Способ записи изображения на пластический носитель

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКРЕСПУБЛИК 1018 О 9 Б 42; Ся 02 Г 1101 г 51 6 1 ОСУДАРСТВЕННЫИ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ25 И. Спекто Фельдбуш электронного маирский государередача и обфическими ме, с. 157 - 160.СССР 1972.ИЗОБРАЖЕНОСИТЕЛЬ,Ж ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(71) Московский институтшиностроения и Нов оси бственный университет(54) (57) СПОСОБ ЗАПИСИНИЯ НА ПЛАСТИЧЕСКИИ включающий формирование на поверхности фотополупроводникового слоя зарядового рельефа, соответствующего распределению яркости в изображении, и преобразование его в геометрический рельеф пластического носителя, отличавщиигя тем, что, с целью получения геометрического рельефа на пластическом носителе без его термической обработки при одновременной регистрации на носитель изображения, преобразованного по сравнению с искодным, зарядовый рельеф формируют на фотополупроводниковом слое, выполненном из среза пьезоэлектрического кристалла, а преобразование зарядового рельефа в геометрический осугцествляют сжатием фотополупроводникового и термопластического слоев.110 89) Составитель Н. НазнроваТекред И. Верее Корректор с). Б 1 лакТираж 575 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и о) крытий113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патент, г Ужгород, ул. Проектная, 4 Редактор В. ПетрашЗаказ 4685/36 Изобзете ние ОтнОсит(5 и и ;1 11 )Огис 1 рации изображения на бессер, я;1 ый пситель, в частности к терм 1., гическйзаписи, для пространственной мдуляцписвета, и может быть использоваш) в кино-,фототехцике, оптической обрабтке информации.Известен бесконечный способ записи избражсний на термопластик в виде геометрического рельефа, согласно которому на тонком аморфном фотополупроводниковом слое, 10покрывающем термопластик, путем проекции изображения и внешнего электрическо).Ополя формируют зарядовый рельеф, соответствуюций распределению яркости изображеш)Й, кторыЙ при нагревании те 1)Опластика, за счет электростатических сил,преобразуется в геометрический рельеф 11.Недостатком способа является необходимость покрытий всей площади термопластика фоточувствительным слоем, что существенно усложняет технологию изготовлеция регистрирующей среды и удорожаетее производство, а та кже необходи мостьпроведения цикла термообработки, что уменьп)ает дост 51 ж 51 мую скорость покадровой записи,Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ за.писи избражения на пластический носитель, включающий формирование зарядового рел 1 ефа, соответственно распределеникзяркости в изображении на поверхности фотополупроводникового слоя, и преобразованиеего в геометрический рельеф пластическогоносителя. Перенос зарядового рельефа натермопластик осуществляют за счет кратковременного контакта фотополупроводникового элемента и термопластика. Для записипоследующего кадра термопластическийноситель перемещают относительно фотополупроводникового элемента в новое положение 121. Недостатком указанного устройства яв 40 ляется необходимость термообработки носителя для получения геометрического рельефа и низкая скорость покадровой записи. Кроме того, изотропность свойств аморфного фотополупроводникового элемента не позволяет получить в процессе регистрации изображение, преобразованное относительно исходного, например контур изображения или изображение, продифференцированное по какой-либо координате.Цель изобретения - получение геометрического рельефа на пластическом носителе без его термической обработки при одновременной регистрации на носитель изображения, и ре 1)б)раз)вани) г 11)е,1 с.,с .и ы и оразом по сравнению с исходным.Постав енцая пель достиается тем.:и, согласно спосооу записи изображения н,: пластический носитель, включаюшеы формирование на поверхности фотополупровдникового слоя зарядового рельефа, соответствующего распределению яркости в изображении, и преобразование его в геометри.ческий рельеф пластического носителя, зарядовый рельеф формируют на фотополупроводниковом слое, выполненном из среза пьезоэлектрического крисалла (например, В 1 Я 1 Оао ), а пРеобРазование заРЯдового рельефа в геометрический осуществляют сжатием фотополупроводникового и термопластического слоев.Направление среза слоя кристалла задает вид преобразования зарядового рельефа в геометрический, что позволяет при записи трансформировать исходное изображение по наперед известному закону.На чертеже показана схема реализацииспособа.Фотполупроводниковый элемент 1, состоящий из среза (100) монокристалла 2 В 1 а 5 Ого толщиной 1 мм, наклеенного оптическим клеем 3 на стеклянную подложку 41 с предварительно напыленным прозрачным электродом 5 (,)па О) и изолирующим слоем 6 (МдГа ), поджимают с помощью пьезокерамической подвижки 7 с усилием 1 О гс к поверхности слоя термопластика 8 толщиной 10 мкм, нанесенного на лавсановую ленту 9 толщиной 50 мкм. Между электродами 5 и 10 создают разность потенциалов 2000 В с помощь)о источника 11 напряжения. На кристалл 2 проецируют изображение объекта 12 излучением длиной волны 0,44 нм.При этом поверхность кристалла приобретает за счет пьезоэффекта микродеформации, соответствующие распределению заряда на границе раздела с термопластиком, благодаря чему деформируется и термопласти к.После экспозиции напряжение выключают и фоточувствительный элемент отводят подвижкой 7.Таким образом, предлагаемый способ записи изображений на пластический носитель позволяет увеличить скорость покадровой записи, а также исключить цикл термоооработки носителя. Кроме того, выбор среза фоточувствительного пьезоэлектрического кристалла обеспечивает трансформацик) записываемого изображения по известному закону, что позволяет, например, записывать контур изображения либо его пространственную производную.