Оптоэлектронный функциональный преобразователь

Изобретение относится к ф нальной оптоэлектронике, в ч к устройствам некогерентнойтроники, выполняющим различи матические операции.Цель изобретения - расшир цчональных возможностей за с мирования подьщтегрального я тки Стильтьес - Лебега,На чертеже представлена Функциощ нальная охема оптоэлектронного Функ ционального преобразователя.Преобразователь содержит управля емый источник 1 света, подвижную е невую маску 2, Функциональньп фоторезпстор, содержащий Фотослой 3, по ложку 4, три электрода 5 - 5 5, ре зистор 6 нагрузки, нормцователь 7 и выходной формирователь 8.Преобразователь работает следуюпрпч образом. ункциоастностиоптоэлекые мате Ъ(с - ) йГу с)Н 2 (. ение Функчет фордра свера ег т ГОСУДАРСТ:ЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЦТИЯМПРИ ГКНТ СССР(71) Институт полупровоАН УССР(57) Изобретение относится к функциональной оптоэлектронике, в частности к устройствам некогерентной оптоэлектроники, выполняющим различныематематические операции. Цель изобретения - расширение функциональныхвоэможностей за счет Форсированияподьптегралього ядра свертки Стильтьес-Лебега Преобразователь содержит управляемьк источник света, подвижную теневую маску, функциональныйфотореэистор, содержацп Фотослой,подложку, три электрода, резистор нагрузки, нормирователь и выходнойформирователь. 1 ил,тильтьеса-Лебега описением о подынтегральное ядро представляется как 1( - с) ) с (3)Иэ рассмотрения выражения (3) вытекает, что для его вычисления необходимопроизвести задержку одной Функции й и дифференцирование другой функции 1, а затем их перемножить, В данном оптоэлектронном функциональном преобразователе все эти операции выполняются одним элементом функциональньп фоторезистором 3. Вы" полнение этих операций основано на явлении диФференцирования сигнала, заключающимся в том, что при подаче сигнала.на третий электрод 5 9 функ1629907 ционального фоторезИстора, расположенный на свободной одной из сторонподложки 4, на резисторе 6 нагрузкипоявляется сигнал, очень точно отражающий внд производной исходного сигнала. При этом ширина частотного диапазона очень велика, так как для,Фоторезнстора на основе СВЯ она достигает 0,012 ф 10 Гц, а на основе 1 О,Сс 188 е - 0,61510 фГц. Эффект диф.ференцнровання обусловлен пьезоэффектом. формула изобретенияОптоэлектронный функциональный преобразователь, содержащий управляемый источник света, электрический вход которого является первым информационным входом преобразователя, а выход оптически связан через подвиж ную теневую маску с оптическим входом функционального фоторезистора, содержащего подложку с нанесенным на одну из поверхностей которой фотослоем с двумя электродами, являющимися первым и вторым выводами функционального фоторезистора, первый вывод Функционального фоторезистора подключен к клемме питания, а второй вывод соединен с входом нормирователя и через резистор нагрузки с шиной нулевого потенциала., а выходнормнрователя через выходной, Формирователь соединен с выходом преобразователя, о т л и ч а ю ц и й с я тем, что,. с целью расширения функциональных возможностей за счет формирования подынтегрального ядра свертки Стильтьес-Лебега, в функциональный фото- резистор введен третий электрод, расположенный на свободной стороне .под.- ложки, являняийся третьим выводом Функционального фоторезистора и соединенный с вторым информационным входом опотоэлектронного функцианальаЙПри подаче одного сигнала на уп равляемьп источник 1 света на функциональном фотореэисторе с задержкой, определяемой положением теневой маски 2, возбуждается сигнал, который перемножается с производной сигнала, 20 подаваемого на электрод 5 . Результирующий сигнал, выделенный на резисторе 6 нагрузки, поступает на нормирователь 7, устраняющий зависимость амплитуды результирующего сигнала от 25 величины времени задержки, .а затем на выходной Формирователь 8, производящий формирование прямоугольного импульса постоянной амнлитуды, длительность которого пропорциональна ве- .личине подынтегрального ядра преобразования. Составитель А.ЛимоновТехред Л. Олийнык. ктор Н.Ревская Даик Тираж 375 Заказ 439 Подписноетениям и открытиям при ГКНТ СССРская наб., д. 4/5 ВНИИПИ Государственного комитета по изоб 113035, Москва, Ж, Ра