Мультивибратор

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК А бцф Н 03 К 3/284 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯН АВТОРСКОМУ С 8 ИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(56) Авторское свидетельство СССР262160, кл. Н 03 К 3/281, 1968.Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.: Энергия, 1977, с. 480 - 481.(54) (57) МУЛЬТИВИБРАТОР, содержащий два плеча, каждое из которых состо- . ит из двух транзисторов одного типа проводимости, первый из которых коллектором соединен с первой шиной источника питания, а эмиттером подключен к первой обкладке конденсатора и через первый резистор к второй шине источника питания и к эмиттеру второго транзистора, база первого транзистора подключена к коллектору второго транзистора и соединена с первой,ЯО 1190422 шиной источника питания через второй резистор, вторая обкладка конденсатора соединена через третий резистор с первой шиной источника питания, а непосредственно с базой второго транзистора противоположного плеча, отличающийся тем, что, с целью повышения скважности, нагрузочной способности, стабильности амплитуды генерируемых импульсов и упрощения за счет стабилизации выходного напряжения, в него введены источник опорного напряжения и два дополнительных транзистора другой структуры, например типа п - р - п, эмиттеры которых соединены с соответствующими коллекторами вторых транзисторов, коллекторы - с базами соответствующих вторых транзисторов противоположных плеч,а базы дополнительных транзисторов соели-З нены между собой и подключены к второй у шине источника питания через источник %фью опорного напряжения.1190472 Составитель А. Широков Редактор М. Бланар Техред И. Верес Корректор Л. Патай Заказ 7000/58 Тираж 871 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д, 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Изобретение относится к импульснойтехнике и может быть использовано, например, в измерительных преобразователяхактивного сопротивления, применяющихсяв аналого-цифровых преобразователях вычислительных машин.,Цель изобретения - повышение скважности,нагрузочной способности, стабильности амплитуды генерируемых импульсовмультивибратора и упрощение за счет стабилизации выходного напряжения,10На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого мультивибратора.Мультивибратор содержит первый 1и второй 2 транзисторы, например, типар - п - р, две времязадающих коллекторнобазовых КС-связи, первая - на резисторе 3 и конденсаторе 4, вторая в , на резисторе 5 и конденсаторе 6 встроенные эмтттерные повторители на транзисторах, например типа р - и - р 7 и 8, с выходами 9 и 10которых соединены конденсаторы 6 и 4соответственно, источник 11 опорного напряжения, дополнительные транзисторы 12и 13, эмиттеры которых связаны с коллекторами транзисторов 1 и 2 соответственно,коллекторы - с базами транзисторов 2 и 1противоположных плеч мультивибратора,а базы - с выходом источника 11 опорного,напряжения, резисторы 14 и 15, включенные в коллекторные цепи транзисторов 1и 2 соответственно.Мультивибратор работает следуюц 1 им образом.В момент включения источника питаниятранзистор 1 или 2 мультивибратора из-занеизбежной асимметрии схемы открывается,а другой транзистор 2 или 1 закрывается.35 Рассмотрим работу схемы с момента времени, когда открывается транзистор 1, а транзистор 2 закрывается. Конденсатор 4 быстро заряжается через малое выходное сопротивление эмиттерного повторителя 40 на транзисторе 8, стремясь зарядиться до напряжения питания. При этом насыщенное состояние транзистора 1 обеспечивается током резистора 3 и током заряда конденсатора 4. При достижении напряжения на коллекторе ключевого транзистора 2, приблизительно равного выходному напряжению источника опорного напряжения Ц смещается в прямом направлении эмиттерный переход дополнительного транзистора 13, и он переходит из режима отсечки в активный режим, тем самым ограничивая напряжение на коллекторе транзистора 2. Ток заряда конденсатора 4 становится равным нулю. Насыщенное состояние транзистора 1 поддерживается в основном током коллектора транзистора 13, значительно превышающим ток времязадающего резистора 3. Процесс восстановления напряжения на конденсаторе 4 прекращается.В течение этих процессов дополнительный транзистор 12 закрыт обратно-смещающим его эмиттерный переход напряжением источника опорного напряжения, транзистор 2 тоже закрыт обратно-смещающим его эмиттерный переход напряжением конденсатора 6.При достижении на базе транзистора 2 напряжения открывания, приоткрывается транзистор 2, в схеме возникает регенеративный процесс, заканчивающийся открь 1- ванием транзистора 2 и запиранием транзисторов 1 и 13. Транзистор 12 в течение этих процессов остается закрытым. Начинается процесс заряда конденсатора 6 до момента открытия транзистора 12, причем в силу того, что схема симметрична, процессы проходят аналогичным образом.Ограничение напряжения заряда время- задающих конденсаторов дополнительными транзисторами 12 и 13 способствует увеличению скважности и нагрузоч ной способности мультивибратора, а также повышает. стабильность генерируемых импульсов, причем максимальная стабильность выходных импульсов достигается при использовании основных и дополнительных транзисторов, изготовленных на основе одного и того же полупроводнйкового материала.