Устройство для измерения пространственного распределения интенсивности электромагнитного излучения

, 15 у Ж э)э 6 01 3 5/5 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ лектроники РЕНИЯ ПРО РЕДЕЛЕНИЯ ОМАГНИТНО злучения 5 и ому блоку р ключенный к измеритель им об аГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Институт радиотехникиАН СССР(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМСТРАНСТВЕННОГО РАСПИНТЕНСИВНОСТИ ЭЛЕКТРГО ИЗЛУЧЕНИЯ Изобретение относится к области измерительной техники, а именно техники регистрации пространственного распределения интенсивности электромагнитного излучения тепловым приемником. Цель изобретения - увеличение пространственной разрешающей способности и чувствительности.На чертеже изображено устройство для измерения пространственного распределения интенсивности электромагнитного излучения.Устройство для измерения пространственного распределения интенсивности электромагнитного излучения содержит чувствительный элемент 1 в виде нитевидного кристалла квазиодномерного материала, расположенный над диэлектрической подложкой 2 между электрическимих контактами 3 и 4 на пути исследуемого пучка(57) Изобретение относится к технике региСтрации пространственного распределения интерСивности электромагнитного излучения. Цель изобретения - увеличение пространственной разрешающей способности и чувствительности путем выполнения перемещающейся тонкой нити чувствительного элемента в виде нитевидного кристалла квазиодномерного материала, При температуре фазового перехода металл - диэлектрик 220 К для проводника Та Зз диаметром 0,5. мкм 2 достигнут порог чувствительности 5 1 Г Вт Гц 1 з.п. ф-лы, . ил. Устройство работает следующ р зом.Исследуемый пучок излучения 5 направляется на чувствительный элемент 1 и частично поглощается в кваэиодномерном материале.В результате температура чувствитель- . ногЬ элемента увеличивается и его сопротивление изменяется пропорционально температурному коэффициенту сопротивления. Изменение сопротивления регистрируется измерительным блоком 6. Смещение чувствительного элемента 1 с помощью блока его перемещения (на чертеже не показан) позволяет регистрировать пространственное распределение интенсивности в плоскости сечения исследуемого пучка излучения 5,1598627. Составитель Г.Плешков.Тех ред М.Моргентал Коррект ек дактор И,Шубин Заказ 372 Тираи " Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГК 11305, Москва, Ж, Раушская наб., 4/8 роизводственно-издатепьский комбинат "Патейт", г, Ужгород, ул.ГагаринааДля достижения максимальной чувстви- щая способность, 1 мкмпорог чувстви, тельности рабочая температура чувствитель- тельности 5 10Вт Гцного элемента 1 должна соответствовать Ф о р мул а и з о б р е те н и я температуре специфического для квазиодно, Устройство для измерения пространмерных материалов пайерлсовскогофазово ственного распределения интенсивности го перехода металл-диэлектрик; вблизи электромагнитного излучения, содержащее которой достигается максимальная величина чувствительный элемент в виде тонкой нити температурного коэффициента сопротивле-, иблокего перемещений, отл ичающеения. Поэтому чувствительный элемейт 1 раз- с я тем, что, с целью увеличения пространмещен в термостате (на чертеже не показан), 10 ственной разрешающей способности и чувПространственная разрешающая спо-.ствительности, в него введен термостат, а собность увеличивается при уменьшейии тонкая нить чувствйтельного элемента раздиаметра квазиодномерной нити, однако: мещена в термостате и выполнена:в виде уменьшениедиаметрачувствительногоэле- . нИтевидного кристалла квазиодномерного мента 1 меньше характерного раэмера; со материала, при этом термостат выполнен с ответствующего поперечной длине фазовой возможностью поддержания его температукогерентности волны зарядовой плотности, ры, равной темлературе фазового перехода нецелесообразно, так как начинается металл - диэлектрик квазиодномерного мауменьшение крутизны фазового. перехода териала, а диаметр нитевидного кристалла металл-диэлектрик и соответствующее 20 квазиодномерного материала выбиоают уменьшение температурного коэффициента больше или равным поперечной длине фа" сопротивления, что приводит к падению зовойкогерентностиволнызарядовойплот- чувствительности устройства; . ности,Для квазиодномерного проводника2. Устройство по п,1, о т л и ч а ю щ е еТа Яз при температуре фазового перехода 25 с я тем, что,.в качестве тонкой нити чувст К длина фазовой когерентности вол- вительного элемента используется нитевидны зарядовой плотности составляет 0,.1 ный . кристалл квазиодномерного мкм. При диаметре нитевидного кри- проводника Та Яз с диаметром, большим сталла 0.5 мкм была достигнута разрешаю- или равным 0,1 мкм при температуре 220 К.