Фундамент под машину

Номер патента: 688559

Опубликовано: 30.09.1979

Авторы: Алексеев, Лебедев, Швец

МПК: E02D 27/44

Метки: демпфирования, колебаний, фундамента

...чтоизменение напряженного состояния грунтаоснования производят путем обжатия окру внешнюю наосредоточенной в равномерноенную по плоительных элеием 2. Переда- и вызывает изгрунта, причем отдельных чаонтактные нав достаточноопределяет обряженного соней нагрузки, е и сцепление как сопротив688559 10 Составитель Е. Палагинактор Т. Пилипенко Техред Н. Строганова Корректор И. Позняковс аказ 2351/13 Изд, Жо 561 Тираж 780 ПодписноНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Типография, пр, Сапунова,ление грунтов сдвигу, зависящее от трения и сцепления, является функцией сжимающих напряжений.При действии внешнего давления за счет увеличения сил трения и сцепления упругие...

Номер патента: 727764

Опубликовано: 15.04.1980

Авторы: Лаптева, Чернышев

МПК: E02D 27/34

Метки: воздействия, грунта, защиты, зданий, колебаний, сооружений, фундаментов, экран

...от воздействия колебаний грунта включает образованную на расстоянии 20 от здания, сооружения 1 по его периметрутраншею 2 с переменным поперечным сечением по высоте и размещенный в ней погло, щающий колебания материал 3, одна из стен 4 траншеи выполнена по выпуклой кри727764 Формула изобретения д. Сидфрич СоставительТехред К. ШТвраж 713арственногозобретенийЖ - 35, Раут, г, Ужгоо ороваКорректорПодпнснота СССРытнйаб., дПрое едактор Г. Мозжечков ааказ 1091/30ЦНИИПИ Госупо делам113035, Москва,Филиал П ПП с Пате ком ите и откр шскан н од, ул. 4/5 ктнаи 13вой второго порядка или может быть выполнена по окружности.Траншея перекрыта плитами 5, опирающимися на угловые элементы 6.Часть поверхностных волн 7 сейсмического толчка, встречая на...

Номер патента: 601355

Опубликовано: 05.04.1978

Авторы: Боргоякова, Чернышев

МПК: E02D 27/34

Метки: воздействия, грунта, защиты, зданий, колебаний, сооружений, фундаментов, экран

...фундаментов от воздействия колебаний, выполняемые ввиде цепи наклонных скважин 1,Однако такие экраны сложны в цзготовл"ннц. Наиболее близким техническим решением является экран для защиты фундаментов зданий, сооруженцЙ От ВоздеЙствця коле.банцй грунта, преимущественно,прц сейсмических воздействиях, включающий размещенный в образованной на расстоянии от здания,сооружения по его периметру траншее поглощающий,колебания материал (21. 15Недостатком такого экрана является малаяэффективность гашения колебаний.Целью изобретения является повышениеэффективности гашения колебаний,Для этого траншея выполнена трапецеидальной формы в поперечном сечении.Сущность цзобретен 11 я поясняется чертежом. Прц этом волнь: и:.оходят с одинаковой скоростью...

Номер патента: 143577

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Пуськов

МПК: E02D 1/00, G01N 3/24

Метки: грунтов, лабораторных, материалом, например, непрерывного, прочности, сдвига, смерзания, условиях, фундамента

...условия для равномерного смещения образца грунта относительно вмороженной в него опытной стойки.Деформации сдвига стойки по грунту фиксируются двумя индикаторами 11 часового типа с ценой деления 0,01 мм, закрепленными на металлическом стакане с помощью съемного цангового мессуродержателя 12. При этом ножки индикаторов упираются в упорную планку 13 опытной стойки.Все устройство монтируется на столике пресса с секторным рыча. гом и помещается под деревянным кожухом (на чертеже не показано), являющимся камерой с необходимой по условиям опыта температурой внутри ее. Отрицательная температура в камере обеспечивается за счет естественного холода, а ее стабильность в процессе опыта поддерживается с помощью контактного термометра и...

Номер патента: 1629414

Опубликовано: 23.02.1991

Автор: Довнарович

МПК: E02D 27/34, E02D 3/12

Метки: вертикально, возводимый, грунтах, нагруженный, основание, слабых, фундамент, центрально

...подушки 1 из уплотненного грунта, подстилаемой плитой-диафрагмой 2. На подушку 1 установлен фундамент 3. Под плитой-диафрагмой 2 расположен нижний слой основания со слабыми грунтами 4. Подушка 1 выполнена толщиной Ь, соответствующей величине предельно допустимой осадки плиты-диафрагмы 2 под суммарной нагрузкой от веса фундамента 3 и подушки 1. Ширина В плиты-диафрагмы 2 определена зависимостью В = Ь+ К Ь, где Ь - ширина фундамента; К - коэффициент распредели-ельной способности материала подушки, определяемый экспериментально опытным нагружением образца из этого материала с измерением распределения напряжений по зго ширине;. причем толщина плиты-диафрагмы 2 определена из условия обеспечения прочности ее при давлении от...