Способ контроля качества наклеивания тензорезисторов

(56) Авторское свидетельство СССМ 1293475, кл, 6 01 В 7/18, 1985Авторское свидетельство СССРМ 724919, кл, 6 01 В 7/18, 1980,(54) СПОСОБ КОНТОРОЛЯ КАЧЕСТВКЛЕИВАНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ(57) Изобретение относится к измериой технике, а именно к тензометрииизобретения - повышение точности ко А Н итель, Цель нтроля артии, т.е, тенсо всех сторон измеритметрии,тся повь умен ьше различи сопроти оровующим о Изобретение относится к ной технике, а именно к тензоЦелью изобретения являе ние точности контроля путем погрешности, обусловленной температурных характеристик иия сравниваемых тензорезисСпособ осуществля ют след льтестовыи ток н ор и фиксирую енного измене иия неприклеен рой определяю а Тч, иеприклевремя, за кото температурно ще- ния т разом.Исходя из условия сохранения работоспособности и метрологического качества тензорезистора, выбирают величину тестового электрического тока с постоянной мгновенной амплитудой, в качестве которого может рассматриваться либо постоянный, либо знакоперемениый ток, амплитуда которого мгновенно возрастает в момент включения от нуля до максимума, модуль которого далее остается неизменным. Предварительно определяют постоянную времени нагрева таким током (током постоянной мгновенной мощности и скачком подводимой к проводнику) полностью неприклеенного тенэорего ( =63% о лее на образе жащеи тензометр иэ выбранной действии тестоновеннои писывают еменного оим эа.ния теидвергаютодним иэ отивл ан етпдов напри бугливдния его ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР качества наклеивания путем уменьшени погрешности, обусловленной различиями тем пературных характеристик сопротивлений сравниваемых тензореэисторов, Для этого контролируемый и эталонный (качественно наклеенный) тензорезисторы подвергают тестовому нагреву током с постоянной мгновенной мощностью скачком подводимым током с постоянной мгновенной мощностью и сравнивают при этом приращения их сопротивлений в интервале времени 3 Т, - Тл, где Тн - постоянная времени нагрева эталонного наклеенного тензорезистора, а Т - постоянная времени нагрева полностью неприклееного теиэореэистора той же партии. зистора из контролируемои и зорезистора, окруженного воздухом. Для этого подают неприклеенный тенэорезист зависимость ЛЯ 1=(т ) врем ния приращения сопротивле ного тенэорезистора, по кото постоянную времени нагрев енного теизореэистора, т,е, рое произойдет основное изменение сопротивления максимальной величины). Да материала конструкции, подле рии, наклеивают тенэореэисто контролируемой партии и при вого импульса тока с постоя н амплитудой и длительностью график зависимости М 2 = (/ изменения приращения сопр зорезистора, который пото проверке на качество наклеи известных разрушающих м мер, токовым нагревом до оЗаказ 4645 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 . основы, Если разрушающий метод показывает высокое качество наклеивания, зависимость М 2 =р т) принимают за эталонную для данной партии контролируемых тензорезисторов и для данного материала конс - 5 рукции, по которой определяют постоянную времени нагрева Тэталонного, качественно наклеенного тензореэистора. На каждый контролируемый 1-й тензорезистор той же партии, наклеенный на конструкцию из того 10 же материала, подают тестовый импульс тока с постоянной мгновенной амплитудой и длительностью Тни и при этом записывают временную зависимость Лй = ф г), которую сравнивают с эталонной ЬВ 2 = р(т), 15 Независимо от температурной характеристики сопротивления все тензорезисторы контролируемой партии, не имеющие дефекта наклейки, будут иметь одинаковые постоянные времени нагрева, равные Т, и за "20 время действия тока с постоянной мгновенной амплитудой, равное ЗТн, произойдет примерно 97 температурного приращения их сопротивления. Для некачественно наклеенных тензорезисторов, т,е. имеющих 25 непроклеиосновы,характерноувеличенное по сравнению с Тн значение постоянной времени нагрева, стремящегося к Т в пределе по мере роста площади непроклея. Поэтому для оценки качества наклеивания 30 сравнивают не полностью зависимость ВЯ = ф (т) с зависимостьюЛ Яг= срг), а лишь приращения сопротивления каждого 1-го тензорезистора и эталонного в интервале времени ЗТн - Тнл, В результате тако о сравнения контролируемого тензорезистора с эталонным остаточная систематическая погрешность определения качества наклеивания не превысит Зо от величины максимальногоразбросатемпературных характеристик сопротивления тензорезисторов в парии.Формула изобретения Способ контроля качества наклеивания тензорезисторов, заключающийся в том, что на контролируемый и эталонный качественно наклеенные тензорезисторы подают тестовый импульс электрического тока, в течение которого регистрируют изменения сопротивления тензоразисторов, по результатам сравнения которых определяют качество наклеивания контролируемого тензорезистора, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности контроля путем уменьшения погрешности, обусловленной различиями температурных характеристик сопротивления сравниваемых тензореэисторов, на тензорезисторы подают импульс тока с постоянной мгновенной амплитудой и длительнот ью, равной предварительно определенно. постоянной времени нагрева этим током г злностью неприклееннога тензорезистора,