглотителем электромагнитlного излучения с большими потерями. 10 На чертеже представлено поперечное сечение поглотителя электромагнитных волн.Поглотитель содержит внешний радио- прозрачный слой 1, радиопоглощающий 15 средний слой 2 и радиопрозрачный нижний слой 3.8 таком поглотителе интерференционное гашение падающей электромагнитной волны происходит вблизи наружной поверх ности радиопоглощающего среднего слоя 2, При этом к плоскости интерференционного гашения должны прийти прямая и отраженная волны с максимумами амплитуд и в противофазе, Это условие выполняется, если 25 плоскость интерференционного гашения располагается на расстоянии четверти длины от отражающей поверхности, на которой расположен поглотитель.Наличие внутреннего (согласующего) 30 слоя определенной толщины позволяет расположить наружную. поверхность среднего (поглощающего) слоя на расстоянии от отражающей поверхности, несколько большем35 4 р/4(йр - средняя длина волны в выбранном диапазоне).Максимум амплитуды падающей волны в плоскости интерференционного гашения обеспечивается толщиной внешнего слоя 1 поглотителя. Таким образом, вблизи наружной поверхности среднего слоя 2 поглотителя в процессе интерференции взаимодействуют в противофазе падающая и ослабленная, изза затухания в слое 2, отраженная волнычтог позволяет достичь минимального коэффициента отражения.Высокая радиопрозрачность диэлектрических слоев 1,3 может быть достигнута путем нанесения на поверхность среднего радиопоглощающего слоя 2 вспененного полимера, например эпоксидно-диановой смолы с отвердителем. Формула изобретения Поглотитель электромагнитных волн, выполненный в виде трех слоев: внешнего и нижнего из диэлектрических материалов и расположенного между ними среднего слоя из электропроводящего материала, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью снижения значения коэффициента отражения, внешний и нижний слои выполнены из диэлектрического материала с диэлектрической проницаемостью 1,2 - 1,4, толщиной 0,5-1,0 мм и 0,2+0,05 мм соответственно, а средний слой - из электропроводящего материала с удельным сопротивлением 0,1 - 15 Ом см и толщиной 0,5 мм,
СмотретьЗаявка
4824026, 07.05.1990
МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ
БЫСТРОВ БОРИС ГРИГОРЬЕВИЧ, ДОБРОВЕНСКИЙ ВЛАДИМИР ВЕНИАМИНОВИЧ, КЛЕЩЕВНИКОВ ВАДИМ АЛЕКСАНДРОВИЧ, КУПРИЯНОВ ИГОРЬ КОНСТАНТИНОВИЧ, МИРОВИЦКИЙ ДМИТРИЙ ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01Q 17/00
Метки: волн, поглотитель, электромагнитных
Опубликовано: 07.01.1993
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1786567-poglotitel-ehlektromagnitnykh-voln.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Поглотитель электромагнитных волн</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления рефлектора
Следующий патент: Антенна
Случайный патент: Устройство для подачи листового материала