172373

Номер патента: 150667

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Абросимов, Авдеев, Альпин, Герцовский, Григорьев, Журомский, Кузнецова, Лексин, Нотариус, Эбраев

МПК: G01K 13/02, G01K 7/18

Метки: агрессивных, диаметров, жидких, малых, низких, сопротивления, сред, температур, термометр, трубопроводах

...винтов 7, Выводные концы 8 чувствительного элемента припаяны к штырькам вилки.Присоединение термометра к электрической сети указателя (электрического моста, логометра) произведено посредством пайки гибкого кабеля к штырькам вилки. Герметизация выводов кабеля достигнута с150667помощью прокладки 9 и сальникового устройства из фторопластовых прокладок 10, Монтаж термометра производится посредством сочленения конусных частей штуцера с трубопроводом и последующей затяжкой накидных гаек.Герметическая конструкция термометра сопротивления позволяет использовать его для измерения в трубопроводах, охлаждаемых снаружи сжиженными газообразными продуктами, а также предохраняет его чувствительный элемент от воздействия неблагоприятных...

Номер патента: 356599

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Краснобаев, Кругликов, Шевцов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов, сопротивления, теплового

...узел автоматического выполнения арифметических операций, состоящий из блока вычитания б и блока деления б, регистрирующий прибор 7, клеммы 8 и 9 для подключения испытуемого прибора.Устройство работает следующим образом.10 Постоянный греющий ток от источника 1,проходя через испытуемый прибор, подключенный к клеммам 8 и 9 вызывает его нагрев до установившейся температуры. Инфракрасное излучение структуры и основания полу проводникового прибора попадает на соответствующие датчики 2 и 3, которые вырабатывают выходные напряжения, пропорциональные температурам структуры и основания, Полученные напряжения поступают на блок 20 вычитания 5, напряжение на выходе которого пропорционально разности температур структуры и основания испытуемого...

Номер патента: 1529057

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Заричняк, Мигитко, Ушаковская

МПК: G01K 17/00

Метки: сопротивлений, тепловых

...теплопроводности Ъ материала и коэффициента теплоотдачи ) от боковой поверхности, Изменение указанных параметров может привести к погрешности в определении тепловых сопротивлений К К.и К, , которые зависят от ф и Ы,.Поэтому необходимым условием для обеспечения требуемой точности определения тепловых сопротивлений является ограничение температуры испытуемого объекта в экспериментеПусть б - допустимая относительная погрешность определения тепловых сопротивлений, ИзменениеК (1=1, 2, 12) сопротивления за счет изменения температуры Т объекта равноак,ак,где --- производная 1-го сопротив- ЭТления по температуре;Т - изменение температуры Т объек" та относительно номинального значения Т которое имеет объект вомусловиях эксплуатации, т.е,ЬТ...

Номер патента: 1292456

Опубликовано: 07.01.1993

Автор: Козьякова

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, лавинно, пролетных, сопротивления, теплового

...ВАХ в точке перегиба;температурный коэффициентпробивного напряжения;эффективное значение токагреющего импульса;начальное значение пробивного напряжения диода,где 63 ППР 1 Приведенные соотнощения между параметрами импульса тока и тепловыми постоянными времени перехода и диода найдены экспЬрииентальныи путем, При50;,Р приращение пробивного напряжения (или приращение ВАХ в точ. ке перегиба) относительно начального довольно незначительно ( с 0,1 В), что затрудняет его определение. При 7 0,11 ВАХ плывет по экрану, потому что при этом происходит изменение температуры корпуса диода эа время измерения. При 10,1 г и скнажиости 4 на экране осциллографа отчетливо наблюдаются две ВАХ, не изменяющие своего положения за время измерения, с...

Номер патента: 1817046

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Викин, Мещеряков, Числов

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, сопротивления, теплового, транзисторов

...приращение температуры перехода транзисто 25. ра при разогреве;Озб - прямое напряжение эмиттер-базатранзистора;Окн - начальное напряжение эмиттербаза при калибровке;Окр, напряжение эмиттер-база послевнешнего разогрева;Ь Оп - приращение напряжения эмиттер-база эа время протекания пачки импульсов греющего. тока;Ь Он - приращение напряжения эмиттер-база за время протекания непрерывно-.го импульса греющего тока;Ь Ом - максимальное допустимое приращение температуры перехода транзисто 40 ра при разогреве, .Способ осуществляется следующим образом,8 коллекторную цепь испытуемоготранзистора, например типа 2 Т 9136 АС,45 включенного по схеме с общей базой с эакороченным по переменному току выходом,имеющего начальную температуру корпусаТкнС...