Преобразователь поверхностных акустических волн

СОЮЗ СОВЕТСКИХ:ЩЮФОвевиРЕСПУБЛИК НОЗН 9 45 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬПИЙ ЗОБРЕТЕН ОПИ(72) С.В.Петряков и М.С.Портной (71) Иенинградский электротехнический институт связи нм.проф. М.А.Бонч-Бруе вича(56) 1. Речицкий В.И, Акустоэлектронные радиокомпоненгы. М., "Советское радио", 1980, с.127-128.2. Авторское свидетельство СССР 9 726648, кл. Н 03 Н 9/00, 1977 (прототип). Н АВТОРСНОМУ С(54)(57) ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН., содержащийпьезоэлектрическую подложку с расположенным на ней гребенчатым электродом, параллельно каждому из .штырейкоторого размещен пассивный электродс постоянным перекрытием по длине,о т,л и ч а ю щ и й ся .тем, что, сцелью уменьшения вносимых потерь иповышения равномерности частотных характеристик в полосе пропускания.,нанеперекрываиищиеся участки пассивныхэлектродов нанесена диэлектрическаяпленка с расположенным на ней сплошным электродом, Форма которого определена заданной импульсной характеристикой.Заказ 3230/51 Тираж 936 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-, 35, Раушская наб., д.4/5 Филиал ППП "Патент", г,ужгород, ул.Проектная, 4 Изобретение относится к радиоэлектронике и.может использоваться вакустоэлектронных устройствах обработки сигналов.Известно устройство на поверхностных акустических волнах, содержащеепьезоэлектрическую подложку, на поверхности которой расположены встречно-штыревые преобразователи, причемсуммирующие шины преобразователя отделены от электродов тонким слоем диэлектрика 1 1Недостатком укаэанного устройстваявляется довольно сложный технологический процесс изготовления.Наиболее близким к предлагаемому 15является преобразователь поверхностных акустических волн, содержащийпьезоэлектрическую подложку с расположенным на ней гребенчатым электро-.дом, параллельно каждому из штырейкоторого размещен пассивный электродс постоянным перекрытием по длине 21Электроды преобразователя имеютнеравномерно наклоненные участки,Недостатками известного преобразо вателя являются затухание за счет паразитного излучения наклоненныхучастков, а также возможность замыкания электродов, приводящая к ухудшению равномерности частотных характеристик.ЗОЦель изобретения - уменьшение вносимых потерь и повышение равномерности частотных характеристик в полосепропускания.Поставленная цель достигается тем,З 5что в преобразователе поверхностныхакустических волн, содержащем пьезоэлектрическую подложку с расположенным на ней гребенчатым электродом,параллельно каждому из штырей которо го размещен пассивный электрод с постоянным перекрытием по длине, нанеперекрывающиеся участки пассивныхэлектродов нанесена диэлектрическаяпленка с расположенным на ней сплошным электродом, форма которого определена заданной импульсной характеристикой,На чертеже изображен предлагаемыйпреобразователь. 50Преобразователь поверхностныхакустических волн содержит пьезоэлектрическую подложку, на поверхностикоторОй расположен гребенчатый электрод 1, параллельно каждому из штырейкоторого размещены пассивные электроды 2, на перекрывающиеся участки последних нанесена диэлектрическая пленка 3, на которой расположен сплошнойэлектрод 4,Преобразователь работает следующимобразом,На гребенчатый электрод 1 поступает электрический сигнал не непосредственно, а через емкость, образованную между каждым пассивным электродом2 и сплошным электродом 4, нанесеннымна диэлектрическую пленку 3. Эта емкость пропорциональна площади их перекрытия, Изменяя величину площадиперекрытия пассивных электродов 2 исплошного электрода 4,можно производить взвешивание амплитуды поверхностной акустической волны, излучаемойкаждой парой перекрывающихся штыревыхэлектродов. Управление амплитуднойПАВ таким емкостным делителем позволяет с высокой точностью синтезироватьзаданную импульсную характеристикуустройства. Одинаковое перекрытиегребенчатого электрода 1 и пассивныхэлектродов 2 обеспечивает равномерныйволновой фронт по апертуре ПАВ. Такойпреобразователь может работать вместес другим преобразователем ПАВ какэквидистантным, так и аподизированным,Осуществление емкостной аподизации с помощью сплошного электрода устраняет наклонные участки в гальваничес" ких связках и приводит к уменьшению вносимых потерь, повышению равномерности частотных характеристик устройств на ПАВ, обеспечивает механизм функциональной подстройки характерис" тик в процессе изготовления устройств на ПАВ. Предлагаемый преобразователь поверхностных акустических волн позволяет значительно снизить вносимые потери и повысить равномерность частотных характеристик устройств на ПАВ в полосе пропускания при одновременном увеличении подавления в полосе непрозрачности по сравнению с прототипом.