155953

Номер патента: 783689

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Антонец, Овчинников, Штернгарц

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитного, поля, регистрации

...следующимобразом,В исходном, состоянии при отсутствии магнитного поля (или когдавеличина его достаточно мала) процесс самовозбуждения невозможен,так как малейшие изменения коллекторного тока в обмотках 2 и 3индуцируют в обмотках 4 и 5 одинаковые по величине, но противоположныепо знаку ЭДС, В выходной обмотке,10 ЭДС равна нулю. В коллекторнойФормула изобретения Составитель Е. Данилина,Редактор Е. Караулова Техред Е.Гаврилешко Корректор В. Бутяга Заказ 8538/47Тираж 1019ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ы, Раушская наб д 4/5 Подписное л" - . аппп пт ц. т . Ужгооод. чл. Проектная, 4 цеПи протекает незначительный ток, определяемыирезистором 11.При воздействии внешнего постоянного...

Номер патента: 263051

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бурлацка, Гришин, Зайцев, Панкратов, Пет

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитного, поля, регистрации

...определяют остаточную намагниченность кубиков по трем координатам, по которой судят о вели 0 Изобретение относится к устройствам дляизмерения м апнитного полянапример, вплазме с циркулирующими токами.Известны различные датчики для измерения магнитных полей, содержащие воспринимающие элементы, которые помещают в тучасть пространства, где необходимо измеритьполе.Однако пдля измеренмехи.С целью упрощения измерений и устранения электрических наводок в предлагаемомустройстве воспринимающие элементы изготовлены из обожженной красной глины (керамики, содержащей окислы железа) и расположены в трубке из немагнитного материала,Трубка онабжена каналами для циркуляцииохлаждающеп жидкости и соединена с источником тока для ее нагрева,Воспринимающие...

Номер патента: 711508

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Аверьянов, Медников, Уздовский

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитного, поля, регистрации

...приведетк повороту на этот же угол всей дифракционной картины. Таким образом, в предлоложеином устройстве происходит поворотсветовых дифракционных полос на угол,соответствующий углу поворота относительно исследуемого магнитного поля.В частности, устройство может регистри 35ровать магнитное поле Земли. Использование координато-чувствительного приемника и возвращающей системы для поворота образца дает возможность на основеустройства создавать гидроскопическиесистемы слежения за положением объекта40о,в пространстве. 3распространения света между двумя поляризаторами,2. В устройстве по п, 1 магнитнаяпленка выполнена в виде двух параллельно расположенных на ней электродов и полосовой доменной структурымежду ними с периодом, меньшим...

Номер патента: 479066

Опубликовано: 30.07.1975

Авторы: Колосков, Хвостов

МПК: G01V 3/16

Метки: движении, магнитного, поля, регистрации

...аномалий. На фоне большого гра) 479066,го поля слабые аномалии479066 Предмет изобретения Составитель В. ОдинцовРедактор В. Левятов Техред 3. Тараненко Коррект зесова Тираж 619комитета Совета Мибретений и открытийРаушская наб., д. 4/5 Изд, Мз 1699 осударственного по делам из Москва, ЖЗаказ 3073/7ЦНИИП одписно тров ССС ипография, пр. Сапунова, 2 устройство введен также генератор линейно изменяющегося тока со ступенчатой регулировкой 4, выход которого подключен к катушке компенсации магнитного поля 2. К выходу магнитометра 1 подключена схема дифференцирования 5, а выход схемы дифференцирования 5 через пороговое устройство 6 соединен с цепью управления генератора.Принцип действия устройства состоит в следующем,В процессе...

Номер патента: 920590

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Горбаш, Зацепин, Кожаринов

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитных, полей, рассеяния, регистрации

....поля рассеяния. Иагниточувствительный элемент (Феррозонд) 1, закрепленный в наконечнике 2, поме 25 щают над пластинами 4 и, используя микровинты 3, передвигают пластины 4 и получают на регистраторе 8 максимальный сигнал, прошедший через уси литель 7, По величине полученного сигнала судят о величине магнитного30 поля рассеяния. Повышение чувствительности в данном случае достигается за счет своего рода концентрации магнитного поля рассеяния в ферромагнитных пластинах 4, выполненных из магнитомягкого материала с большой магнитной проницаемостью, причем степень концентрации магнитных силовых линий в пластинах 4 зависит от расположения пластин относительно друг друга, магниточувствительного элемента 1, источника магнитного поля рассеяния...