Способ изготовления датчика влажности

Номер патента: 1188615

Авторы: Байрамов, Гафаров, Джафаров, Фаривер

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 51)4 С 01 М 27/О РЕТЕНИЯ ЕЛЬСТ ИЯ ДАТЧИКА том,жку на о с м ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ССС ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЬ ПИСАНИЕ ВТОРСИОМУ СВ(71) Ордена Трудового КрасногоЗнамени институт физики АН АЗССР(56) Авторское свидетельство СССРУ 541137, кл, С 01 Ч 1/11, 1976.Патент Великобритании 9 1482584кл. С 01 Б 27/12, 1977.(54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНВЛАЖНОСТИ, заключающийся вчто на изолированную подло носят пленочный электрод, на повер ности которого размещают полупроводниковую пленку, поверх этойпленки наносят проницаемый для анализируемой среды второй электрод,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью повьппения чувствительностии селективности датчика, полупроводниковую пленку изготавливают ввиде напыленного слоя АзЯ, второйэлектрод изготавливают напылениемСи, после чего полученную структурублучают белым светом до достижениятабильного во времени сопротивлениежду электродамиСоставитель В,ЕкаевРедактор Н.Горват Техред М.Гергель Корректор Т.Колб Заказ 6737/45 Тираж 896 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4. Изобретение относится к гигрометрии, а именно к электрическим датчикам, служащим для измерения влажности различных газов.Целью изобретения является повышение чувствительности и селективности датчика.Способ изготовления датчика влажности заключается в том, что на изолирующую подложку наносят пленочный электрод, на поверхности которого размещают полупроводниковую пленку, поверх этой пленки наносят проницаемый для анализируемой среды второй электрод. Полупроводниковую пленку изготавливают в виде напыленного слоя Аз Б , второй электрод изготавливают напылением Сц, после чего полученную структуру облучают белым светом до достижения стабильного во времени сопротивления между электродами.На чертеже схематически представлен датчик влажности, разрез.Датчик содержит непроводящую подложку 1, на которой вакуумным напылением в виде пленки нанесен слой металла, представляющий собой нижний электрод 2. На этот электрод напылена пленка халькогенидного аморфного полупроводника Аз Бз 3. ,На этой пленке вакуумным напылением иэ меди нанесен верхний металличес 88615 2кий электрод 4, который являетсяпроницаемым для паров воды, содержащихся в воздухе. Эта влагопроницаемость достигается тем, что ввиду с малой толщины верхнего электрода( д 50 1) он осаждается на пленкуиз Аз Яв виде рыхлого слоя, содержащего многочисленные сквозныепоры.10 Для создания электродов используются такие металлы как А 1, Ая,Сп, 1 п. Наиболее подходящим материалом для электродов, обеспечивающих высокую чувствительность и ц стабильность, является медь, так какпленка алюминия быстро разрушаласьпод действием паров воды и электрического поля, серебро значительнодиффундирует под действием светав Аз 8, а на индиевых электродахтрудно получить пленку с достаточнымколичеством сквозных пор. После создания датчика его подвергали действию белого света мощЯностью 30 МВт/см для проведения фотоформовки, что привело к стабилизации и увеличению чувствительности датчика. По истечении 10 мин электрические характеристики датчика стабилизировались и дальнейшее воздействие света не приводило к их изменению.

Смотреть

Заявка

3744666, 24.05.1984

ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ АН АЗССР

ДЖАФАРОВ ТАЯР ДЖУМШУД ОГЛЫ, ФАРИВЕР ЮСИФ ГУРМУС ОГЛЫ, БАЙРАМОВ АЯЗ ИДАЯТ ОГЛЫ, ГАФАРОВ САБИР ФАРЗАЛИ ОГЛЫ

МПК / Метки

МПК: G01N 27/02

Метки: влажности, датчика

Опубликовано: 30.10.1985

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1188615-sposob-izgotovleniya-datchika-vlazhnosti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления датчика влажности</a>

Похожие патенты