Способ определения диаметра пучка источника излучения

СОЮЗ СОВЕТСНИХСООИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК И 9 114 С 02 В ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ,И ОТКРЫТИИ ОБРЕТЕНИЯ РСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ)6834,.И 53 вак В.И. Фотоэле трические. датя, управленияНаука. 1966. чики в системах егулирования. - М,(54) СПОСО КА ИСТОЧНИ (57) Иэобр рии и позв процесс оп ОПРЕДЕЛЕНИЯ КА ИЗЛУЧЕНИЯ тение атнос ляет упрост еделения диРА ПУЧтся к фотометть и удешевитметра пучка. ил уч 4074462/223,04,8623,03,88,Одесскийт им, И, ИИ.М. ВикулВикулина и53,087.35Патент США250/211 Н,мновое сопротивление фотаприемн определяют при отсутствии освещения омметром.5. 11 осле освещения фоточувствительного слоя 1 фотоприемника контролируемым излучением измеряют ега световое сопротивление при интенсивности, соответствующей режиму работы фаторезистара на участке насьпцения ега люксамперной характеристики. Напряжениена контактах 2 и 3 обусловлена условием, при коТором электриче.кае поле не вытягивает генерируемые светам носители из освещенной части 4 слоя Из этих же соображений диаметр пучка излучения выбирается много большимМа длины диФфузионного смещения нерав ц навесных носителей. Приведена выражение, из которого определяют диаметр1383272 действительно может быть рассчитано по приведенной формуле.Расхождение в числах соответствует ошибке, определяемой классом точности используемых приборов. При уменьшении диаметра луча до 1 мм значение К составляет 2,3 МОм, что также находится в удовлетворительном соответствии с формулой. Фоторезисторы ФСК изготавливаются из сульфида кадмия,длина диффузионного смещения неосновных носителей в котором порядка 10 мкм. Поэтому увеличением размеров светового пятна на фоторезисторе за счет диффузии при указанных диаметрах луча можно пренебречь. Уменьшение интенсивности излучения лазера в 2 раза (светофильтром) не изменяло величину К, а это означает, что интенсивность излучения больше величины 4,Формула изобретения Способ определения диаметра пучка источника излучения, заключающийся в освещении контролируемым излучением полупроводникового фотоприемника с размерами светочувствительной площадки, превышающими диаметр пучка, с последующим измерением значения одной из электрических характеристик фотоприемника, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения и уде,шевления определения диаметра пучка, измеряют темновое и световое сопротивления фотоприемника, причем измерение светового сопротивления выполняют при величинах интенсивностей контролируемого излучения, соответствующих режиму работы , фотоприемникаг на участке насыщения его люкс-амперной характеристики, а диаметр пучка с 1 контролируемого излучения определяется иэ выраженияК=К/(1+7 сР /4 Ь 1+2 сР /ЗЪ 1) где Ь,1 ВНИИПИ Заказ 1293/43 Тираж 533 Подписное Произв. - полигр, пр-тие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к фотометриии может быть использовано в измерительной технике, автоматике и оптической электронике.5Цель изобретения - расширение диапазона измерения диаметров пучка контролируемых источников излучения,На чертеже представлено устройстводля осуществления предлагаемого способа,Устройство содержит фоторезистор сфоточувствительным слоем 1, контакты2 и 3, освещенная часть слоя 4, омметр 5. 15Определение диаметра луча светапроизводится следующим образом.При отсутствии освещения измеряется темновое сопротивление фоторезистора К,. Затем на фоторезистор нап Оравляется луч и его интенсивность .увеличивается до величины Ч , припревышении которой сопротивление фоторезистора перестает зависеть от интенсивностиПосле этого измеряется 25сопротивление К. Зная размеры фоточувствительной площадки 1, диаметрлуча определяется по формуле. Дляубыстрения процесса измерения при известных Ь, 1 и К, у конкретного фоторезистора можно построить графикК =: Й(с 1), откуда и определяется Йпо измеренной величине К, Напряжениена контактах 2 и 3 должно быть небольшим с тем, чтобы электрическоеполе не вытягивало генерированныесветом носители из освещенной части.Из этих же соображений длина диффузионного смещения неравновесных носителей должна быть много меньше диаметра луча,Опытная проверка способа осуществлялась с использованием фоторезисторатипа ФСК, Края полупроводниковогокристалла спиливались с тем, чтобы45размеры световой площадки составляли4 р 4 мм. При таких размерах темновое сопротивление К, равно 2,48 МОм. При освещении лучом с й = 2 мм от лазераЛГ - 78 (красный свет) сопротивление уменьшалось до К = 1,9 МОм. При указанном диаметре определенное по формуле К равно 1,93 МОм. Таким образом,55 ширина и длина светочувствительной площадки фотоприемника;световое и темновое сопротивление фотоприемника;диаметр пучка контролируемого излучения;3,14,