Импульсный таситрон

(5 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Гнидо,ные миио, 1 аллок иотехн во СССР 44, 198 ОСУДАРСТ 8 ЕННЦЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(54)(57) ИМПУЛЬСНЫЙ ТАСИТРОН, содержащий основной и дополнительный раз"рядные промежутки, образованные общим полым накальным катодом и расположенными с противоположных сторонот него двумя мелкоструктурными сетками и анодами, о т л и ч а ю щ и й -с я тем, что, с целью увеличения тока гашения, в основной разрядныйпромежуток между катодом и первойсеткой введена аналогичная ей дополнительная сетка, установленная на расстоянии от первои, равном длинесвободного пробега ионов.1188806 Изобретение относится к газораэ"рядной технике, а именно управляемым газоразрядным приборам-таситронам, предназначенным для коммутациисигналов в импульсных устройствах 5с различными накопителями энергии.Целью изобретения является увеличение тока гашения,В данном приборе первая сеткаосновного разрядного промежутка отделяется от плазмы катодно-сеточнойобласти второй сеткой. При токахв сотни ампер положительные ионы изкатодно-сеточной плазмы идут, в основном, на вторую сетку. На первую 15сетку попадают положительные ионы,прошедшие через вторую сетку благодаря диффузии. Их доля незначительна и они не вызывают повторное открывание прибора при токах в сотни ампер, что приводит к увеличению токагашения.Предлагаемая вторая сетка отличается от сетки тиратрона тетроднойконструкции по конструктивному выпол нению и достигаемому результату приее введении в прибор. Сетка тиратрона представляет собой экран с центральным отверстием диаметром примерно 10 мм, располагается между като- З 0дом и управляющей сеткой на минимально возможном расстоянии от нееи предназначена для уменьшения запаз,дывания развития разряда и увеличения его стабильности. В предлагаемом изобретении вторая сетка -35мелкоструктурная, и ее ведение увеличивает токи гашения до сотен ампер.На чертеже схематически представ 40лены предлагаемый прибор со схемойуправления,Прибор состоит иэ двух разрядныхпромежутков - основного 1 и дополнительного 2, образованных общим полым45накальным катодом 3 и расположеннымис противоположных сторон от негодвумя мелкоструктурными сетками 4и 5 и анодами 6 и 7. В основномразрядном промежутке 1 между като 50дом 3 и сеткой 4 расположена мелкоструктурная сетка 8 на расстоянииот сетки 4, равном длине свободногопробега ионов. ВИИИПИ Заказ 6750/54 Филнал ПОП "Патент", г. Схема управления прибором содержит источники 9, 1 О и 11 отрицательного напряжения, источники 12 и 13 напряжения анодов, генераторы 14,15 и 16 импульсов для запуска основного и дополнительного разрядных промежутков, емкостные накопители 17, 18 и сопротивление нагрузки 19.Прибор работает следующим образом.В исходном состоянии основной 1 и дополнительный 2 разрядные проме- жутки закрыты отрицательным напряжением смещения от источников 9,10 и 11, а на аноды 6 и 7 поданы напряжения от источников 12 и 13. Для развития разряда в основном разрядном промежутке 1 от генераторов 14 и 15 импульсов на сетки 4,8 подаются запускающие импульсы, По окончании запускающих импульсов на сетках 4, 8 подается запускающий импульс от генератора 16 импульсов на сетку 5. На аноде 7 напряжение уменьшается до напряжения поддержания разряда. Образовавшийся перепад напряжения передается через емкостный накопитель 17 на сетку 8 основного разрядного промежутка, Длительность этого отрицательного импульсного напряжения определяется длительностью запускающего импульса на сетке 5, Суммарное отрицательное напряжение смещения на сетке 8 значительно ниже напряжения на сетке 4. В промежутке между ними возникает электрическое поле, под действием которого происходит распад плазмы. Причем ионы иэ этого промежутка уходят на обе сетки. Время распада плазмы при этом составляет единицы микросекунд. После распада плазмы в промежутке между сетками 4 и 8 ионы из катодносеточной плазмы идут на сетку 8, Прибор по сетке 4 надежно закрыт отрицательным напряжением от источника 9, При этом длительность отрицательного импульсного напряжения, прикладываемого к сетке 8, равная длительности запускающего импульса на сетке 5, может не превышать время распада плазмы в промежутке между сетками 4 и 8 и составлять единицы микросекунд при токе гашения в сотни амперТираж 678 Подписное Ужгород, ул.Проектная,4