Устройство для электростатической фокусировки длинных трубчатых электронных пучков

Номер патента: 711922

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Завилопуло, Запесочный, Метелешко, Шпеник

МПК: H01J 3/18

Метки: пучка, селекции, электронов, энергиям

...127. 2тронов, влияние краевых эффектов, несовершенство катодного узла. Из-за фокусировки только в одном направлении выходной ток монохроматизированных электронов мал.Целью изобретения является увеличение первианса устройства и повышение монокинетичности электронного пучка.Этг цель достигается тем, что обкладки конденсатора выполнены в виде рамок, зашитых со стороны электронного лучка металлической сеткой, а с противоположной - Фольгой с акводажным покрытием.Кроме того, в конденсаторе по обе стороны пучка эквидистантно срединной плоскости пучка установлены электроды, выполненные в виде части колец с центральным углом 127 ю.11 а фиг. 1 приведен общий вид предлагаемой конструкции; на фиг.2 - поперечный разрез конденсатора.Устройство...

Номер патента: 1116970

Опубликовано: 30.09.1984

Авторы: Барышев, Хуршудян

МПК: H05H 7/00

Метки: датчика, интенсивности, калибровки, пучка, резонаторного, синхротрона, электронного

...Егтг 1 КВ На Заэог)е исследуемого реэонаторнОГО д . чт.". Об аыплктугте котороГО судят по В;,гп. лктуде сигнала, ст.;маемого с согда сованнок НВГруэки кзмере 1 тельной пет" лет связи 1)еэонаторнОГО датчегеаНЕДОСТВТКОМ ИЗВЕСТНОГО С)тОСООВ является недостаточно высокая тон= ность и сложность процесса ка)тибровг ки. ЗтО Обусловлено тем. что для процесса капкбоовги г-ег)б г.ОЕ гга гЧ 11)г) г.г)г г-.г. -; С гЦЕ.г ) )гс ггпу г 1)д ".ггг., гг ; тЬгг) ггттг ", ,гд)дгг) 1 О СООТЭ Етг В тг)г)г)УЮ )ТО; ЛЮ г В;1 ЭИ К В)Птб-13 ггЕМО О ) ЕЭ О 1 ТЯТО 1;НОО гГВ УТРЕТа И;- ТГ)Д ТДЭ)Г ЕМГгТ) В ГГВГГГ Г Т ", )ТДТГТТ ТВТТГ) ПЕ МГд)1; гг) ГТТЕ ф Еуа гЕг)1 Г ,) - СИГНВП Ц С"КМВ Гг)Г Гд 1)т С КЗ Г;Едтгг ГТ;:. ТТО 1, )ТЕ., Гндатчика интенсивности пучка; на...

Номер патента: 1266452

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Красных, Кузнецов, Перельштейн

МПК: H05H 5/00

Метки: диапазона, пучков, сильноточных, субнаносекундного, ультрарелятивистских, формирования, электронов

...прямолинейный,и приведены наиболее существенные части устройства для Форииро" 20вания пучка; на фиг. 2 - схема магнитного манипулятора с импульснымисточником питания.устройство содержит пару катушекпоследней ступени сжатия магнитной 25системы, фориирующей ведущее магнит ное лоле, виток 2 манипулятора,иагнитоэкранироваиный канал Э, мишень 4, датчик 5 положения электронного кольца, импульсный источник б . З 0питания магнитоэкраиированного канала, импульсный источник 7 питаниявитка манипулятора, импульсный формироФатель 8 стартовых сигналов,фидер 9 связи датчика положения с35импульсным формирователем 8 старто"вых сигналов, фидер 10 связи форьп- рователя стартовых сигналов с импульсным источником б питания магнитоэкранированного канала,...

Номер патента: 391632

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Лебедев, Фурсей

МПК: H01J 1/04, H01J 1/304

Метки: пучков, электронов

...нарушения равновесия между пондомоторными силами электрическаго натяжения, с одной стороны, и сил тяжести и поверхностного натяжения, с другой, Критическое поле, прввышение которого вызывает появление выступа на поверхности жидкого металла, равно 5,3 10 вlсм для ртути и может быть высчитано,по формуле: до того момента, пока напряженность электрического поля на вершине вьеступа не станет достаточной для появления автоэлектрониой эмиссии электронов, Следовательно, приложенное электрическое поле само подготавливает острия на поверхности жидкого металла, которые и являются эмиссионными центрами,Для получения стабильной взрывной эмиссии электронов необходимо, чтобы за время отбора электронного тока плазма, образующаяся при взрыве...

Номер патента: 546037

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Баженов, Месяц, Чесноков

МПК: H01J 1/304

Метки: импульсных, пучков, электронов

...током первой ступени, много меньше, чемтребуется для закорачивания промежутка анодкатод на уровне напряжения второй ступени и перехода к самостоятельному дуговому разряду. В этих условиях уровнем напряжения второй ступени можно регулиро вать так, отбираемый с катода, во второй ступени импульса напряжения. Таким образом, регулируя ток, отбираемый с катода, возможно регулировать и поступление плазмы в промежуток, поскольку этот ток, проте кая через эмиссионные центры на катоде, создает плазму. Тем самым создается возможность не только уменьшить скоросгь разлета плазмы меньше, чем 2 106 см/сек, но и прои определенных экспериментальных усло виях возможна стабилизация границы эмиссиикак в ооычных стационарных, так и в квазистационарных...