Способ дистанционного измерения атмосферных параметров

Номер патента: 564547

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Амромин, Воронков, Диконский, Молдованов, Чернецкий

МПК: G01K 13/00, G01K 7/32

Метки: аппаратов, дистанционного, переменным, полем, температуры, электрических, электромагнитным

...этого в устройстве для дистанционного контроля температуры электрических аппаратов с переменным электромагнитным полем, например высоковольтных трансФорййторов, содержащее датчик температуры, подключенный к источнику питания, источник питания выполнен в виде двух метал" лизированных лент с диэлектрической прослойкой между ними, устанавливаемых в электромагнитное поле элек- трических аппаратов, причем указанный датчик температуры подключен между началом одной и концом другой металлизированных лент.На чертеже схемаТически изображено устройство для дистанционного кон- троля электрических аппаратов, сос- тоящее из источника 1 питания, датчика 2 температуры и приемника 3. Датчик температуры включается непосредственно между началом одной из...

Номер патента: 333977

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Козлов, Чел, Шмигель, Электрификации

МПК: B03C 9/00

Метки: высокой, напряженности, поля, разделения, семян, создания, установках, электростатического

...зазоре межэлек тродное,расстояние возрастает, что приводитк увеличению габаритов устройства. Кроме того, так как в стационарном процессе перераспределение напряженностей поля происходит обратно пропорционально проводимостям 15 слоев, а не диэлектрическим проницаемостям,для получения высоких напряженностей поля в воздушном зазоре очень трудно подобрать диэлектрический материал, Цель изобретения - увеличить напряженность поля в рабо чем пространстве системы при стационарнамрежиме работы и расширить технологические возможности применения электростатического поля, Это достигается тем, что электрод, к которому подводят потенциал от высоковольтной выпрямительной установки, выполняют из диэлектрика, например, гетинакса, оргстекла, текстолита....

Номер патента: 524331

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Рабодзей, Румянцев

МПК: H04N 5/32

Метки: двумерного, излучения, интенсивностей, корпускулярного, направленного, потока, распределения, сигналах, электрических, электромагнитного

...оск преобраэо(.звателя равна 1,5 (ц, причемна расстоякииГ 14 от передней по ходу пучка кромкиЭелекъродоа,.они изогнуты под углом 45 О.Размер мишеней вдоль(оси преобразователяЕ +б, гЫ Е - дпкн рвс рав том же направлении.Предлагаемый преобразователь работает (1 Еследующим образом.Электрончый пучок, сформированный источником элевцмиюв 1 и фокусирующейзой 2,1 проходит первый электрод пролетногопростраиства 3 и, выйдя иэ него со око- фИ)СГЫЭ Проакорпноиапькой ЮО ( 0 ф -ПОтенцаал аиоца прожектс эа), проходит между от,клоняющимч .пластинами4 которые развертывают его ь направлении, перпендику-лярном оси преобразователя. К отэ.лоняющию ййпластчнам 4 приложено парафазкое пило 6-разное по времени напряжение Кп +ЬС.;ЙЬния)Пройм,лвторой...

Номер патента: 743507

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Плотников, Попов, Толоконников, Шубин

МПК: H01L 31/04

Метки: излучения, сигнал, электрических, электромагнитного

...центров захвата темновымиинжекционными токами, на границеполупроводниковых слоев образованызапорные контакты для носителей тока обоих знаков, что достигается,например, очищением широкозонногослоя от легирующих примесей или ихкомпенсацией.Толщина слоя широкозонного полупроводника должна быть не более5 мкм для получения эффективной модуляции приповерхностной областиузкозонного полупроводника, необходимой для последующего преобразования потенциального рельефа в электрический сигнал,На чертеже показана зонная диаграмма.Полупрозрачный контакт 1 выполнен к широкозонному полупроводнику2, а к узкозонному полупроводнику 3осуществлен омический контакт 4.При попадании на гетеропереходсо стороны полупрозрачного контактарегистрируемого излучения с...

Номер патента: 1161911

Опубликовано: 15.06.1985

Авторы: Каскевич, Немировский

МПК: G01R 29/08

Метки: вращающегося, напряженности, поля, электрического

...направления оси,перпендикулярной данной плоскости,На фиг.За показана проекция эллипсана плоскость 0 У . Здесь же показаноположение пары датчиков из трехкомпонентных датчиков, расположенныхв этой плоскости. При измерении фиксируют два момента (11 и 1 ), в которые мгновенные значения модуля вэтой плоскости (фиг,Зб) равны сигналам Еи Е ц -компонент на выходах датчика (фиг, Зв, д), и формируют в эти моменты импульсы(фиг.Зг, е). Затем измеряют разностьзафиксированных моментов, формируяимпульс длительностью Ь 1 (фиг.Зж).Аналогично формируется импульсдлительностью 61 при вращении поиля в противоположном направлении,Согласно данному способу измерения при любой эллиптичности поляризации и произвольном углевыполняются равенствад 1...