Датчик относительного градиента постоянного магнитного поля

Номер патента: 367396

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Васильев, Лужанский, Мозин

МПК: G01R 33/00

Метки: градиента, магнитного, относительного, поля

...(8) следует, что разность токов питания датчиков Холла, включенных указанным образом, пропорциональна отношению градиента магнитного поля к величине магнитного поля в точке расположения второго датчика. Однако для определения относительного градиента согласно выражению (8) достаточно измерить величину тока 1 й, так как остальные величины 1 й и т, остаются неизменными в течение всех измерений.Известные ускорители заряженных частиц с сильной фокусировкой имеют, как правило, магнитное поле с постоянной величиной градиента, поэтому неточность в определении относительного градиента из выражения (8), как(2 6величины - , а неВв данномслучае не - (В+В)2существенна, В случае необходимости эта погрешность может быть исключена путем повторного...

Номер патента: 1810851

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Климов, Поздняков, Слаев, Урбанович

МПК: G01R 33/00

Метки: величины, измерительный, магнитного, поля, потока

...систе- ме 9 перемещают сквозь ПИП 7, И эмериро отипа и содержит две обмотки с тельные приборы 11, 12, 13 изме яют числом витков ЧЧ 5, ЧЧ, Ра к в 5, в, асположена она визменение величины магнитного потока меы измеряют плоскости УЛ и ее геомет ичес ири еский центр 5 ры ДММ 10, пронизывающего три системы совпадает с центром системы координат измерительных обмоток ПИП 7, Эти иэме(см, фиг.1). Вторая система измерительных ренные величины магнитного потока фиксиобмоток для определения Му идентична за- руются регистрирующими приборами - являемому ИП (см. фиг.1) но развернута в самописцами 14, 15, 16, Поиэвестнымфорпространстве вокруг оси Х на 90 и ее гео мулам находят метрический центр совпадает с центром системы координат(см фиг 1)...

Номер патента: 662885

Опубликовано: 15.05.1979

Авторы: Афанасьев, Порфиров, Прищепо, Смирнов

МПК: G01R 33/02

Метки: градиента, магнитного, поля

...однородногомагнитного поля,Устройство работает следующимобраэбм,Рамбчные или кольцевые сердечники.Преобразователей 1 и 2 (см. Фиг,2)возбуждаются переменным током, который поступает. от генератора 3 пере- ЗОменного тока, С преобразователей выходной сигнал, пропорциональный разности продольных составляющих (компонент) индукции магнитного поля,поступает на синхронный детектор 5, 35Выходной сигнал детектора 5 подается.на регистрирующий прибор 4. Выходной сигнал с преобразователя 1,пропорциональный поперечной составляющей (компонента) магнитного поля 4 ОплоскостИ рамки или кольца преобразователя 1, подается на синхронныйдетектор б, а выходной сигнал с преобразователя 2, пропорциональныйпоперечной составляющей (компонента)магнитного...

Номер патента: 1839890

Опубликовано: 20.06.2006

Авторы: Буравлев, Кобржицкая, Козорез, Левин, Малтинский, Степанов, Чеборин

МПК: G01C 19/24

Метки: взвешивания, катушки, контура, магнитном, поле, сверхпроводящего

Способ взвешивания сверхпроводящего контура в магнитном поле катушки, включающий охлаждение контура до сверхпроводящего состояния в магнитном поле, отличающийся тем, что, с целью упрощения устройств, реализующих способ, после охлаждения контура до сверхпроводящего состояния, уменьшают магнитное поле катушки в зоне сверхпроводящего контура.

Номер патента: 866515

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Козлов, Персиянов, Рекалова, Санникова, Таирова, Шахов

МПК: G01R 33/022

Метки: градиента, датчик, магнитного, поля

...датчик градиента магнитного поля, общий вид.На поверхности полупроводниковой пластины 1, например кремниевой и типа, по планарной технологии изготовлено пять ,областей противоположного типа проводимостей 2,3,4,5,6 и два омических контакта 7 и 8, которые являются базовыми электродами.Общая для двух полученных магнитотранзисторов область 4 является эмиттером.Каждый магнитотранзистор имеет по два коллектора, соответственно области 2,3,4 и 5.Внешней схемой питания (не показа - нд) на электронно-дырочный переход-область 4, выполняющую функцию эмиттера, подается прямое смешение, а на электронно-дырочные переходы - облас и 2,3,4,5 25 и 6, выполняющие функцию коллекторов - обратное смещение. Омические контакты 7 и 8 служат базовыми...