Устройство для сверхвысокочастотного нагрева
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(54) УСРОЙ НОГО НАГРЕВ ,57) Изобре для техноло трических м стьор 1. генера отрезк волнов ре хь- .Я оные жеть поворо ,лой ма АРСТВЕННЫИ НОМИТЕТ СССРЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(56) Патент СНА Р 3430022,кл. Н 05 В 9/06, опублик, 1969,ВО Д Я СВЕРХВ 11 СОКОЧАСТОТ тение м.б,".пользовано гической обработки диэлекатериалог, 11 овышается равнагоева, устр-во содержиткамеру негр,.ва (КН 1 2, гулярнсо волновода 3, шелевые ;.:лучатели (ВШИ)4, узлы 5, состоящие,из круграсположенной на одной из стенок КН 2, аналогичной манжеты меньшего диаметра, расположенной на отрезке волновода 3 концентрически с предыдущей манжетой. На поверхности одной из манжет прорезаны пазы 8, через к-рые проходят крепежные эл-ты, обеспечивающие плавный поворот отрезка волновода 3 вокруг его продольной оси на любой угол. После загрузки КН 2 обрабатываемым материалом проверяется урсзен, согласования ее в требуемой полосе частот, О равномерности нагре 1 а "удят по результату обработки опытного образца. Поворотом ВЩИ 4 добиваютс; улучшения хар-к, В случае нагреО в. сильно поглощающего материала боль- ж ших размеров обеспечивают низкий уровень отражений, направив электромагнитные волны на его поверхность под Сф углом Брюстера, а охват всей повер ности производят при помощи нескол ких ВЩИ 4, 2 ил.1239899 Тираж 7 аз 34 ВНИИПИ одписное пр-тие, г, Ужгород, ул. Проектна зв.-по Изобретение относится к области сверхвысокочастотного,нагрева и может быть использовано для технологической обработки диэлектрических ма.териалов.Цель изобретения - повышение равномерности нагрева.На Фиг, приведена конструкцияпредлагаемого устройства; на фиг,2поворотный узел,Устройство для сверхвысокочастотного нагрева содержит генератор 1,камеру нагрева 2, отрезки регулярноговолновода 3, волноводно-щелевыеизлуча -тели 4, поворотные узлы 5, состоящиеиз круглой манжеты 6, расположеннойна одной из стенок камеры 2 нагрева,аналогичной манжеты 7 меньшего диаметра, расположенной на отрезе регулярного волновода 3 концентрическис манжетой 6, На цилиндрической поверхности одной из манжет прорезаныпазы 8, через которые проходят крепежные элементы 9, расположенные равномерно по ее периметру, Размеры пазов 8 и расположение крепежных элементов 9 могут быть выбраны такимобразом, чтобы обеспечить плавный поворот отрезка регулярного волновода 3вокруг его продольной оси на любойугол. Устройство для сверхвысокочастотного нагрева работает следующим обра зом,После загрузки камеры нагрева 2 обрабатываемым материалом проверяется уровень согласования ее в требу.емой полосе частот, 0 равномерности нагрева можно судить по результату обработки опытного образца. Есликакие-то характеристики требуют улучшения, можно добиться этого поворотом волноводно-щелевых излучателей 4на некоторый угоп, При слабой загрузке камеры 2 нагрева достаточно хорошее согласование можно получить при нескольких различных положениях волноводно-щелевых излучателей 4. При 1 О,этом появляется возможность вьбораоптимального положения, обеспечивающего наиболее равномерный нагрев.В случае .нагрева сильно поглошающего материала достаточно бо:пших размеров 5 можно обеспечить низкий уровень отражений, направив электромагнитные волны на его поверхность под углом Брюстера а охват всей поверхности произвести при помощи нескольких 20 волноводно-шелевых излучателей 4,Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я Устройство для сверхвысокочастотного нагрева, содержащее генератор,соединенный с камерой нагрева припомощи элементов связи, о т л и ч аю щ е е с я тем, что, с целью повышения равномерности нагрева, каждый 30 из элементов связи выполнен в видепоследовательно соединенных отрезкарегулярного волновода и волцоводцощелевого излучателя, при этом отрезки регулярного волновода закрепленыв стенках камеры нагрева с возможностью осевого вращения и изменения положеция оси относительно стенки камеры нагрева, а волноводно-щелевыеизлучатели расположены внутри камерынагрева.
