Спиральная антенна
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1246196
Авторы: Березинский, Маркин, Пригода, Юрцев
Текст
1 124614"Изобретение относится к антеннойтехнике и может быть использованов качестве слабо- и . средненаправЪленного широкополосного излучателякруговой поляризации, 5Цель изобретения - расширениечастотного диапазона и улучшение поляризационных характеристик,На чертеже изображена структурнаясхема спиральной антенны, 10Спиральная антенна имеет однозаходную цилиндрическую спираль 1,размещенную на поверхности опорнойдиэлектрической трубы 2, экран 3 икоаксиальный волновод 4. 15Толщина стенки опорной диэ,пектрической трубы 2 плавно (например, полинейному закону) уменьшается отплоскости экрана 3, где толщина стен.",ки равна радиусу опорной диэлектрической трубы 2, до толщины стенки,близкой нулю на другом конце опорнойдиэлектрической трубы 2. Относительная диэлектрическая проницаемостьматериала опорной диэлектрическойтрубы 2 равна 2,5, число витков 9,угол намотки 12 и диаметр однозаходной цилиндрической спирали 1, 0,22, ,е где смоке наибольшая длинаволны рабочего диапазона, диаметр 30экрана 3 равен 1 1маркс.Антенна работает следующим образом,Спиральная антенна, содержащаяоднозаходную спираль, размещенную на поверхности опорной диэлектрической трубы, установленной на экране, и коаксиальный волновод, внешний про водник которого соединен с экраном,а внутренний - с началом однозаходной цилиндрической спирали, о т л ич а ю щ а я с ятем, что, с целью расширения частотного диапазона и 45 улучшения поляризационных характеристик, толщина стенки опорной диэлектрической трубы выполнена плавно уменьшающейся от плоскости экрана. Составитель А.РунгеРедактор Н.Рогулич Техред М.Ходанич Корректор С.Черни Заказ 4010/47 . Тираж 597 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий1.13035, Москва, Ж, Раушркая наб д, 4/5 Производственно-полиграФическое предприятие, гУжгород, ул,Проектная,Волна типа ТЕМ, распространяющаяся по коаксиальному волноводу 4, возбуждает поверхностную волну типа Т в однозаходной цилиндрической спирали 1, интенсивно излучающую в осевом направлении. Режим Т в спиральной антенне может существовать при условии, что длина волны в проводнике однозаходной цилиндрической спирали 1 несколько меньше длины ее витка. При уменьшении длины волны происходит переход в режимы Т и Т . Однако 1 в спиральной антенне с диэлектриком эти волны оказываются существенно 96 1замедленными и излучают слабо. В связи с этим на длине волны, на которой режим Т, существует на последних витках спирали (в области меньшей толщины стенок диэлектрической трубы),предыду щая частьспирали срежимами Т и Т играет роль Канализирующей лйнии. С ростом длины волны излучающий участок с режимом Т перемещается вдоль оси спирали к экрану, чем достигается расшире:ние частотного диапазона спигральной антенны. Кроме того, уменьшение толщины стенок опорной диэлектрической трубы 2 вблизи свободного конца спиральной антенны улучшает ее согласование со свободным пространством, уменьшает отражение от свободного конца. и тем самым позволяет получить поляризацию, близкую к круговой.Спиральная антенна успешно работает при следующих параметрах: уголонамотки 8- 15 , число витков 5-10, относительная диэлектрическая проницаемость материала опорной диэлектрической трубы в пределах 2,5-10.Закон изменения толщины стенки опорной диэлектрической трубы может быть любым, в зависимости от того, какой параметр спиральной антенны подвергается оптимизации. Формула изобретения
СмотретьЗаявка
3797187, 03.10.1984
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-7544, МИНСКОЕ ВЫСШЕЕ ИНЖЕНЕРНОЕ ЗЕНИТНОЕ РАКЕТНОЕ УЧИЛИЩЕ ПРОТИВОВОЗДУШНОЙ ОБОРОНЫ
ЮРЦЕВ ОЛЕГ АНАТОЛЬЕВИЧ, ПРИГОДА БОРИС АЛЕКСЕЕВИЧ, МАРКИН АРНОЛЬД СЕРГЕЕВИЧ, БЕРЕЗИНСКИЙ ЕВГЕНИЙ ЕФИМОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01Q 11/08
Метки: антенна, спиральная
Опубликовано: 23.07.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1246196-spiralnaya-antenna.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Спиральная антенна</a>
Предыдущий патент: Вертикальная полуромбическая антенна
Следующий патент: Антенная система для исследования подстилающей поверхности
Случайный патент: Композиция для гидрофобизациипористых наполнителей