Способ управления радиусом токового канала в плазме

Номер патента: 1755217

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Журавлев, Муркин, Платова, Решетов, Сотникова, Яббаров

МПК: G01R 29/14

Метки: визуализации, канала, разряда, скользящего, структуры, токового

...изображения и урощенной фазе с образованием высокопроводящего токового канала приводит к увеличению теплового воздействия на подложку до 1 Дж см и выше. Кроме возникающих на данном этапе эрозионных структур большую информацию о характере развития токового канала несут пузырьковые образования, которые в виде сплошной 35 40 точечной линии оконтуривают наружную границу просветленного эроэионного канала с быстрым снижением плотности пузырьков при удалении от области протекания тока и полным отсутствием их в остаточном 45 русле Анализ закономерностей изменения электрического поля в стримерной, лидерной и завершенной фазах разряда говорит о наличии механизма ослабления поля в канале стримера и выносе его на края токовых образований за счет...

Номер патента: 621278

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Антонов, Киселевский

МПК: H05H 1/00

Метки: плазме, слоя, токового

...разностьпотенциалов плазма - металл Ч с отрицательным потенциалом на металле.Если плотность плазмы Не н ее температура Т имеют отличный от нуля градиент вдоль поверхности, контактнаяразность потенциалов в разных участ-ках металлической поверхности окажется неодинаковой, что, в свою очередь, вызовет появление в пристеночном слое касательной составляющейэлектрического поля Е;. В результатев пристеночном слое образуется ":оковый слой с направлением; противоположным градиенту Т и Ее, а в метал278 Ъ 5 О 5 20 253645 ле - так, совпадающий с этим градиентом (см.фиг.1), Возникияе токи создают магнитные поля в плоскостях перпендикулярных току с нулевой линией вблизи поверхности металла,Возникший пристеночный ток является одним из эффективных...

Номер патента: 1336956

Опубликовано: 07.09.1987

Автор: Тихиро

МПК: G21B 1/00

Метки: z-пинча, генерирования, обращенным, плазмы, полем, типа, удержания

...магнитных осей25 7 и 8, и магнитные поверхности 9, охватывающие несколько эллиптических осей. Каналы 1 и стенки камеры симметричны относительно главной тороидальной оси 10 и средней плоскости 11 Большой радиус плазменного шнура30 может изменяться независимо от размеров сечения, поскольку плазма нечувствительна в данном случае к тороидальности, Характерная Форма сечения, целью которой является создание па раллельных токовых каналов 1 и гиперболической магнитной оси 3, образуется благодаря профилированной проводящей оболочки и распределенной обмотки (не показана).При генерации и удержании плазмы в вакуумной камере, заполненной га-. два семейства - охватывающие толькоодин токовый канал и охватываюшицесколько кацалов, В области этого...

Номер патента: 1376791

Опубликовано: 23.03.1990

Авторы: Гуляев, Левков, Ноткин, Степаненко, Щедров

МПК: G21B 1/00

Метки: газонапуска, плазму

...как эле 1мент системы автоматического регулиро"вания.Длительность отпирающего импульсаформируется в формирователе 4 припоступлении синхроимпульса началаразряда в плазме на вход 9 сигналасинхронизации, а значит, на первыйвход формирователя 4 и передаетсяв сумматор-ограничитель 5 с первоговыхода формирователя 4.на второй входсумматора-ограничителя 5, Длительность постоянного добавочного капряжения, формируется также в формирователе 4 при поступлении синхроимпульса40начала разряда на вход 9 сигналасинхронизации, а значит, на первыйвход формирователя 4.и синхроимпуль.са конца .разряда .на вход 10. сигналасинхронизации, азначит,на второйвход формирователя 4 и передается, вает напряжение с регулятора 3, недопуская появления...

Номер патента: 1465700

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Валиев, Галиуллина, Мухамедьярова

МПК: G01B 13/10

Метки: канала, капиллярного, радиуса

...- площадь зеркала в канале;дС - разница концентраций паровжидкости над жидкостью вокружающей среде;сГ - расстояние переноса паровлегкокипящей составляющейжидкости с поверхности вокружающую среду,При нахождении зеркала жидкостиу выхода из канала д .= г, тогда зависимость (1) может быть преобра;зована к видута= ПУ,г 4 С, (2)Затем плавно понижают давление ,окружающей среды, что согласно зависимости (1) увеличивает расход жидкости в отношенииР, - Р---- 1Р- Рггде Р - давление окружающей среды2,при вакуумировании.Одновременно растет и диффузияпаров жидкости,При выходе жидкости за пределыканала слой труднолетучего веществаразрушается, образуя каплю 8, по краям которого располагается труднолетучее вещество, испарение...