Формирователь модулированных импульсов

(19) 0 И 511Н 04 1 7/02 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ Э(46) 30. 1.85. Бюл. М (71) Московский институт электронной техники(56) Авторское свидетельство СССР У 1050118, кл. Н 03 К 19/094, Заявл. .13.07.82.Бопеш 8.1, ег а 1 Н 8 Ь вреед СаАв . дпге 8 гайей сгсигв . Ргос. 1 ЕЕЕ, 1982, чо 1. 70, В 1, р. 39, КЦ 5 а. (54)(57) ФОРМИРОВАТЕЛЬ МОДУЛИРОВАННЫХ ИМПУЛЬСОВ на полевых транзисторах с барьерным. переходом и каналом одного типа проводимости, содержащий первый полевой транзистор., затвор которого соединен с источником переключающих сигналов, а исток - с общей шиной, второй полевой транзистор, затвор и исток которого соединены с затвором третьего полевого транзистора, сток которого соединен с первым источником постоянного напряжения питания, четвертый полевойтранзистор, исток которого соединенс вторым источником постоянного напряжения питания, п последовательнои согласно вкпюченных диодов, анодпервого из диодов соединен с истоком третьего полевого транзистора,катод последнего из диодов соединенсо стоком четвертого полевого транзистора и с выходной цепью, о т л и -ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюрасширения функциональных возможностей и повышения быстродействия, стоквторого полевого транзистора соединенс первым источником модулирующих сигналов, затвор четвертого полевоготранзистора - с вторым источникоммодулирующих сигналов, сток первогополевого транзистора - с истокамтретьего полевого транзистора.1 11Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в измерительной технике, ядерной электронике, радиотехнике, связи.Цель изобретения - расширение функциональных возможностей и повышение быстродействия путем увеличения числа каналов модуляции и снижения их инерционности.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства.Формирователь модулированных импульсов содержит четыре полевых транзистора с барьерным переходом и каналом одного типа проводимости. Затвор первого полевого транзистора 1 соединен с источником 2 переключающих сигналов, а исток - с общей шиной 3, Затвор и исток второго полевоготранзистора 4 соединен с затвором третьего полевого транзистора 5, сток которого соединен с первым источником постоянного напряжения питания 6.Исток четвертого полевого транзистора 7 соединен с вторым источником 8 постоянного напряжения питания. Анод первого диода из группы П последовательно и согласно включенных диодов 9. соединен с истоком третьего полевого транзистора 5, катод последнего из диодов группы 9 соединен со стоком четвертого полевого транзистора.7 и с выходной цепью 10.Сток второго .полевого транзистора 4 соединен с первым источником 11 модулирующих сигналов, затвор четвер. того полевого транзистора 7 - с вторым источником 12 модулирующих сигналов, сток первого полевого транзистора 1 - с истоком третьего полевого транзистора 5.Устройство работает следующим образом.Если напряжение на затворе полевого транзистора 1 ниже порога его отпирания, то этот полевой транзистор закрыт и не оказывает заметного влияния на электрический режим формирователя. Полевой транзистор 4 открыт, поэтому модулирующие сигналы от источника 11 поступают на затвор полевого транзистора 5 почти без потерь. В этом состоянии полевые транзисторы 5 и 7 действуют как истоковый повторитель сигналов, формируе 95446 2мых источником 11 Таким образом,источник 11 модулирующих сигналовоказывает непосредственное влияниена выходные сигналы формирователя,Модулирующие сигналы источника12 инвертируются полевым транзистором 7 и поступают в выходную цепь10 формирователя. Вклад этих сигналов в выходное напряжение зависит10 от соотношения крутизны ВАХ полевого транзистора 7 и крутизны ВАХ полевого транзистора 5, которые удаетсяв определенных границах варьировать.При поступлении от источника.2переключающего сигнала напряжениязаметно превышающего порог отпирания полевого транзистора 1, этотполевой транзистор открывается.Максимальный ток стока полевого транзистора 1 превосходит сумму максимального тока истока полевого транзистора 5 и тока полевого транзистора 4, поэтому потенциал стока полевого транзистора 1 резко снижается.25 В этом состоянии сопротивление канала открытого полевого транзистора1 невелико, и модулирующие сигналыисточников 11 и 12 не оказываютзаметного влияния на выходное напряжение формирователя.Введение И последовательно и согласно включенных диодов 9 позволяет. сдвигать уровень выходного напряжения формирователя для оптимальногоэлектрического согласования с по 35следующими устройствами обработкиинформации,Модулирующие сигналы источников 11и 12 действуют (при выключенном поле-40вом транзисторе 1) по электрическинезависимым (или слабо связанным).каналам и поэтому оказывают на выходные сигналы формирователя строгоопределенное и эффективное воздейст 45вие. Наличие в формирователе двухмодулчрующих входов расширяет функциональные возможности устройства,так как позволяет складывать и вычитать модулирующие напряжения с различными весовыми коэффициентами.Модулирующие сигналы источников11 и 12 воздействуют на выходныесигналы формирователя по малоинерционным электрическим цепям, что обеспечивает высокое быстродействие55 устройства.