ZIP архив

Текст

. Е. ГуревичЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГОДЕНИЯ ИРИДИЯ СПОСО ОСЗаявлено 20 марта 1950 г. за415998 в Гостехннку С ллетене нзоорете 1 ой4 за 1951 нублнновано в Б 20 - 22 иа/для.растворяютнагреванииприбавляения ИСАНИЕ И До настоящего времени рекомендуемые лля цел и электролитическо о осаястопи 51 приди 51 электролиты не обеспечивали осаждения иридия в виде сплошной пленки.Предлагаемый способ электролитического осаждения иридия дает возможность получать электролизом металлические осадки иридия толщиной до 1 - 2 микрон.Особенность предлагаемого способа заключается в том, что осаждение иридия осуществляют в ванне с электролитом состава: хлориридатн амв:опия 4 - -5 г/л и серной кислоты О,б - 0,8 г/л, Осаждение ведут при температуреплотности тока 0,1 - 0,2Хлориридат аммонияв воде при слабомв водяной ванне, а затеют серную кислоту.П рсдмст изобо Способ электролитического осаждения иридия, отличающийся тем,что осаждение иридия проводят в ванне с электролитом состава: хлорирпдата аммония 4 - 5 г/л и серной кислоты О,б - 0,8 г/л, при температуре 20 - 22 и плотности тока 0,1 - 0,2 а/д.ц.

Смотреть

МПК / Метки

МПК: C25D 3/50

Метки: 89840

Опубликовано: 01.01.1950

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-89840-89840.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">89840</a>

Похожие патенты