Способ контроля качества наклеивания тензорезисторов

СОКИ СОВЕТСНИ АЛИСТИЧЕСН СПУБЛИК 9) 0 51) 4 С 01 В 7/18 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН(54) СПОСОБ КО ИВАНИЯ ТЕНЗОРЕ (57) Изобретен бам контроля к тензорезисторо шенствованием св, У 724919. НТРОЛЯ КАЧЕСТ ЗИСТОРОВ ие относится ачества накле в и является изобретейия пЦелью дополни по ван совер.авт,ельног клеивания,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ К АВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТ(56) Дульнев Г.Н., Семяшкин Э.М, Теплообмен в РЭА. - Л.: Энергия,1984, с. 55.Исаченко В.П. и др. Теплопередача. - И.-Л.: Энергия, 1965, с. 31;Лыков Л.В. Теория теплопроводности. - М.: Высшая школа, 1967, с. 149- 591.Попов В.И, Теплообмен в зоне контакта разъемных и неразъемных соеди. нений. - И.: Энергия, 1971,разд.5.5.Авторское свидетельство СССР В 724919, кл. С 01 В 7/18, 1978.ВА НАКЛЕизобретения является повьппение точности контроля качества наклеивания эа счет исключения влияния окружающих условий при одновременном упрощении процесса контроля и сокращении его продолжительности. Для этого длительность тестового импульса токаю 2определяют по формуле , = Од,Сц,/ /4 Э (0,415-0,2591 пО)., где 8- толщина слоя клея; С - удельная теплоемкость клея; р -, плотность клея; )э - эквивалентный коэффициент теплопроводности участка тензорезистор - объект; 8 - коэффициент, выбираемый исходя из допустимой степени отклонения процесса нагрева системы тензореэистор - клей - поверхность объекта от адиабатического. Длительность импульса выбрана из условия, что тепловой поток только успевает подойти к поверхности объекта, но не успевает распространиться в нем. При этом условии контролируемое тестовое приращение электрического сопротивления тензорезистора в момент оконча 3ния действия тестового импульса однозначно характеризует качество на1293475 4 Д 0,415-0,2591 п Э) Р сл кл кл Укл где 8 кл - толщина слоя клея;и4 За (О, 415-0, 2591 п 9)С - удельная теплоемкость клея,40ркл - плотность клея. где 8- толщина слоя клея;Эквивалентный коэффициент тепло" 1 кл - удельная теплоемкость клея, проводности л участка тензорезис- - плотность клея, тор - объект определяют по формуле Э - эквивалентный коэффициентатеплопроводности участкацкл . 45д Юклтензорезистор - объектК + - -+К1 тг-к лкл 1-об9 - коэффициент выбираемый ис 9ходя из допустимой степени где К и К - тепловые сопро- отклонения процесса нагреварте к 1 к тивления зон кон- системы тензорезистор -такта между тен- клей - поверхность объектазорезистором и от адиабатического;клеем и соответ- определяют и сравнивают приращенияственно между сопротивлений контролируемого и каклеем и объектом, либровочного тензорезисторов толькокл- коэффициент тепло в момент окончания тестового импульпроводности клея. са тока.ВНИИПИ Заказ 370/41 Тираж 678 Подписное-, .- - -- . Изобретение относится к измерительной технике и является усовершенствованием известного способа, описанного в авт.св. У 724919.Цель изобретения - повышение точ ности контроля качества наклеивания за счет устранения влияния .окружающих условий при одновременном упрощении и сокращении продолжительности контроля.ЮУстранение влияния окружающих условий достигается определением длительности тестового импульса тока, исходя из условия, что система тензорезистор - клеи - объектнаходитсяч 15 в режиме адиабатического нагрева, т.е. теплота, выделяемая в тензорезисторе при пропускании через него тестового импульса, расходуется толь. ко на нагрев тенэорезистора и слоя клея, и тепловой поток за время действия импульса только успеваетподойти к поверхности объекта, но не успевает распространиться в нем. При этом условии тестовое приращение электрического сопротивления тензорезистора в момент окончания тестового импульса полностью и однозначно характеризует качество наклеивания.Способ осуществляют следующим образом.Мыбирают длительность тестового импульса тока из соотношенияоСЛгклклРкл)35 Коэффициент 9 , определяющий степень отклонения процесса нагрева системы тензорезистор - клей - поверхность объекта от адиабатического выбирают не более 57, Коэффициент 9 характеризует относительный перегрев лЕ на границе клей - объект по сравХнению с перегревом тензочувствительного элемента тензорезистора ЛЕЬЕМ8 -- - ЕВыбирают амплитуду тестового импульса тока из условия получения желаемого тестового перегрева тензорезистора, при котором сохраняется работоспособность тензорезистора.Пропускают тестовый импульс тока через контролируемый тензорезистор и через калибровочный тензорезистор, сравнивают их приращения электрического сопротивления в момент окончания тестового импульса. По результату сравнения судят о качестве наклеивания контролируемого тензорезистора.Формула изобретенияСпособ контроля качества наклеивания тензорезисторов по авт.св.Ф 724919, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля за счет устранения влияния окружающих условий при одновременном упрощении и сокращении продолжительности, длительность тестового импульса тока выбирают из соотно- шения