СмотретьЗаявка
3765383, 25.06.1984
НОВОСИБИРСКИЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
ДАРЬИН ВИКТОР ИВАНОВИЧ, МАШАРСКИЙ ЕВГЕНИЙ ИЗРАИЛЬЕВИЧ, ХАВАЯРОВ ВИКТОР ЮГАНЕСОВИЧ, ШВЕРЦЕР БОРИС АНАТОЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H05B 6/64
Метки: нагрева, сверхвысокочастотного
Опубликовано: 23.06.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1239899-ustrojjstvo-dlya-sverkhvysokochastotnogo-nagreva.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для сверхвысокочастотного нагрева</a>
Камера сверхвысокочастотного нагрева
Номер патента: 1001515
Опубликовано: 28.02.1983
Авторы: Березин, Григорьев, Компанец, Меркулов, Попов
МПК: H05B 6/64
Метки: камера, нагрева, сверхвысокочастотного
...10, которыйчерез опорный подшипник 9 воздействует на шток б, соединенный с неподвижной осью кривошипа 3, через которую сообщается возвратно-поступательное движение подставке к в вер 30 тикальной плоскости. Одновременно1001515 формула изобретения 3штоку 6 передается вращательное движение от втулки 7 1 через шпоночное соединение ) и шестерни 8.Жесткое соединение штока 6 с кривошипом 3 и наличие кривошипов 4 и 5 обеспечивают поступательное .перемещение подставки в горизонтальной плоскости и одновременно возвратно- поступательное перемещение в вертикальной плоскости, при этом траектории движения всех точек объекта нагрева в горизонтальной плоскости представляют собой окружности одинакового радиуса, равного радиусу кривошипов,...
Поглощающая пластина для сверхвысокочастотных волноводных аттенюаторов
Номер патента: 1698921
Опубликовано: 15.12.1991
Авторы: Балдин, Наумец, Плахтий
МПК: H01P 1/22
Метки: аттенюаторов, волноводных, пластина, поглощающая, сверхвысокочастотных
...чертеже изображена поглощающаяггггастина для сверхвысокочастотных 10волноводных аттеиюаторов.Поглощагощая пластигга для сверхвысокочастотных волноводных аттенюаторов содержит диэлектрическую подложку 1 с нанесеггныыи на одну стороНу поглощающими участками 2 в видепериодической структуры. Каждыйпоглощающиг 1 участок 2 выполнен в виде трапеции, основания которой равнычетверти длины волны на верхней инижней границах рабочего диапазонадлин воли, соответственно, а ближайщие боковые стенки двух соседних трапеций параллельны и отстоят одча отдругой на расстояние 3, равное (3 - 25-5) , где 3 - толщина скин-слояраспространяющейся волны.Поглощающая пластина для сверхвысокочастотных волноводных аттенюаторов работает следующим образом,При...
Устройство нагрева вакуумной камеры термоядерной установки токамак
Номер патента: 919518
Опубликовано: 23.11.1984
Автор: Ляпичев
МПК: G21B 1/00
Метки: tokamak, вакуумной, камеры, нагрева, термоядерной, установки
...введен блок запрета,источники ступенчатого напряжения .блока программы выполнены в виде1 п-звенных тиристорно-пересчетныхсым (где в -число температурныхступеней процесса нагрева) с выходным резистором, включенным в общуюшину питания тиристоров, с регулировочньщи резисторами и импульсны.ми трансформаторами в анодах тиристоров, причем вторичные обмоткиимпульсных трансформаторов первогоисточника через элемент ИЛИ подключены к запрещающему входу блоказапрета, а вторичные обмотки импульсных трансформаторов второгоисточника через второй элемент ИЛИподключены к разрешающему входублока запрета, при этом управляюшиеэлектроды тиристоров первого источника подключены к добавочному выходу схемы совпадейия, а управляющие.электроды...
Камера для сверхвысокочастотного нагрева
Номер патента: 598275
Опубликовано: 15.03.1978
МПК: H05B 9/06
Метки: камера, нагрева, сверхвысокочастотного
...фиг, 1 представлена консткамеры для сверхвысокочастотного нагрева; на фиг. 2 - размещение окон связи в полу корпусаКамера для сверхвысокочастотного нагрева содержит корпус 1, в дне 2 которого расположены окна связи 3, и крышку 4 Дно 2 корпуса 1 выполнено с уклоном 1:10 - 1:20, и три окна связи 3 расположены поо дуге окружности, под равными углами 120Внутри корпуса 1 находится подставка 5 из материала с малыми диэлектрическими потерями. СВЧ-энергия поступает в камеру для сверхвысокочастотного нагрева по Фрем вопноводам. Отверстия вопноводов образуют окна связи 3, Каждый из вопноводов связан с соответствующими последовательно сое. диненными источником СВЧ-энергии и фазоврашателем, отрегулированным иа лучшее согласование источника...
Камера для термообработки диэлектриков
Номер патента: 455409
Опубликовано: 30.12.1974
Авторы: Арделян, Архангельский
МПК: H01P 1/26
Метки: диэлектриков, камера, термообработки
...а концами крепится к металлическим трубам, Металлические трубы закрепляются в согласующих элементах 5 волноводно-коаксиальных переходов, в состав которых, кроме того, входят отрезки волноводных линий 6, по которым СВЧ-энергия подается в коакснальную линию. Отрезки волноводных линий жестко соединены с наружным проводнпком коаксиальноп линии. Для удержания вкладыша 3 в рабочей части камеры предназначен стержень 7, который выполнен из непоглощающего диэлектрика и вставляется в отверстие в наружном и внутреннем проводнике коаксиальной линии. Раструб 8 служит для подачи вкладыша в камеру.Если нет необходимости запптывать камеру от двух источников СВЧ-энергии, то: ожно использовать только один источник, который подключается к камере :ерез...
Предыдущий патент: Ленточный нагреватель для электропечей
Следующий патент: Регулятор мощности дуговой сталеплавильной электропечи
Случайный патент: Пусковой клапан