Устройство для детектирования амплитудно-модулированных сигналов

(191 3 П 1/18 ВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ГОС ПО 1Ь ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ идентичности ВАХ транзисторов 1,2 напряжения на базах Т 1,2 равны, токиколлекторов равны и падения напряжения на резисторах 3,4 примерно равныНапряжение на коллекторе Т 1 практически равно напряжению на переходебаза-эмиттер Т 2. Величина этого напряжения определяет порог детектирования устройства. При поступлениивходного сигнала на коллекторе Т 2появляется переменная составляющаянесущей частоты сигнала. При поступлении на базу Т 2 положит.полуволныток коллектора увеличивается, а приотрицат. полуволне - уменьшается, Прэтом эа счет нелинейности ВАХ среднее значение коллекторного тока за хнический инВ,к ьство СССР 18, 22.026028,7,КТИРОВХ СИГНся к рбеспеч иоичивается с ростом амплиго сигнала. Это приводит период ув туды вход увеличению среднего значения ния напряж шению сре коллектор н е и коллект него значения потенциала на 1 ил. Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(57) Изобретение относии импульсной технике и повышение точности детектирования путем уменьшения порога детектирования,Устройство содержит транзисторы (Т)1,2, резисторы 3,4 и катушку индуктивности 5. Подбором номинала резистора 4 добиваются, чтобы в отсутствиевходного сигнала рабочая точкаТ 2 установилась в районе перегибавольт-амперной характеристики (ВАХ)коллекторного перехода. Благодаря на резисторе 4, умень- значения напряжения на Еуменьшению токов баа Т 1 и увеличению98840 2 51015 го формула изобретения 30 35 40 45 Составитель Г. КаракозовТехред Н.Глущенко Корректор С. Шекмар Редактор В. Петраш Заказ 895/56 Тираж 902 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, гУжгород, ул. Проектная,4 12Изобретение относится к радио- иимпульсной технике и может быть использовано для амплитудного детектирования радиосигналов,Цель изобретения - повышение точности детектирования путем уменьшения порога детектирования.На чертеже показана электрическаяпринципиальная схема устройства длядетектирования амплитудно-модулированных сигналов,Устройство содержит первый транзистор 1,второй транзистор 2, первый резистор 3, второй резистор 4 икатушку 5 индуктивности,Устройство работает следующим образом.При отсутствии входного сигналана базе и коллекторе второго транзистора 2 рабочая точка второго транзистора 2 устанавливается в районеперегиба вольт-амперной характеристики (ВАХ) коллекторного перехода,что достигается соответствующим подбором номинала второго резистора 4.Так как транзисторы изготовлены в одном кристалле (транзисторная сборка),то ВАХ их идентичны, причем напряжение на базе транзистора 1 равно напряжению на базе транзистора 2, поэтому токи коллекторов транзисторов1 и 2 практически равны, вследствиечего падение напряжения на первомрезисторе 3 примерно равно падениюнапряжения на втором резисторе 4 исоставляет почти полное напряжениепитания. Напряжение на коллекторепервого транзистора 1 практическиравно напряжению на переходе базаэмиттер второго транзистора 2,Величина этого напряжения определяет порогдетектирования предлагаемого устройства.При подаче на вход сигнала,подлежащего детектированию, на коллекторе второго транзистора 2 появляется переменная составляющая несущейчастоты сигнала. При положительнойполярности полуволны переменной составляющей на базе второго транзистора 2 ток коллектора увеличивается и,наоборот, при отрицательной полярности ток уменьшается, при этом засчет нелинейности ВАХ среднее значение коллекторного тока за период увеличивается с ростом амплитуды сигнала на входе, что приводит к увеличению среднего значения падения напряжения на резисторе 4 и соответственному уменьшению среднего значения напряжения на коллекторе второго транзис;тора 2, что, в свою очередь, ведет куменьшению токов базы и коллекторапервого транзистора 1 и значительному увеличению среднего значения потенциала на выходе,Таким образом, на выходе детектора получается напряжение, среднее значение которого пропорционально амплитуде входного сигнала, т,е, огибающей входного сигнала.1 Устройство для детектирования амплитудно-модулированных сигналов,.содержащее первый и второй транзисторы одной структуры, эмиттеры которых соединены с общей шиной, первыйи второй резисторы, причем первый резистор включен между коллекторомпервого транзистора и шиной источника питания, второй резистор подключен к коллектору второго транзистора,а между базой и коллектором второготранзистора включен двухполюсник,о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, сцелью повышения точности детектирования путем уменьшения порога детектирования, база первого транзисторасоединена с коллектором второго транзистора, другой вывод втдрого резистора соединен с шиной источника питания, двухполюсник выполнен в видекатушки индуктивности, а величина сопротивлений резисторов выбрана одинаковой,