Устройство для преодоления сопротивлений в циклонном аппарате

Номер патента: 80218

Опубликовано: 01.01.1949

Авторы: Баскаков, Мельников, Наметкин

МПК: A01N 39/02

Метки: растений, роста

...углевод А - гидроксил, амидо или Х - 1 галоид плп водород;Ар - фенил, хлорфенил илт 2-фсннл-фенокси-аиетамнд; 4 та п др.Эти вещества получают в ответствующих фенолов с альф дами п анилидамтд. ородньш радикал илп водород:пмидогруппа: бензпл, ттапрттьбензил-хатор-ф оксимасляная кттс.то запмодеиствпем иатриевых феноля- тиа галоидозамептеттттьтмтт ттттслотамтт, их имп. Синтетпческменение в разлппя бессемянныний и т. п.Известно прких к ней по сВещества,известных тем,радикалы в метторамп роста, бгде: сусиои тттслотьт и о;тизрастительных гормонов. способу. отличакттся от ильные или бецзттльные тся аттттттцьвттт сттотуляоттцто форм ОКислоты с хорошими выходамп получают при щелочном омылепиисоответствующих амидов. Предмет изобретения...

Номер патента: 84857

Опубликовано: 01.01.1950

Автор: Вильховой

МПК: G09B 23/30

Метки: анатомического, исследования

...мсксты Г 1 использоВд 3 д 1 я зарисовки и макро 5 Кроскопическо и)Опа)Овк 11 и)и проходянем сВсте. В центре стекляннои пластины и.,естся встаВОП к)Г из . О О же стекла или и н 01 0 и роз ра ч 1 ГО )а е 0 и а, .и. ь,1)хУГ и )стал ы 5,(1 11(г тчасть плас) инь: Гамкп (т пмсот отзерсгия, Круг прикрепляют к пласги е Дуся ГруКиам 1, имсиоп:мис 51 на рамке, ВсеСДст)ие тзОЙ коп- СРУКЦИП, (сРУ ПаХОДПтСЯ Ь (ДПОй ПЛОСКОСтн С ПЛаетИНОй, фИКСИРОВаН 3 Неде 3( с во(бод 0 БГ)я:цзе ся ВО(Р,Г своей Оси. Рссп 01)2 п)сдст.33- .". я с т с О ,) с 3 : ц 3л и 1 д р1 с г у у) т р у б к у, и р 13 и 2 я и и у ю 0 д н и м к (1 ц О м к 3 3 Б с- Сс 3(1 Е СТВ(:рИ. 1 Туб" ,СТ 313;1 ЕН ХС с 1(1 ЛИЧЕСКИЙ СТЕ)(П С 1 Г с 1 СМ 3 С Г ПЕ.СтоЧ Т бп, 3 с СвобОДНОХ КОН НС ( (.,...

Номер патента: 89344

Опубликовано: 30.07.1975

Автор: Титоров

МПК: C21D 9/38

Метки: валков, закалки, прокатки, холодной

...1 О Г 0 с с бе стс 1, 3 д кл а,ы В с с х 1 ы х 13 Гн е 3; О Оси О В д ц и 51и 1 и ц О сб 1 с н 3 я,предохраняет цижцюю кром 1(у,ооч 1(и Ог:акалси. Рабочу 0 1 асть ВдлКс 3 (:ХЛс)КДЛот СТРУЯМЦ ЦО;Ы, ПОСТУПЛОЦСЙ СРЕЗ ОТВЕРСТИЯ ) 13 ВНУТреццей стенке коллектора 2,Г 1 рихснегИе приспособления о ГВалкацс ниже твердости, получаемой п е Время тсрмц е- Т;1 3 Ч ДСТД) ИС(СОИ обеспечивает тверд ри ооычном способЛ 8934 монтажа валка при 5 СпользсвагИг 51 редл;1 гаемсгс пр 11 спсссолени 5 1 О - 20 сек, Приспособление не требн т никаких Ососых темпе 13 атурньх ус. ловип нагрева валка,Предмет изобретения Редактор А. И. Дышельман Техн. ред. А, А. Нудрявицкая Корр. Черкасов)(108 1(16 Объем О,1(1-1961 г -3 коп.и открытий прп СовеСР Поди. к неч. 29/Хг....

Номер патента: 154500

Опубликовано: 01.01.1963

Авторы: Германска, Гюнтер, Действительный

МПК: D03D 49/20

Метки: 77206628-12в, «бюл, апреля, делам, изобретений», комитет, машинахзаявлено, министров, навивочных, навоя, например, опубликовано, открытий, снятия, совете, ссср, ткацкого, установки

...опорной площадке б, несут т которые при помощи поршня 2, штока 7 и шарнира 8 приж к наматываемой на ткацкий навой основе (пряже) 11 путем ния масла по трубопроводу 12 в полость 13. По окончании процесса намотки основы на навой он дается от концевых опор (на чертеже не показаны) и находит на трубах 10. Бо избежание опрокидывания навоя с пряжей поддерживается в неподвижном состоянии давлением масла павоя, на с двумя авоя.тем, что оя снаб рхностьюпосред остоит изи 3, несуплощадоршня 8,арнира 8,ны. рубы 10, имаются нагнетаосвобожся только шарнир 8 од поршУСТРОЙСТВО ДЛЯ УСТАНОВКИ И СНЯТИЯ ТКАЦКОГО НАВОЯ НАПРИМЕР НА НАВИВОЧНЫХ МАШИНАХЮ 154500 нем 3, которое подается по трубопроводу И в полость 15. При этом поршень 3 верхним .торцом 1 б...

Номер патента: 128492

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Любин, Малахов-Камартан

МПК: H04N 5/66

Метки: изображения, однострочным, передачи, разложением, системах, телевизионного

...сопротивление, го величина сигнала на нем в каждый момент времени определяется сопротивлением того элемента слоя 1, с которым контактирует освещае мый в данный момент элемент слоя 2Для увеличения разрешающей способности устройства слои 1 и 2 могут быть разде, лены канавками на отдельные элементы.Может быть также осуществлен прямой оптический контакт между слоем 2 и люминофором трубки бегущего луча, В этом случае фотоэлектрическое устройство помещают внутри колбы этой трубки. а пластина 5 выполняется в виде тонкой прозрачной диэлектрической пленки, на другую сторону которой нанесен слой люминофора, Известные полупроводниковые вещества с поперечной фото-э.д.с. позволяют получитьМ 128492 в предлагаемом устройстве величину фото-э.д,с....