Способ обработки внутриклеточных стеклянных микроэлектродов

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК В 5/05 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ СВИДЕТЕЛЬСТ ВТОРСКО(72) В. В. Дергачев, А. Г.и И. С. Киселева кин Ленина госутитут 71) 2-й Московский орден арственный медицинский и м. Н. И. Пирогова 53) 615.475 (088.8)(56) 1. .едегег чч. ., Яр 1 пд Евпег О. А., ТЫс 1 51 цггу Ве ТесЬпЧце ог Вече 11 пд Ех 1 ге гое есгодев апд М сгор 1 реИ гев Агсй, 1979, 381,32. Вгочоп К. Т., Нагппд сце 1 ог Ргес 1 яоп ВечеП 1 пд агре М 1 сгор 1 реттев. - Т. Х 1979, 1,1, р. 25 - 34. ег А. Т., че 111 пд. А деж теч Бпе М 1 сев, - Р 1 цдер. 287 - 288. Р б Тесп- о Йе 1 абче 1 у ецговс Ме 1 Ьэ,СУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(54) (57) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ВНУТРИ- КЛЕТОЧНЫХ СТЕКЛЯННЫХ МИКРО- ЭЛЕКТРОДОВ, включающий заточку их колющей части на абразиве с алмазной пылью и очистку канала микроэлектродов от пыли, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления диаметра канала микроэлектродов, последние затачивают на кварцевом монокристалле с зернистостью 0,3 - 0,5 мкм, при этом в процессе обработки на микроэлектроды подают прямоугольные электрические импульсы с периодом в 2 - 3 с и заточку на кварцевом монокристалле ведут до электрического сопротивления микроэлектродов 2 - 6 мОм, а шлифовку на абразиве с алмазной пылью с зернистостью до 0,05 мкм до электрического сопротивления микроэлектродов в 1,0 - Я 1,2 вПв, привет; всю обработку ведут в сРи. зиологическом растворе.Изобретение относится к медицинской технике, а именно к способам обработки внутриклеточных стеклянных микроэлектродов.Известен способ обработки внутриклеточных стеклянных микроэлектродов, заключающийся в заточке их колющей части с помощью абразива с зернистостью 0,05 мкм, представляющего собой осевшую глину, смешанную с 20% порошка окиси алюминия, находящуюся в 3 М растворе КС 11.Данный способ не позволяет строго задавать углы скоса колющей части, в связи с чем значительно ухудшается прокалывающая способность микроэлектродов. Их электрическое сопротивление лежит в широком диапазоне, что вносит значительную погрешность в получаемые при использовании данных микроэлектродов на практике измерения. Кроме того, затачивающая поверхность применяемого абразива засоряет отверстие сквозного продольного канала, расположенное в плоскости колющей части микроэлектрода, что делает его непригодным к работе, Известный способ обработки микроэлектродов в целом является длительным.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ обра ботки внутриклеточных стеклянных микро- электродов, включающий заточку их колющей части на абразиве с алмазной пылью и очистку канала микроэлектродов от пыли. При этом очистку канала производят подачей в него постоянного давления 121.Указачный способ не позволяет получить обшлифованную (гладкую) поверхность колющей части, в связи с чем ухудшается прокалывающая способность микроэлектродов. Их электрическое сопротивление лежит в широком диапазоне, что вносит значительную погрешность в получаемые при использовании данных микроэлектродов на практике измерения. Кроме того, значительную сложность представляет подача в сквозной продольный канал микро- электродов постоянного давления. Для этого нужна дополнительная аппаратура, а также устройства стыковки этой аппаратуры с микроэлектродами. Этот способ приводит к частому облому колющей части,вызванному подачеи постоянного давления и сложностью в подборе его оптимальных значений.Цель изобретения - повышение точно сти изготовления диаметра канала микро- электродов. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу обработки внутриклеточных стеклянных микроэлектродов, включающему заточку их колющей части на абразиве с алмазной пылью и очистку канала микроэлектродов от пыли, последние затачивают на кварцевом монокристалле с зернистостью 0,3 - 0,5 мкм, при этом в процессе обработки на микроэлетроды подают прямоугольные электрические импульсы с периодом в 2 - 3 с и заточку на кварцевом монокристалле ведут до электрического сопротивления микроэлектродов 2 - 6 мОм, а шлифовку на абразиве с алмазной пылью с зернистостью до 0,05 мкм до электрического сопротивления микроэлектродов в 1,0 - 1,2 мОм, причем всю обработку вел т в физиологическом растворе.Способ осуществляют следующим образом.Заточка микроэлектродов на кварце вом монокристалле с зернистостью 0,3 - 0,5 мкм в физиологическим растворе обеспечивает получение необходимой формы ко лющей части микроэлектродов, при этом поверхность плоскости скашиваемой части имеет более сглаженную зернистость, чем при заточке на абразиве с алмазной пылью с зернистостью 0 - 0,25 мкм, которая режет затачиваемую поверхность. Применение кварцевого монокристалла вместо алмазной пыли с зернистостью 00,25 мкм дешевле Подача электрических импульсов с периодом 2 - 3 с осушествляет пробой микро- электродов, т. е. устранение засорения отверстия сквозного продольного канала, расположенного в плоскости затачиваемой колющей части микроэлектродов. Это позволяет с высокой степенью точности в межимпульсном интервале измерять электрическое сопротивление микроэлектродов и вести заточку до получения последних с электрическим сопротивлением, лежащим в диапазоне 2 - 6 мОм и шлифовку до получения микроэлектродов с электрическим сопротивлением, лежащим в диапазоне 1 - 1,2 мОм. Шлифовка микроэлектродов на абразиве с зернистостью до 0,05 мкм в физиологическом растворе обеспечивает получение отшлифованной поверхности плоскости скашиваемой части, что улучшает их прокалываюгцую способность и сужает диапазон значений электрического сопротивления.Подача на микроэлетктроды электрических импульсов амплитудой 50 - 100 В и длительностью 0,2 - 0,5 с во всех случаях осуществляет пробой микроэлектродов, устраняя засорение в процессе обработки отверстия сквозного продольного канала.Проведение всех этапов обработки микро- электродов в физиологическом растворе позволяет проводить измерение электрического сопротивления микроэлектродов на каждом этапе обработки.