Способ определения местоположения дефекта в изделии

(21) 339 (22 18. (46) 23(72) Г,А и И.А. У1 (71) Чел титут им 180/25-2802828.83БюлБуденковов 31И. Иванов ехническийомсомола ябинский пол ЛенинскогоДробот Ю.Б,М,Стандар В,А ия. Грешниковеская эмисс97 б с, 51.финкель В.М, Фрушенис. 3 ические основы М 1 Метал(нрототип)ния раз , 1977 МИ 3 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬПИЙ(54) (57) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕСТОПОЛОЖЕНИЯ ДЕФЕКТА В ИЗДЕЛИИ, заключающийся в том, что на поверхности изделия принимают импульс рвлеевскойволны, возникающий при развитии деФекта, измеряют время прихода этогоимпульса и по нему судят о местоположении дефекта, о т л и ч а 1 б щ и йс я тем, что, с целью расширениятехнологических возможностей контроляпутем определения глубины залеганиядеФекта, измеряют спектр рэлеевскойволны, а глубину залегания дефектаопределяют по верхней частоте, соответствующей половине амплитуды максимальной составляющей спектра.1037170 Изобретение относится к неразрушающему контролю и может быть исполь.зовано при ультразвуковом контролекачества материалов и изделий.Известен способ обнаружения и определения координат залегания дефекта, заключающийся в том, что на поверхности изделия фиксируют в нескольких точках продольную либо поперечную волну, которая, возникает. при образовании дефекта, и по триангуляционному методу определяют координаты дефекта1.Однако с помощью этого способаневозможно определить глубину залегания дефекта, поскольку нельзя определить время распространения волн .иэ-за сложной волновой картины, сос"тоящей из прямых и отраженных продольных и поперечных волн.Наиболее близким к изобретениюпо технической сущности и достигаемому результату является способ определения местоположения дефекта виэделии, заключающийся в том, чтона поверхности изделия принимаютимпульс рэлеевской волны, возникаю"щий при развитии дефекта, измеряютвремя прихода этого импульса и понему судят о местоположении дефекта 2.Недостаток известного способа за.ключается в недостаточной информа-.тивности контроля, связанной с тем,что при его осуществлении невозможно определить глубину. залегания дефекта. 35Целью изобретения является расширение технологических возможностей контроля путем определения глубины залегания дефекта,Эта цель достигается тем, что сог ласно способу определения местоположения дефекта в изделии, заключающемуся в том, что на поверхности изделия .принимают импульс рэлеевской волны, возникающей при развитии дефекта, 45измеряют время прихода этого импульсаи по нему судят о местоположении дефекта, измеряют спектр рэлеевской вол.ны, а глубину залегания дефекта опреСоставитель Г. ФедоровТехред И.Гайду Корректор И. Ватрушкииа Заказ 6001/46 Тираж 873 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП 1 Патентф, г. Редактор С. Патрушева деляютпо верхней частоте, соответствующей половине амплитуды максимальной составляющей спектра.На .чертеже представлена зависимость между верхйей частотой спектраимпульса рэлеевской волны и глубинойзалегания дефекта, являющегося инициатором этой рэлеевской волнй,Способ определения местоположениядефекта в изделии осуществляется следующим образом,На контролируемом иэделии устанавливают приемники рэлеевской вол"ны, При развитии дефекта на поверхности иэделия возникает рэлеевскаяволна. По времени прихода этой волны в разных точках можно судить оместоположении дефекта. Анализируяспектр рзлеевской волны и определяяего верхнюю частоту, можно судитьо глубине залегания дефекта в изделии, Это связано с тем, что амплитуда рэлеевских волн, излучаемых деФектом, находящийся на глубине Йпод поверхностью изделия, зависитот соотношения между глубиной залегания и длиной волны Л., на которойпроисходит излучение данной амплитуды, Чем больше глубина залеганиядефекта, тем меньше амплитуда частотной составляющей. Спектр излучения всех дефектов практически является одинаковым, но спектры рэлеевской волн, принимаемых датчиками наповерхности иэделия отличаются иэ-эаразной степени затухания. Посколькунаибольшая крутиэяа огибающих кривыхспектра наблюдается на частоте, соответствующей половине амплитуды.максимальной составляющей спектра, тоэту верхнюю частоту выбирают в ка.честве информативного параметра.Таким образом, способопределенияместоположения дефекта в изделии позволяет с большой точностью бпределятьглубину залегания дефекта, так как .рэлеевская волна достигает приемник,.расположенный на поверхности изделия,только единственным путем и. затухаетв изделии в меньшей степени, чемобъемные волны. Ужгород, ул, Проектная, 4