Способ исключения влияния электрических потерь на точность резонансных приборов, работающих в

Номер патента: 1476619

Опубликовано: 30.04.1989

Авторы: Арсентьев, Герштейн, Грищенко, Демидов, Кушнаренко, Пронин

МПК: H04N 5/82

Метки: бесконтактного, диэлектрического, зарядового, ленточного, носителя, преобразования, рельефа, сигнал, электрический

...Узел формирования области преобразования наносителе информации состоит из опоры6 ленты с поверхностью, выполненной40в виде части тора, при этом размерывыбираются из условия:1К- - г гор, гр = В, 4766где К - радиус вращения зонда;1. - ширина ленты носителя информации;г - критический радиус искрив 5ления ленты носителя информации, при котором не наступают остаточные деформацииносителя информации;г - радиус окружности, образующей тор;г - радиус вращения центра окружности относительно оси тора.Часть тора образована вращениемполуокружности радиуса Г относитель1но его оси на угол 0 2 агсздпПлоскость сечения части тора лежит вплоскости, перпендикулярно оси вращения зонда, Плоскость, в которой расположены контактная часть узла формирования...

Номер патента: 127458

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Чепайкин

МПК: G01L 27/00

Метки: давления, датчиков, механических, прибор, проверки, свойств

...во внутренней полости цилиндра создаются пульсации давления, частота которых зависит от скорости вращения двигателя и числа прорезей затвора 3. Цилиндр 1 с затвором 3 монтируется в корпусе 4 таким образом, чтобы продольная ось цилиндра была вертикальной, а датчик находился внизу,Давление, подаваемое к датчику, создается с помощью двух столбов. воды, заполняющих Ч-образные камеры давления. Каждая камера давления состоит из вакуумной б и напорной б ветвей, длина которых определяется предельной величиной давления, ожидаемого при опытах. Высота водяного столба в каждой Ч-образной камере поддерживается постоянной посредством передвижной сливной трубки 7, а утечка воды из прибора восполняется из водопроводной сети через127458 ввод 8....

Номер патента: 122854

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Ашавский

МПК: C03C 17/22, C03C 23/00

Метки: влияния, параметры, полупроводникового, прибора, устранения, фотоэффекта, электрические

...на создании темного слоя путем покрытия стеклянной поверхности светонепроницаемой эмалью или краской.Недостаток подобного способа состоит в том, что при его использовании ухудшаются электрические характсрнстшси полупроводников, так как сравнительно низкое сопротиьленпе слоя эмали приводит к шунтированию участков эмиттер-коллектор и база-коллектор полупроводниеЯ. вследствие чего требуется химическим путем производить очистку поверхности стекла в области выводов.В описываемом способе этот недостаток устранен тем, что корпус полупроводникового прибора, выполненньш из свинцового стекла, подвергают нагреву в атмосфере водорода. При этом восстанавливаются окисль 1, в результате чего происходит потемнение стеклянной поверхности.При...

Номер патента: 615433

Опубликовано: 15.07.1978

Автор: Филиппов

МПК: G01R 31/26

Метки: нестабильности, параметров, полупроводниковых, приборов, электрических

...10 сра;нения кодов выявляет совпадение кодов, что означает равенство чисел во всех разрядах счетчика нестабильйостн и старшей декаде реверсивного счетчика,4Реле 5 времени через логический элемент И 9 дает разрешение на заполнение счетчика 11 нестабильности. При измере. нии нестабильности импульсы, идущие в реверсивный счетчик 8 через элемент И 9 проходят в счетчик 1 нестабильности,Предположим, что прн измерении нестабильности в интервале времени 1 в реверснвный счетчик 8 проходят шесть импульсов, так как в старшей декаде реверсивного счетчика 8 находится цифра 3, то счетчик 11 нестабильности считает только до трех, и каждый третий импульс попадает в блок 12 индикации. Для данного случая в блок 12 индикации. попадает 2 импульса, что...

Номер патента: 1045177

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Алексеева, Ефимова

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: диэлектрических, защитных, испытания, покрытий, полупроводниковых, приборов

...плоских закругленных металли.ческих электродов, размещенных на поверхности исследуемого диэлектрического покрытия, введена подложкаиз диэлектрического материала, система электродов выполнена в виде ппротяженных центральных электродов,по обе стороны каждого из которыхразмещены щ боковых электродов, приэтом подложка расположена на систеЗ 5 ме электродов со стороны, противоположной исследуемому покрытию,выступы которого размещены в зазорах между соответствующими боковымии центральными электродами, величи на укаэанных зазоров равна ширинеобласти объемного заряда на поверхности р-и перехода полупроводникового прибора, а его протяженностьпериметру р-и перехода, причемудельиоесопротивление подложки определяется из соотношения ельные...