Способ влагозарядки

Номер патента: 1824461

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Бабушкин, Гудинов, Иванов

МПК: C25F 7/00, G01B 7/06

Метки: методом, процессе, размерного, скорости, слоя, снимаемого, толщины, травления, химического

...и индикатор являются типовыми,Устройство работает следующим обраВыделяющийся в поверхности травления гаэ попадает в газособирвющий сосуд и постепенно заполняет его. При заполнении сосуда газом до определенного уровня сосуд перевОрачивается и выпускает газ, При этом магнит приближается к магнитоуправляемому контакту и замыкает его на короткое время. Поскольку магнитоуправляемый контакт подключает при этом источник питания ко входу генератора тактовых импульсов, то это является началом такта, Длительность тактового импульсв определяется времяэвдвющвй цепью, входящвй в задатчикдлительности такта, Значениадлительности тактового импульса в зависимости от твмп ературы раствора устанавливается либо вручную по шкале, нанесенной на панели...

Номер патента: 688312

Опубликовано: 30.09.1979

Автор: Тарских

МПК: B23P 1/10

Метки: анодного, обработке, растворения, скорости, средней, электроабразивной

...операции удаления продуктов эпектрохимического процесса осуществляют превышение скорости подачи стола по сравненц 1 о со скоростью анодного растворения детали, суммируют данные линейных перемещений подачи и отскока детали прн взаимодействии с электроизолированным зубом, а среднюю скорость анодного растворения определяют по формуле:5- Л.1 ср впгде 5 - подача стола,Л. -- сумма перемещений детали з ооратном направлении,и - число оборотов круга,- время обработки.На чертеже изображена схема устройства, реализующего данный способ.Деталь-анодустачавливается в ирцспособ, ление 2 на ролики 3 за расстоян;и 10 15 лл 1 У. от упорно-измерительной стойки, выполненной совмесвно с приспособленцем 2, и прижимается к;:им обрезиненным роликом 4. В...

Номер патента: 1741781

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Борисенко, Верещагин, Жагалко, Клейменова, Никитин, Соседов

МПК: A61B 8/06

Метки: артерии, кровотока, мозговой, объемной, скорости, средней

...помощью ультразвукового доплеровского исследования определяют пиковую систолическую линейную скорость кровотока средней мозговой артерии и полученное значение умножают на коэффициент 3,26,П р и м е р, Больной Н,. 42 г., поступил с диагнозом - острое нарушение мозгового кровообращения по ишемическому типу в правом полушарии мозга, атеросклероз. артериальная гипертония.Даннйе ТКД на третьи сутки от начала заболевания: все артерии, формирующие Виллиэиев круг, проходимы, линейная пиковая систолическая скорость в средних мозговых артериях; слева - 69,93 см/с, справа - 59,40 см/с; объемная скорость кровотока, вычисленная предложенным способом, соответственно 227,97, 223,66 мл/мин. Больному проведено лечение вазоактивными и нейротрофическими...

Номер патента: 911232

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Волковицкий, Иванов, Толстиков

МПК: G01N 15/02

Метки: аэрозоля, дистанционного, размеров, средних, частиц

...первичной в виде шарового слоя, По вариацияминтенсивности излучения, температуры средыи размера частиц вторичная гомогенная кон.денсация имеет "почти пороговый" характер,т 1 е. пои постоянстве размера частицы и температуры среды и изменяющейся интенсивности излучения до определенной интенсивностивторичного облака частиц нет, а после нее, Оза времена практически равные временамразогрева частиц, образуется такое облако,При этом, рассеиваннцие свойства аэродисперсной среды резко изменяются из.эа быстрогороста в нем концентрации частиц субмикронных и микронных размеров и как следствиеэтого изменения ряда параметров (например,амплитуда и рормы поинятого зондирующегосигнала,С пощ 4 жением температуры окружающей 20аэрозоль среды для...

Номер патента: 357670

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Антонов, Резников

МПК: G01P 5/08, H03K 7/06

Метки: движения, скорости, среды, температуры, частотно-импульсный

...б в цепи положительной обратной связи. Между эмиттерами входного и выходного транзисторов 25 включен чувствительный элемент - ,полупроводниковый термистор б. Резисторы 7 и 8 обеспечивают режим работы входного транзистора, резистор 9 - выходного,Е.Возрастание напряжения на конденсаторе 5 приводит к,полному запцранию транзистора 1 и частичному запиранию транзистора 3, что,приводит к резкому скачку тока через транзистор 2. Транзисторы 1 и 3,опкрываются, конденсатор 5 разряжается по цепи: конденсатор б - переход база - эмиттер транзистора 1 - термистор б - резистор 4 - конденсатор б, Схема возвращается в исходное состояние, а с эмиттера транзистора 3 снимается импульс, длительность 1 которого прямо пропорционалына величине...