Способ измерения силы

Номер патента: 1076772

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Гракович, Запускалов

МПК: G01K 7/00

Метки: датчик, температуры

...зазорах,. и диэлектрическую термостатирующую оболочку б с каналами 7, Элементы 4 и 5 выполнены в виде плоских витков, Форма и площадь кото рых:совпадают,с Формой и площадью срединного сечения катушек 2 и 3, а компенсационный элемент 5 заключен в термостатирующую оболочку б, снабженную каналами 7 для термостатирования элемента 5.Выполнение элементов 4 и 5 в виде плоских витков позволяет уменьшить время уравновешивания температуры элементов и контактируемыхс ними сред, что повышает быстродействие датчика по сравнению с плоскими сплошными элементами в виде дисков. Чувствительность же датчика с элементами в виде витков остается такой же, как и у датчикас элементами в виде дисков, поскольку максимум электромагнитного полякатушки находится...

Номер патента: 325515

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Криворучко

МПК: A61B 5/01, A61B 5/05

Метки: действию, окружающей, организлга, среды, человека, чувствительности

...учесть вли- иис испарения, наружный слой выполиют из 10 увлажненной ткани.Для предохранения идгрсвдтел и датчикатемпературы от окисления, д также в целх взрывобезоидсиости ид виутреццтою поверхность цилиндра наносят слой тсрмостойкого 15 иеэлсктроировод 1 юго лтдтсриалд, напримерэпоксидной смолы, покрывающий датчик температур и нагреватель. С помощью ирсдлдгдемого устройства непосредственно определяют, какое количество тсилд лто)кст бт.тть отведено 20 От Организма чсловск 11 В ддцць 1 х услови 51 х,т. с, какой тяжести работа может выполняться человеком в этих условиях. Подготовка устройства к работе заключается в том, что, зидя ЗараНЕЕ уСЛОВИя, Задан)т ИЕОбХОдИМОС терМ 1 т ческое сопротивление, закрепляя ид поверхности камеры...

Номер патента: 1326909

Опубликовано: 30.07.1987

Автор: Хайретдинов

МПК: G01K 7/38

Метки: датчик, температуры

...магнитных материалов с прямоугольной петлей гистереэиса невызывает изменения остаточного магнитного потока 6 ф, Записанная информация о температуре в виде остаточного магнитного потока в сердечникехранится практически неограниченное 26909 2время. Считывание информации потокав запоминающем дросселе производится посредством подачи на обмотку счи"тывания сердечника прямоугольного им"пульса фиксированной амплитуды О.При этом выходным параметром служитвремя намагничивания сердечника донасыщения, т.е. время намагничиваниясердечника до некоторого потока - 10 ффЮ оВремя считывания равно где 1 ч " число витков обмотки дросселя;Ф, - остаточный магнитный потокнасыщения;д Ф - величина, обусловленная об" 20ратными процессами...

Номер патента: 864023

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Васильев, Кожевников

МПК: G01K 5/32

Метки: датчик, температуры

...4 связан со вспвмот ательпнч ры чагом 5 посредством пружины 15, дающей воэможность перемещаться вспомогательному рычагу 5 под действием штока16 после гого, как одноплечевой рычагдоходит до упора 17, предохраняющий отполомок переключатель 2 при перемещениитолкагеля 18, связанного с одноплечевымрычагом. Вспомогательный рычаг 5 поджат к штоку 16 двумя пружинами кручения 19 и кинематически связан с одноплечевым рычагам с помощью винта 20 диапазона, при этом другой конец штока 16прижат пружиной 22 ко дну сильфона 21.датчик температуры работает следующим образом.15При изменении температуры контролиру- .емой среды, окружающей термосисгему 3,объем жидкости в ней изменяется, что приводит к перемещению дна сильфона 22 иштока 1 Ь, который...

Номер патента: 979889

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Запускалов, Татаренко

МПК: G01K 7/00

Метки: датчик, температуры

...мембраны 3 и 4, с наружной стороны которых через диэлектрические, например керамические, прокладки 5 и б равной толщиной установлены электрические преобразователи 7 н 8, например включенные дифференциально катушки индуктивности (подводящие проводники на чертеже не показаны).Прилегающие к мембранам прокладки, разность значений температурных коэффициентов линейного расширения о материалов мембран и втулки, а ки обеспечивают термовыпучивание( перемещение) центров мембран отсвоего нейтрального положения, соответствующего нормальной температуре, равной 20 С, только по осиво внутрь втулки, т.е. в сторону,противоположную от преобразователей,При этом расстояние между мембранами превосходит значения возможныхперемещений мембран,...