Способ определения бериллия

Номер патента: 928289

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Золотницкий, Колесов, Леман, Негиевич, Подпояскин

МПК: G01V 5/00

Метки: анализа, комплексных, руд, ядерно-геофизического

...счетчик .3, триггер 1, преобразователь 5 двоицно-десятичного кода,схему сравнения 6, регулирующие цепи 7,1,7.2-7 М,8.1,8.2 - 8.М, схемувыборки-хранения 9, общую нагрузку 10,блок логики 11.Устройство работает следующим образом,8 ходной сигнал поступает на схемувыборки-хранения 9, в которой егоамплитуда запоминается на время, необходимое для срабатывания всех узловустройства 6 выхода схемы выборкихранения сигнал поступает на один извходов схемы, сравнения 6 и на один9282иэ установочных входов триггера 4,Триггер 4 устанавливается в,такое состояние, при котором вентиль 2, соединенный с его выходом, открывается.Тактовые импульсы от генератора 1 через открытый вентиль 2 поступают навход счетчика 3. Выход каждого разряда счетчика соединен с...

Номер патента: 274481

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Копейкин, Льгш, Тарасевич, Фельдбарг, Фурман, Харчос, Щербань

МПК: G01N 25/30

Метки: газов, горючих, непрерывного, плотности

...чувствительность анализа.Предлагаемый способ позволяет повысить чувствительность анализа. Он отличается тем, что в качестве физико-химического параметра используют тепловой эффект термокаталитического окисления приготовленной смеси.В основу способа положена зависимость Между плотностью и термоэффектом каталитцческого беспламенного) сжигания горючих газов прц постоянном объемном содержании их в газо-воздушном потоке, Эта зависимость для термокаталитцческого преобразовательно го устройства (однокамерного датчика) является линейной ц может быть описана урав- нением Ц - 10(0,4 10-о+1) =О,10где Ь - выходной сигнал плотномера, лв;о - плотность анализируемого горючегогаза, гс/слР.(Уравнение справедливо при соотношении 15 объемных расходов газа...

Номер патента: 468143

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Горлин, Парицкий, Рывкин, Яржембицкий

МПК: G01N 27/52

Метки: визуализации, плотности, распределения

...отметить, что природа явлесодержашем ионы металла, и проявляют в ния, используемого в данном способе, неФизическом проявителе. На катодах в ме-; И . позволяет создать анодную электрочувст4 б 8143 Составитель Н,Длнлюва Техред Д,Казачкова Корректоры: 1 Денисова Редакг р Я Батыгпн Заказ /Я Изд. Щ бЯ,./нраж 002 одиисное 3 П осударственного комитета Совета Министров СССР но деляги н собретений и открытий Москва, 13035, Раушскан наб. 4 нднринтне агент, Москва, Г 59, ирежковская наб 24 з вительную бумагу высокой чувствительно сти.Цель изобретения - повышение кулоновской чувствительности визуализации рас 5пределения плотности тока по поверхностианода устранение ограничения чувствительности к малым токам и увеличение времени жизни скрытого...

Номер патента: 498641

Опубликовано: 05.01.1976

Авторы: Ермолинский, Лавриченко, Финкель, Фурдуев

МПК: G10L 1/02

Метки: водной, плотности, спектральной, среды, шумов

...быть использовано д д водных шумов.Известен способ измерения спектральной плотности шумов водной среды путем анализа сигнала, поступающего от гидрофона.Вследствие обтекания гидрофона водой на его выходе возникает напряжение, определяемое как звуковым сигналом, так и псевдозвуком, не относящимся по своей природе к естественным шумам моря. При этом вихрь, в котором пульсации скорости происходят с частотой, вызывает возмущение давления с частотой ввиду зависимости. Помеха гидродинамического происхождения носит основную ошибку в результат измерения шумов водной среды.Цель изобретения состоит в уменьшении этой ошибки известного способа.Для этого предложен способ, по которому одновременно с сигналом от гидрофона регистрируют, например,...

Номер патента: 1127488

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Андреев, Коньков, Теруков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: аморфных, запрещенной, зоне, плотности, полупроводников, распределения, состояний

...К Егде е - заряд электрона,Ч 1 - функция распределения плотности состояний в запрещенной зоне полупроводника,смэВэнергия, эВ;Ц(х) - профиль потенциала в ОПЗ,В.При приложении к структуре внешнего напряжения "-" на электроде 1,"+" на электроде 4 (см.фиг.1), происходит изменение профиля потенциала в полупроводнике, что иллюстрируется Фиг.З.При таком профиле потенциала плотность заряда в ОПЗ определяется выражением 25 Г.щ(х)На фиг. представлена исследуемая структура; на фиг.2 - профиль распределения потенциала в структуре с барьером Шоттки в отсутствии внешнего напряжения; на Фиг.З - профиль распределения потенциала при приложении к структуре внешнего напряжения; на Фиг. 4,5,6 - представлена временная диаграмма, разъясняющая порядок...