Устройство для измерения влагопроводности влажных сыпучих материалов

Номер патента: 1381378

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Галушкин, Егин, Казанцев, Кричевский, Матисен, Щеклеин

МПК: G01N 22/04

Метки: влажности, потоках, сыпучих

...материалов работает следуюгц 5 м образом.Дачик 3 Влажности скользит по контрслируемому материалу 2.: го реактивная40проводимость, з следовательно, электрическая емко:ть изменцотся от влажности контролируемоО материала 2, находящегося В.высокочастотном поле. Таким обгазом, вконтур первого автогенератора 5 вноситсярассгройка и с его Выхода снимается сигнал частотой С выхода второго автогенераора 6 снимается сигнал постоянной частоТЫ С. Ооа СИГЦала ПОСТУПЗЮТ На СМЕСИТЕЛЬ 7,с выхода которого снимается сигнал разностцой частоты . Величина Ь 1 являетсямерой влажности контролируемого материала 2. После этого В усилителе 8 сигнал частотсйуси,:ваеГГ 5 зле ОтфГПьтосВываются высокчастогцье помехи в преобразователе О происходит...

Номер патента: 1420403

Опубликовано: 30.08.1988

Автор: Игнатьев

МПК: G01L 9/16

Метки: давления, датчик, магнитоупругий, сред, сыпучих

...с чувствительными магнитопроводами 1 и 2 с обмотками 3, корпус в виде кольца 4 с симметричным относительно его торцов основанием 5 с двумя отверстиями, в которые на герметике установлены чувствительные магнитопроводы 1 и 2, крышки 6 с жесткими центрами 7 и по- . лостями 8, закрытые дисками 9. Центры 7 приклеены к торцам чувствительного магнитопровода 1, торцы центров 7 соединены с крышками 6 мембраНами 10. Щелевидные полости 11, расположенные между основанием 5 и крышками б, заполнены жидкостью.Для заливки жидкости служит канал 12, сообщающийся с обеими полостями 11 и герметично закрытый пробкой 13. Полости чувствительных магнитопроводов 1 и 2 для исключения давления жидкости на их внутреннюю боковую поверхность заполнены компаундом...

Номер патента: 1483295

Опубликовано: 30.05.1989

Автор: Игнатьев

МПК: G01L 9/16

Метки: давления, датчик, сред, сыпучих

...4 и 5 и равныиндуктивные сопротивления и токи в обмотках 4 и 5, а разность токов равна нулю,При давлении среды в результате магнитоупругого эффекта происходит изменение магнитной проницаемости пластины 1, Это приводит к изменению величины основного магнитного потока обмотки 4 и вихревых токов, наводимых в пластине 1, а также величины и фазы магнитного потока этих вихревых токов, При этом изменение по величине основного магнитного потока и магнитного потока вихревых токов в результате изменения сопротивления магнитной цепи незначительно сказы" вается на изменении результирующего магнитного потока обмотки 4, так как полное магнитное сопротивление для основного магнитного потока обмотки 4и магнитного потока вихревых токовпреимущественно...

Номер патента: 1670421

Опубликовано: 15.08.1991

Автор: Чумаченко

МПК: G01F 23/18

Метки: датчик, сыпучих, уровня

...наб 4/5;,Роизводстзенно-издательский комбинат "Па гент, г. Ужгород, ул,Гагарина 101 Изобретение относится к строительной технике и может быть использовано для автоматизации процесса заполнения и выгрузки сыпучих материалов применительно к бункерным устройствам, пылеосадочным 5 камерам.Цель изобретения - повышение чувствительности и достоверности информации,На фиг, 1 представлен датчик, общий вид; на фиг, 2 - то же, вид сверху, 10Датчик содержит защитный эластичный кожух , с расположенной внутри нео контактной парой; в виде цилиндрической пру. жины 2, охватывающей стержень 3. выполненной из электропроводного мате риала и у:тановленной на основании 4, выполненном из неэлектропроводящего материала. Основание 4 неподвижно усановлено во...

Номер патента: 266285

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Специальное, Средств

МПК: G01N 25/56, G01N 27/22

Метки: влажности, датчик, емкостный, коаксиальный, сыпучих

...на дно цилиндра.На чертеже представлена конструкция описываемого датчика,Он состоит из наружного цилиндрического электрода 1 и внутреннего электрода 2, выполненного в виде усеченно 1 о конуса, установленного меньшим основанием на изоляционное дно 3 цилиндра.В известных емкостных коаксиальных датчиках при уплотнении навески сыпучего материала, например муки, с одной стороны, увеличивается объемный вес навески материала, что повышает диэлектрическую проницаемость материала и вызывает увеличение приращения емкости датчика, а с другой стороны, уменьшается использованная площадь электродов конденсатора, т. е, уменьшается рабочая емкость датчика, что, в свою очередь, вызывает уменьшение приращения его емкости. В описываемом емкостном датчике...