Силовой транзисторный ключ

) 4 Н 03 К 17 60 АНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ский,и технологиого электроре тво СССР О, 1981, анные трМ.: Зн ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ССС ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫ К А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(54) СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛИЧ (57) Изобретение относится к преобразовательной технике, Силовой транзисторный ключ содержит транзисторы 1, 2, источник 10 питания, источник 3 управления, дроссель 4, диоды 5-7, нагрузку 8, конденсатор 9. Дроссель 4 работает в режиме прерывистого тока в любых режимах коммутации таким образом, что включение транзисторов 1, 2 сопровождается плавным нарастанием тока от нуля, а коммутационные потери эа время включения уменьшаются, так как процесс включения заканчивается прежде, чем, ток в транзисторах 1 2 достигает значительной ве 1ф личины, что ведет к увеличению КПД. 1 ил1398078 ВНИИПИ Заказ 2607/56 Тираж 928 Подписное Произв,-полнгр, пр-тие, г, Ужгород, ул. Проектная,Изобретение относится к преобразовательной технике и мажет быть использовано во вторичных источникахпитания.Целью изобретения, является повышение КПД за счет уменьшения коммутационных потерь.На чертеже представлена принципиапьная электрическая схема предлагаемого устройства,Устройство содержит транзисторь,1 и 2, подключенные выводами базы иэмиттера к соответствующим управляющим шинам источника 3 управления,например к обмоткам трансформаторауправления, драссель 4, диоды 5 и 6и дополнительный диод 7, нагрузку 8,конденсатор 9 и шины источника 10питания. 20Дроссель 4 подключен своими выводами к коллектору транзистора 1 иэмиттеру транзистора 2, диод 5 под:ключен к эмиттеру транзистора 1 и катодом к эмиттеру транзистора 2. Диод 25б подключен анодом к коллектору транзистораи катодом к коллекторутранзистора 2. Диод 7 и конденсатор9 подключены параллельно нагрузке 8,которая подключена. одним выводом к 30шине источника 10 питания и другимвыводом к коллектору транзистора 2,Вторая шина источника 10 питанияподключена к эмиттеру транзистора 1.Устройство работает следующим образом.При включении транзисторов 1 и2 образуется контур протекания тока,скорость нарастания которого опреде,ляется величиной индуктивности драс- щ,селя 4 и напряжением шины источника10 питания. После рассасывания избыточных зарядов в диоде 7, васстанав "ления его вентильных свойств и заряда конденсатора 9 избыток тока драс- ,5селя 4 над током нагрузки распреде"ляется по параллельным цепям: драссель 4, диод б, транзистор 2 и драссель 4, диод 5, транзистор 1, чтооблегчает режим работы силовых транзисторов 1 и 2. При выключении транзисторов 1 и 2 ток дросселя 4 замыкается по контуру: диод б, конденсатор 9, шина источника 10 питания, диод 5, и разряжает кан"55 денсатор 9. Потери мощности в транзисторах 1 и 2 при выключении определяются скоростью нарастания напряжения, которая зависит от величины емкости конденсатора 9, После разрядаконденсатора 9 ток дросселя 4 замыкается по контуру: диады 6 и 7, шинаисточника 10 питания, диод 5. Напряжение на дросселе 4 при этом ограничено напряжением источника 1 О питания (если пренебречь падением напряжения на прямосмещенных диодах 5-7),а напряжение на силовых транзисторах1 и 2 равно напряжению на црасселе4 (за вычетом пацения напряжения напрямосмещенном диоде 6 или 7 соответственно) и также ограничено величиной напряжения шины источника 10 питания,Драссель 4 работает в режиме прерывистого тока в любых режимах коьщутации так, чта включение транзисторов1 и 2 сопровождается плавным нарастанием тока от О, а коммутационные потери за время включения уменьшаются,так какпроцесс включения заканчивается прежде, чем ток в транзисторах;достигает значительной величины. Формула изобретения Силовой транзисторный ключ, содержащий первый транзистор, эмиттер которого соединен с первой птиной источника питания, Лаза - с первой управляющей шиной, второй транзистор, база которого подключена к второй управляющей шине эмиттер к первому выводу дросселя и через обратно включенный первый диод - к первой шине источника питания, второй вывод дросселя саецинен через обратно включенный второй диод с коллектЬрам второго транзистора, конденсатор подключенный параллельно нагрузке, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения КПД за счет уменьшения коммутационных потерь, введен дополнительный диод, причем дополнительный диод обратно включен между второй шиной источника питания и коллекторам второго транзистора параллельно индуктивной нагрузке, а. коллектор первого транзистора соединен с вторым выводом дросселя