Пироэлектрический приемник излучения поперечного типа

(19 14 С 0 10 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР ПИСАН И РЕТЕНИЯ ТЕПЬСТВ ВТОРСКОМУ СВ 1 1-25к и Вюл. Р 40Физики АН УССРотов, Л.С.1(ременчугЗ.В.Самойлов электрипо обепроекциэлектри 27(088.8)ельство СССР5/58, 1979,ьство СССР5/20, 1983,78:53е свидС 01 свиде телл, С 01 4) ПИРОЭЛЕ 1( ПОП 17 РЕЧ 1 зобрете ическим тенсивн ЧЕ е относится к пи элек ния Цел гра зобретеы динамимых мощндобавл изстиеского диапазонатей излучения, дием к пироэлектр я с гаетс ии приемник излутипа работает сле Изобретение относится к измерительной технике, в частности к приборам для измерения характеристик интенсивного лазерного излучения.Цель изобретения - повьппение верхней границы динамического диапазона измеряемых мощностей излучения,На чертеже представлен пироэлектрический приемник излучения попереч- н ого типа, Пироэлектри ескцй приемник излуч типа содержит диэле ну 1, пироэлемент 2, у 3, электроды 4, 5 ия поп чно ил а с рическу несущую и измер мембра тельну сх(21) 3932467 (22) 19,07, 8 (46) 30.10.3 (71) Институ (72) В.Ф.1(ос кий, Л.В.Лев и Л,В.11 едрин (53) 621.317 (56) Авторск Р 794399, клАвторское 9 1185960, к ТРИЧЕС 1(ИЙ ПРИЕИНИ 1( ИЗЛУ10 ГО ТИПА приемникам для измерего лазерного излучения.ия - повьппение верхней приемнику излучения поперечногнесущей мембраны и диэлектрий пластины. Пироэлемент и дическая пластина прикреплены стороны мембраны так, что их и на мембрану совпадают. Дическая пластина выполнена с поверхностным поглощением регулируемого излучения а ее лучевая прочЭ ность превышает лучевую прочность пироэлемента, Толщины и упругие свойства диэлектрической пластины и пироэлемента подбирают в соответствии с расчетными формулами так, чтобы поверхность их склеивания в квазистационарном состоянии совпадала с нейтральной поверхностью, в которой мехаф нические напряжения отсутствуют, Расширение класса используемых материалов для диэлектрической пластины уве- С личнвает лучевую прочность приемника. 1 ил,Пироэлектрическчения поперечногодующим образом,Поток излучения, попадая на диэлектрическую пластину 1 с поверхно стным поглощением измеряемого излучения, создает в ней сильный температурный градиент и связанные с ним неоднородные в объеме диэлектрической пластины 1 и пироэлемента 2 механические напряжения и деформации.Третичный проэффект, вызываемй напряжениями в лироэлементе 2, приводит к появлению разности потенци.алов на его боковых гранях и соответ0 Ы(1 1 агссозЯ ов" - 3 Ы )ф Составитель С,Соколоедактор М,Ленина Техред М.Дидык орректор Т,Малец аказ 8030 Тираж 466НИИПИ Государственного комитета по изобретен113035 Москва, И, Раушская Подписноем и открытиям при ГКНТ СССРнаб., д. 4/5 нно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,1 оизвоцст ственно на электродах 4, 5. В связис расположением несущей мембраны 3 вплоскости соединения пироэлемента 2и диэлектрической пластины 1, совпадающей с. нейтральной поверхностьюсистемы, она выполняет функцию кре"пящего элемента, не влияющую на ве"личину регистрируемого сигнала, Приэтом геометрические и упругие свойства диэлектрической пластины 1 и пироэлемента 2 выбирают таким образом,чтобы поверхность их склеивания вквазистационарном состоянии совпадала с нейтральной поверхностью, накоторой механические напряжения отсутствуют,Верхняя граница динамического диапазона приемника определяется значе нием тепловых и оптических характеристик диэлектрической пластины 1, Группа симметрии материала диэлектрика может принадлежать 32 кристаллорафическим классам, в то время как 25прототипа могут быть использованы олько материалы, относящиеся к 10 пироэлектрическим классам. Расширение класса используемых материалов для диэлектрической пластины 1 увели чивает верхнюю границу динамического диапазона приемника. Особенно перспективным является использование центросимметричных кристаллоч для области спектра 10,6 мкм, напри,ер, та 35 ких как карбид кремния Формула изобретенияПнроэлектрический приемник излучения поперечного типа, содержащий пироэлемент в виде прямоугольного параллелепипеда с электродами на его торцах и схему регистрации, подклю" ченную к электродам, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повыше ния верхней границы динамического диапазона измеряемых мощностей излучения, он дополнительно содержит несущую мембрану и диэлектрическую пластину с поверхноотным поглощением и лучевой прочностью, превышающей лучевую прочность пироэлемента, при этом пироэлемент и диэлектрическая пластина расположены цо обе стороны мембраны так, что их проекции на мембрану совпадают, а толщина диэлектрической пластины 1, удовлетворяет соотношению Е 21 -)гдеЕ,(1- ,)Е , 1 и Е , 1 - модули Юнга и коэф 9фициента Пуассона диэлектрической пластины и пироэлемента соответственно; 1 в . толщина пироэлемента,