Способ формирования скрытого изображения на фотографическом носителе

СОЮЗ СОВЕТСКИХОВОЧЮВаеСНипРЕСПУБЛИК 350 С 03 С 17 03 С 5 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТЗФ ф. Л:ф,фее,я г,73 "фоКф;,) 3 ф 4 ММЩ 1(71) Тульский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт(56) 1. Авторское свидетельство СССРВ 189304, кл. С 03 С 5/00, 1980.(54) (57) 1. СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯСКРЫТОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ФОТОГРАФИЧЕСКОМ НОСИТЕЛЕ, включающий его экспонирование и воздействие на негоэлектрическим полем, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью упрощеОПИСАНИЕ И 801128217 ния способа путем осуществления возможности временного разделения операций экспонирования и воздействия полем, проэкспонированный носитель равномерно засвечивают в спект. ральном диапазоне поглощения света на ловушках электронов в полупроводнике с одновременным воздействием на него электрическим полем, вызывающим лавинное размножение электроноввысвобожденных с ловушек засветкой.2. Способ по п. 1 о т л и ч аю щ и й с я тем, что экспозиционная доза равномерной засветки составляет не менее 10Дж/см.20 1 112821Изобретение относится к фотографии и может 6 ыть использовано для повышения чувствительности фотографических материалов.Известен способ формирования5 скрытого изображения на фотографическом носителевключающий его экспонирование и воздействие на него электрическим полем 1 .Недостатком известного способа является сложность процесса.Цель изобретения в . упрощение способа путем осуществления возможности временного разделения операций экспонирования и воздействия полем.Для достижения поставленной цели согласно способу формирования скрытого изображения на фотографическом носителе, включающему его экспонирование и воздействие на него электрическим полем, проэкспонированный носитель равномерно засвечивают в спектральном диапазоне поглощения света на ловушках элект- дОВОВ В.полупроводнике с одновре 5 менным воздействием на него электрическим полем, вызывающим лавинное размножение электронов, высвобожденных с ловушек засветкой.Причем экспозиционная доза равномерной засветки составляет не менее30 10- Дж/см,Способ осуществляется следующим образом.фотографический носитель после экспонирования актиничным освещением 35 подвергают последующей в лабораторных условиях неактиничной засветке с одновременным приложением импульсного электрического поля. Механизм действия электрического по ля сводится к следующему. При кратковременных экспозициях фотографического носителя актиничным излучениемпроисходит образование мелкодисперсного серебра внутри микро кристаллов, которое не может вызвать их проявления. Под действием длинноволнового - неактиничного света электроны с этих частиц серебра переводятся в зону проводимос ти микрокристалла - полупроводника. Неактиничная засветка не приводит сама по себе к увеличению оптической плотности проявленного изображения.Для различных фотографических 55 материалов, в соответствии с их спектральной чувствительностью, несколько различна и спектральная 7 2граница неактиничной засветки, однако для всех современных фотографических материалов излучение сэнергией менее 1,2 эВ является неактиннчным. Нижняя граница энергииквантов неактиничного излучениядолжна составлять не менее 0,77 эВ,что связано с глубиной ловушек,из которых происходит освобождениеэлектронов в микрокристаллах. Экспозиционная доза неактиничного излучения должна составлять не менее10 Дж/см . Приложение в моментнеактнничной засветки. импульса электрического поля приводит к лавинообразованию. Вследствие этого мелкие частицы серебра вырастают иприводят к последующему проявлениюнедоэкспонированныхмикрокристаллов.Таким образом, отпадает необходимость в использовании аппаратуры,осуществляющей приложение электрического поля непосредственно в момент экспонирования, поскольку неактиничное освещение и приложениеэлектрического поля можно осуществлять после экспонирования уже в лабораторных условиях.Напряженность электрического поля в фотографическом носителе должна составлять 1-3 МВ/см. Нижняя граница напряженности обусловлена необходимостью начала процесса размножения электронов, а верхняя - свя.зана с вуалирующим действием электрического поля, возникающим в результате срыва электронов с различных дефектных мест на поверхностимикрокристаллов.П р и м е р . Пленку РМэкспонируют световой вспышкой длительностью 100 нс. После этого в лабораторных условиях засвечивают неактиничным светом через фильтр КС с одновременным приложением электрического поля. Экспозиционная доза неактиничного излучения состав-ляла 8 10 Дж/см-. Чувствитель-ность пленки РМповышалась в 9,0;8,6; 8,4 раза соответственно длянапряженности поля 3,0 2,0,1,0 МВ/см. Изменение длительностиимпульса электрического поля от0,1 до 1,0 мкс не изменяло величиныэффекта.При использовании предлагаемогоспособа отпадает необходимость вэксплуатации транспортных средств дляперевозки высоковольтных генераторов,