Обостритель импульсов

(21) (22) Б.И 53) 56) 18 ство ССС1966.А. ВакуТрудыпо газое разряд умны 1-ой разр ники)ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ 34 57864/18-211806.8215.01.84, Бюл. 9 2В,П,Селезнев; В.Б.ЛебедевСтепанов621.373(088.8)1. Авторское свидетель6033 кл, Н 03 К 4/00,Бугаев С.П., Месяц Г.е искровые обострителиВсесоюзной конференцииядным приборам. ИскровыРязань, 1966, с.12.(57) ОБОСТРИТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ, сожащий оболочку, положительный инцательный электроды и размещенную в межэлектродном промежутке диэлектрическую вставку, прилеганзцую к электродам, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью уменьшения вРемени коммутации и нестабильности в воздушной среде при атмосферном давлении, диэлектрическая вставка выполнена составной из двух прокладок с отношением диэлектрических проницаемостей 80 - 300, причем прокладка с большей диэлектрической проницаемостью прилегает к отрицательному электроду.Я1067593 Составитель .В.КазаковРедактор М.Дылын ТехредМ,Тепер Корректор А.ПовхаеаюаюпаапававВВЗаказ 11228/57 ТДраж 868 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва; Ж 35, Раушская наб., д.4/5 Филиал ППП фПатент,Изобретение относится к устройствам высоковольтной импульсной техники и может быть использовано в генераторах высоковольтных наносекундных импульсов.Известен обостритель импульсов с использованием разряда но поверхности диэлектрика в среде вакуума и газа Г.11.Недостатками этого обострителя напряжения являются невысокэе быстродействие и низкая стабильность.Наиболее, близким техническим решением к изобретению является обостритель импульсов, содержащий обо,лочку, положительный и отрицательный 15 электроды и размещенную в межэлектродном промежутке диэлектрическую вставку, прилегающую к упомянутым электродам С 23.Недостатками известного обостри О теля напряжения являются невозмож- ность получения наносекундного време ни коммутации и низкая стабильность при атмосферном давлении, Это объясняется тем, что при малой длине 25 разрядного промежутка задержка сра" батывания мала, поэтому обостряется только часть фронта исходного импуль са и фронт выходного импульса получается довольно большим. При увеличе-. нии разрядного .промежутка задержка срабатывания увеличивается, но при этом растет индуктивность искрового канала, так что фронт выходного импульса либо не сокращается, либо при больших разрядных промежутках увеличивается, а амплитуда выходного импульса снижаетсяиз-за увеличения Фадения напряжения на длинной искре.В силу указанных условий в обостри- теле напряжений известной конструкции 40 в отсутствии вакуума не может быть получено время коммутации ниже 5;10 с. В отсутствии вакуума величина пере - гнапряжения на разрядном промежутке недостаточна для обеспечения высокой 45 стабильности задержки срабатывания.Цель изобретения - уменьшение времени коммутации и нестабильности при работе в воздушной среде при атмосферном давлении. 50Поставленная цель достигается тем, что в обострителе импульсов напряжения, содержащем оболочку, положительный иотрицательный электроды и размещенную в межэлектродном промежутке диэлектрическую вставку, прилегающую к электродам, диэлектрическая вставка выполнена составной из двух прокладок с отношением диэлектрических проницаемостей 80 - 300, причем прокладка с большей диэлектрической проницаемостью прилегает к отрицательному электроду.На чертеже представлено устройство обострителя напряжения.Обостритель напряжения выполнен в виде симметричной полосковой линии. Электроды 1 и 2 выполняют роль среднего проводника. Отрицательный электрод 1 касается изолирующей прокладки 3 с большей диэлектрической проницаемостью, например из титаната бария (Е 1400) . Положительный электрод 2 расположен на изолирукщей прокладке 4 с малой диэлектрической проницаемостью (б 5 - 10), например из слюды или керамики. Зазор между изолирующей прокладкой 4 и острием электрода 1 по поверхности прокладки 3 равен 25-100 мкм. Толщина изолирую щей прокладки 4 равна 200-400 .мкм. В обострителе напряжения исполь" зуется скользящий разряд по поверхности диэлектрика. Разряд возникает с острия электрода 1, расположенного на поверхности прокладки 3 с большой проницаемостью, позволяя получить импульсы с высокой временной стабильностью за счет. усиления напряженности электрического поля в месте соприкосновения электрода с керамикой, имеющей большую диэлектрическую проницаемость. Дальнейшее развитие раз" ряда по поверхности диэлектрика с малой проницаемостью позволяет обеспечить при малой длине разрядного промежутка оптимальную задержку срабатывания тем самым обеспечивая субнаносекундные времена коммутации.Сочетание двух прокладок в разрядном промежутке при большом различии диэлектрических проницаемостей (более чем в сто раз) позволяет получить обостритель с субнаносекундным временем коммутации, равным 0,4 нс, и субнаносекундной нестабильностью задержки срабатывания, равной 0,1 нс. г. Ужгород, ул. Проектная, 4