Усилитель мощности

(19) (11) 3 2 1) К ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ втрно УДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЦТ ОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(72) В.К. Плотников, Ж,В, Самарин, А,А, Григорьев к А,Л, Вкйоградов (71) Всесовзный ордена Трудового Красного Знамени научно-. исследовательский проектно-конструкторский и, технологический институт релестро ения(54) (57) ДВУХТАКТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ, содержащий в каждом плече выходной транзкстор, включенный по схеме с общим змиттером, дополнительный транзистор, змиттер к коллекторкоторого соответственно соединеныс змиттером к базой выходного транзистора,и входной транзистор, базакоторого является входом двухтактного усилителя мощности, а коллекторчерез резистор соединен с базой дополнительного транзистора другогоплеча, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повьыения надежности,каждом плече змиттервходногоаФэистора соединен с базой выходго транзкстора,1069131 ВНИИПИ Заказ 11489/54 Тираж Збб ПодписноеФилиал ППП Патент, г. ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в усилителях электрических сигналов различных электронных устройств.Известен усилитель мощности,содержащий мостовой оконечный каскад на четырех комплектарных транзисторах, включенных по схеме с общим эмиттером, причем коллекторытранзисторов смежных плеч мостовогооконечного каскада соединены между 10собой через два последовательно соединенных в .прямом направлении диода,общие выводы которых подключены кнагрузке, к четыре управляющих транзистора, каждый из которых коллектор но-эмиттерным переходом подключенпараллельно эмиттерному переходусвоего транзистора мостового оконечного каскада, а базой через резкстор - к коллектору транзисторасмежного плеча мостового оконечного каскада П.Недостаток этого усилителя - невысокий КПД, обусловленный потереймощности не развязывающих диодах,включенных в коллекторные цепи транзисторов мостового оконечного. каскада.Наиболее близким по техническойсущности к изобретению являетсядвухтактный усилитель мощности, содержащий в каждом плече выходнойтранзистор, включенный по схеме собщнм эмиттером, дополнительныйтранзистор, эмиттер и коллектор которого соответственносоединены сэмиттером и базой выходного транзистора и входной транзистор, база которого является входом двухтактногоусилителя мощности, а коллектор через резистор соединен с базой дополнительного транзистора другого 40плеча 123.Недостатком известного двухтактного усилителя мощности является низкая надежность.Цель изобретения - повышение надежности.,Цель достигается тем, что в двухтактный усилитель мощности, содержа-.щий в каждом плече выходной транзистор, включенный по схеме с общимэмкттером, дополнительный транзистор,эмкттер и коллектор которого соответ.ственно соединены с эмиттером и базой выходного транзистора, и вход"ной транзистор, база которого является входом двухтактного усилителя55мощности, аколлектор через резистор соединен с базой дополнительного транзистора другого плеча, в каждом плече змиттер входного транзистора соединен с базой выходноготранзистора. На чертеже представлена принципиальная электрическая схема двухтактного усилителя мощности,Двухтактный усилитель мощностисодержит выходные транзисторы 1 и 2,дополнительные транзисторы 3 и 4,входные транзисторы 5 и б, резисторы 7 и 8 и нагрузку 9.Двухтактный усилитель мощностиработает следующим образом,Пусть, например, входной (открывающий) ток подведен к базе транзис.тора б, Во входных цепях транзисторов 5 и 1 входные токи отсутствуют,При этом через насыщенный транзистор 2 оконечного каскада протекаетток нагрузки 9, а через настенныйтранзистор б и подключенный к егоколлектору резистор 7 - базовый токтранзистора 3, открывающий этот транзистор, который своим коллекторноэмнттерным переходом шунтирует .эмМттерный переход.При снятии входного тока происходит процесс рассасывания избыточныхносителей в транзисторах б и 2. Поскольку транзистор б насыщен в большей степени, чем транзистор 3, припрактически равных токах управленияколлекторный ток транзистора б является базовым током транзистора 3,который значительно меньше коллекторного тока транзистора 2. Процессрассасывания избыточных носителей втранзисторе б продолжается дольше,чем в транзисторе 2. Более длительный процесс рассасывания избыточныхносителей в транзисторе б приводит кболее позднему, по сравнению с транзисторамн 2, закрытию транзистора 3,расшунтирующего эмиттерный переходтранзистора 1. Расшунтирование змиттерного перехода транзистора 1 происходят только после окончания рассасывания избыточных носителей в транзисторе 2. Таким образом, исключаются.сквозные токи и повышается надежностьдвухтактного усилителя мощности приснижении мощности потерь не менее,чем в 1,5 раза,Предложенный двухтактный усилитель мощности может быть использован в плечах мостового усилителя.