Способ определения мощности поглощенной дозы
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1251919
Авторы: Горбушин, Жураковская, Петин, Рожков
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 1251919 9) Я 4 А 61 М 5 02 ИСАНИЕ ИЭОБРЕТЕНИ жения погреш иост объектом дозы пу определения мощи использованием фа фициент теплорасс лучают его микров щение температуры облучения и опре щенной дозы из вы тельский институт меАМН СССРГ. П. Жураковскаярбушин ельство СССР21/12, 1968,па 11 оп о Йе аЬзогра 1 оп Ьу а Ьюбаса НХ гпсгочаче ес. - 4, 385 - 390. ио 1 - е де Ф - мощность ХТ(1) - приращени за время о К То - начальная тома и ок 1 - время обл с - теплоемко р - козффицие+КТо Вт/ поглощеннои дозы е температуры ф блучения, К;разность темпера ужающей среды учения, с;ть фантома, Д нт теплорассеян нто р фанд ж/г я, с ера- сниОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ А 8 ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) (57) СПОСОБ ОП РЕДЕЛ ЕНИЯ НОСТИ ПОГЛОЩЕННОЙ ДОЗЫ пут лучения объекта микроволнами теплов тенсивностей и регистрации его тем туры, отличающийся тем, что, с целью и задания тем повышен ости поглоще нтома, опреде еяния фантом олнами, изме сразу после п деляют мощи ражения поглощенной ия точности нной дозы сляются коэфа, затем обряют прирарекращения ость погло.Тп -Составитель С. Чеботарев Редактор О. Юрковецкая Гехред И. Верес К орре кто р С. Черня Заказ 4556/6 Тираж 660 Подпнсное ВНИИГ 1 И Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патентэ, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Изобретение относится к технике измерений параметров электромагнитных полей, в частности к измерению мощности дозы, поглощенной объектом при взаимодействии с СВЧ-полем, и может быть применено в радиобиологии,Целью изобретения является снижение погрешности задания поглощенной объектом дозы путем повышения точности определе. ния мощности поглощенной дозы с использованием фантома.Способ осу 1 цествляется следующим образом.Для измерения мощности поглощенной дозы сначала определяют коэффициент тепло- рассеяния образца, затем облучают образец микроволнами, измеряют приращение температуры образца сразу после прекращения облучения и определяют мощность поглогценной дозы из выражения мощность поглощенной дозы, Вт/г;приращение температуры образцаза время облучения, К;начальная разность температур объекта и окружающей среды, К;время облучения, с; р - коэффициент теплорассеяния образца, с-;с - теплоемкость, Дж/г К.Определение коэффициента теплорассеяния р осуществляется с использованием зависимости изменения температуры образца во времени при его охлаждении= с /пТ(/), (2) где ЛТп - разность температур образца и окружающей среды при 1 = О,К;ХТ/11 - разность температур образца и окружающей среды при охлаждении за время 1, К.Пример. Способ определения поглощенной мощности дозы может быть реализован с использованием водного фантома, представляющего собой цилиндр из оргстекла, заполненный водой. Вначале определя. ют коэффициент теплорассеяния фантома путем измерения кинетики охлаждения воды в фантоме на воздухе, предварительно нагретом в термостате, с последующим использованием соотношения (2). Затем облучают фантом в безэховой камере, стены которой покрыты радиопоглощающим материалом, после чего определяют величину приращения температуры воды в фантоме.
СмотретьЗаявка
3732494, 14.02.1984
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ МЕДИЦИНСКОЙ РАДИОЛОГИИ АМН СССР
РОЖКОВ МИХАИЛ ФЕДОРОВИЧ, ЖУРАКОВСКАЯ ГАЛИНА ПЕТРОВНА, ПЕТИН ВЛАДИСЛАВ ГЕОРГИЕВИЧ, ГОРБУШИН НИКОЛАЙ ГРИГОРЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: A61N 5/02
Метки: дозы, мощности, поглощенной
Опубликовано: 23.08.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1251919-sposob-opredeleniya-moshhnosti-pogloshhennojj-dozy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения мощности поглощенной дозы</a>
Устройство для определения температуры вспышки горючих жидкостей в среде оксидов азота
Номер патента: 1402897
Опубликовано: 15.06.1988
Авторы: Королев, Михалычева, Щурин
МПК: G01N 25/52
Метки: азота, вспышки, горючих, жидкостей, оксидов, среде, температуры
...пропускают пары сксидов азота или газовоздушную смесь с заданной концентрацией ОксидОВ азота е Включают нагреватель 1 и контактное реле 12.С заданнсй нерирдичностью на опреде 4 Оленное время контактное реле 12 подключает к источнику переменного напряжения низковольтную обмотку траповФорматора 11, При этом высоковольтная обмотка трансформатора 1.1 подаетнысакое напряжение на электроды 5поджига. Одновременно с этим импульс"ное реле 14 псдазт импуль" напряжения на электромагнит 13, установлен"ный напротив пластины 7 из магнитно"го материала, электромагнит 13 при."тлгивает пластину 7 установленнуюна подвижном влекродеподжига псследний, сгибаясь в подвижном соединении б, перемещается растягиваяпружину 7., и приближается к неподвижному...
