Способ изготовления частотно-селективного носителя информации

(я) С 11 С 13/04 НИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ВТО ся к вычисли" быть испольтва изобретения ецгецдлер ератур дляанной инфорносителя неучают потом отжигают т соо турныхстру ргащ ения опти щеском и отжимального М. БЬе 1 Ьу,рр 1. РЬуз.,й пло елекеск це 1 зческого фона.влсцный частотель информации я храниться при иисл ь исполиствах тся расши турахлцевых нения ителя с заедующим о следующем.Расщирсни при которых информация, га кристалла температур, записанная е диапазона сохраняется достигается при темпера сле его облуч за счет отжи урах выше ния быстр атных и ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(71) Институт Физики АЛ ЭССР (72) И.Р. Сильдос, М.11,. Айз и Я.В, Кикас(56) Гороховский А.А , Каарли Р.К., Ребане Л.А Выжигание провала в контуре чисто электронной лццци в систе мах Ипольского - Письма в ЖЭТФ, 1974, т. 20, в 7, с. 474-479.ОгС 1 г К.М. Иасйаг 1 апс, В И. НепСЬ. С.С. Вгог 1 с 1 цпсг, А 198 1, 25, р. 87-90(54) С 11 ОСОБ 1 ЗГОТОВЛ,1 ИЯ ЧАСТОТНОСЕЛЕКТИВНОГО 1 ОСИТЕЛЯ ИНФО 1 МАЦИИ зобретение относится к ной технике и может бы зовано в запоминающих ус вычислитегьных машин.Целью изобретения явл рецие диапазона температ частотно-селективного но писанной информациейСпособ реализуется сл разом.Облучают неорганическое вещество потоком быстрых частиц. После облучения быстрыми частицами неорганичес кое вещество отжигают при температурах выше комнатных для образования температурно-устойчивых агрегатных дефектов. Параметры облучения и отжига выбираются для каждого неорганического вещества из условия оптимального соотношения полезной оптической плотности спектральных линий(57) Изобретение относиттепьной технике и можетзовацо в запоминающ х устчислительных маыпн. Цельрасширение диапазона темпхранения носителя с записмацией. 11 ри изготовленииорганическое вещество облком быстрых частиц и затецри температуре выше комнветствующей стабилизациидефектов в облучсцном цеовеществе. Параметры облучга выбираются цз условиясоотношения полезной оптиности спектральных линийтинного оптического фона . и цеселектцвцого.опт Таким образом, изгот цо-селективцый носит может длительное вре комнатных и более высоких темпераз потери записанном при геемпературах информации. ость способа заключаетс ми частицами, так как в ходе высокотемпературного отжига образуются стабильные дефекты, отличающиеся различными окруженияж в кристалле матрицы. Это различие ведет к различным энергиям электронных переходов в ансамбле дефектных агрегатов ч обуславливает1 б 19346 Формула изобретения 2. Способ по п. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что в,качестве неорганического вещества применен корунд, а его. облучение осуществляют потоком быстрых нейтронов с флюенсом 1016 10 нейтронов/см при температуре б 0+ +5 С затем отжигают в течение 8 -о1д10 мин при 475-500 С. Составитель А. АнуфриевРедактор В. Бугренкова Техред Л.Сердюкова Корректор Л. Патай Заказ 52 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5.Производственно-издательский комбинат "Патент". г,Ужгород, ул. Гагарина,101 неоднородное уширение электронных пе реходов. Именно высокотемпературный отжиг стабилизирует окружение каждого из дефектных образовании и делает невозможным перераспределение при температурах ниже температур отжига.П р и м е р. Изготовление частотноселективного носителя информации.Кристалл коруида (А 10 з) размерами 10 7 х 4 хЗ мм помещают в поток быстрых ней 18 тронов и облучают с флюенсом 10 10нейтронов/смф при 60 С. Далее кристалл нагревают до 475-500 С и отжигают в этих условиях в течение 8- 10 мнн. Запись информации производится облучением монохроматическим светом в полосе Зб 8 или 390 мм, охлажденного до гелиевых температур кристалла, Носитель с записанной информа 20 цией может храниться при комнатных иовыше температурах (до 300 С) без потери информации практически неограниченное время. 1. Способ изготовления частотноселективного носителя информации, включающий облучение потоком быстрых частиц неорганических веществ, о т - л и ч а ю щ и й с я . тем, что, с целью расширения диапазона температур хранения носителя с записанной информацией, после облучения неорганического вещества его отжигают при температуре стабилизации структурных дефектов в неорганическом веществе.