Устройство для регулирования температуры образцов в атомном реакторе
Номер патента: 920661
Опубликовано: 15.04.1982
Авторы: Науменко, Орыщенко, Пальц
МПК: G05D 23/30
Метки: атомном, образцов, реакторе, температуры
...потока по высоте экспериментальных каналов реактора носит косинусоидальный характерСГ 7,Целью изобретения является повышение точности устройства путем уменьшения изменений нейтронного потока, действуюшего на образцы.Поставленная цель достигается тем, что устройство для регулирования температу. ры образцов в атомном реакторе, содержащее цилиндрический корпус в виде стакана с расположенной в нем ампулой с образцами, на одном из которых установлен датчик температуры, связанный с приводом перемещения ампулы с образцами, в котором стенки стакана выполнены переменной толщины в плоскости, перпендикулярной оси стакана, тем, что стенки стакана выполнены по эвольвенте.При этом образцы перемещаются в горизонтальной плоскости реактора: могут...
Криостат с регулированием температуры образца
Номер патента: 390328
Опубликовано: 01.01.1973
Метки: криостат, образца, регулированием, температуры
...Поставленная цель достигается созданием второго маломощного теплоотвода с нагревателем п самостоятельной ем косею с н 1 лд 1 о 1 стью, с помощью которых осуществляют плавную регулировку подвода тепла к подлокке.На ертеже дана констркция безваОумного крпостата.1 Криостат состоит 1 гз корпуса 1 и стакана 2с ввинченными в них теплоотводами - верхним дополнительным 3 и нижним основным 4, Нижний основной теплоотвод 4 для охлаждения образца опускают в сооби 1 ающийся со суд 5 с жидким азотом. Корпус 1 представляет собой гильзу из фторопласта, запрессован 11 ую в пенопласт. Стакан 2 из фторопласта встатлллют в корпус, и рабочий объем криостата герметизируют сверху специальной втул кой из эбонита о. Основной теплоотвод 4 иподложка 7...
Устройство для определения профиля поглощенной дозы
Номер патента: 830888
Опубликовано: 15.09.1982
МПК: G01T 1/16
Метки: дозы, поглощенной, профиля
...сопротивлением,На чертеже представлена принципиальная схема предложенного устройства для прямого определения профиля поглощенной энергии в исследуемом материале,Устройство состоит из коллиматора-монитора 1, исследуемого поглотителя 2, широкополосного пьезопреобразователя с высоким временным разрешением ( - 10 - с) 3, дифференцирующего сопротивления 4, регистратора 5 и измерителя 6,Устройство работает следующим образом. Пучок заряженных частиц (например, электронов), проходя через коллиматормонитор 1, попадает на исследуемый поглотитель 2, толщина которого больше пробега электронов в нем. Энергия, вносимая в образец электронным пучком за время - 10 в " - 10-" с, передается ядерной подсистеме и приводит к расширению облучаемого объема....
Фотоэлектрический способ определения коэффициента оптического поглощения полупроводниковых образцов
Номер патента: 2001390
Опубликовано: 15.10.1993
МПК: G01N 21/84, H01L 21/66
Метки: коэффициента, образцов, оптического, поглощения, полупроводниковых, фотоэлектрический
...оптического поглощения полупроводниковых материалов, заключающемся в освещении плоскопараллельнсго образца мснокроматическим светок, измерении спектральной зависимости относительной фсточувствительности образца и опред;-;ленни коэффициента по лсщения а и;, срд(ровэнной на единицу в максимуме спекральной зависимссти относиельнсй фсточувствительнссти 5 ф ( 1. ), в котором, согласно иэобретекно- вс-первых, производят изменение фотоответа г режиме поперечной фстопроводимсг,и (электроды нанесены на обе боковые грани образца),- вс-вторых, фотоответ .мелю о г всего обьема образца (элеггсды нассят нэ всю площадь боковыхэей образца),- в третьих, обра.г ц дополнительно освещают излученилиной вол ы Л. о, где л.; - дл а волны, сос 1...