Устройство для внутриреакторного контроля

Номер патента: 696638

Опубликовано: 05.11.1979

Авторы: Козлов, Попрядухин

МПК: H05H 1/00

Метки: возмущений, магнитного, плазменных, поля, системах, тороидальных

...зеркала 7 и фоторегистратора 8,.I69.,66,384 4 лст Ф О, и = 0 (т - малое, п - большое азимутальные числа), измеритьпространственные гармоники с щ 4 О, т п Ф 0 при перемещении экрана по большому азимуту, упростить и на порядокускорить процесс измерения возмущений вакуумного магнитного поля Токомака. Формула из обретен и я Тираж 94 аказ 6587/59одписное Фили ал ППП г. Уж город тентФ Проектная,4Устройство работает следуюшнм образом,При наличии в камере 1 вакуума итороидального магнитного поля подаюнапряжение накала на нить 2 и анодного на аноды 3 и инжектируют электронные пучки в двух взаимно противоположных направлениях, Пучки электронов движутся по магнитным силовымлиниям и, пройдя сквозь экранную сетку 6, ускоряются поданным на...

Номер патента: 998695

Опубликовано: 23.02.1983

Автор: Хромов

МПК: E04F 15/16

Метки: пола, примыкания, стене, узел

...междуучастками 3 - полыми отсеками вдольбоковой грани основания б.Основанием пола служит монолитнаялегкобетонная стяжка, сборная бетонная панель, древесные плиты или аналогичные материалы, При устройствеполов по монолитной легкобетоннойстяжке возле опорных деталей устанавливают сплошной слой звукоизоляционного материала минимальной толщины, к которому примыкает стяжка(Фиг. 3 ). Детали 1 могут отделять также полые отсеки от смежных, заполненных звукоизоляционным материалом для обеспечения звукоиэоляции, если этот материал предусмотрен проектом (условно не показан ),По контуру поперечного сечения участков 4 прослойка воздуха ограничена поверхностью основания 6 клеевым слоем 7 покрытия 8 и опорными деталями 1.Расположением верха этих...

Номер патента: 1066879

Опубликовано: 15.01.1984

Авторы: Абдурахманов, Блинков

МПК: B63B 3/68

Метки: крепления, легкосъемного, настила, палубе, пола, помещения, судна, судового, узел, щитов

...расположеннойприжимной планкойПриваренные клинья обращены своими уклонами в одну сторону, а длинаоси задрайки равна сумме высоты,щита настила, толщины резиновой прокладки, толщины фланца опоры для щи-,тов настила и высоты клина в сечении, расположенном на одной третидлины от конца наименьшей высоты.На Фиг. 1 показаны детали узлакрепления легкосъемных полов судовых помещений, общий вид; на фиг.2 -сборка настила полов, общий вид,на фиг. 3 - разрез А-А на фиг. 2,общий вид узла крепления.Узел крепления легкосъемных половсудовых помещений включает гнездов квадратном фланце 2 опоры 3 настила, привариваемой к палубе 4 судна,двум клиньям 5 фланца 2, резиновуюпрокладку 6, вырезанную по контуруфланца 2, четыре легкосъемных щита 7настила...

Номер патента: 93428

Опубликовано: 01.01.1952

Авторы: Каштелян, Патрикеев

МПК: F27D 5/00

Метки: керамических, обжига, подставка, полых, тонкостенных

...обжигу изделий.Особенность описываемой подставки заключается в том, что она выполнена в форме блюдца и снабжена на верхней кромке обращенным внутрь буртом, образующим кольцевую площадку, на которую устанавливается обжигаемое изделие. Такая конструкция подставки повышает ее жесткость, уменьшает расход материала на изготовление подставки и дает возможность повысить качество обжига керамических тонкостенных изделий.На чертеже подставка изооражена в разрезе.Корпус 1форме обы подставки выполнен вчного блюдца, В нижней трикеевТЕННЫХ ПОЛЫХЛИЙ части корпус снабжен кольцеобразным выступом 2, при помощи которого подставка устанавливается в оожигательной печи. В верхней части корпус снабжен обращенным внутрь буртом 3, образующим...

Номер патента: 1356852

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Марголин, Пышин, Савичев

МПК: G21C 17/10

Метки: активной, динамических, зоны, полей, реактора, статических, температур, узлах, экспериментального

...точках, суммируют найденныетемпературы, получая искомую температуру, соответствующую условиям совместной работы всех замещаемых твэлов модели,При этом нагревательный элемент выполняют с учетом приближенного теплового подобия с замещаемым им твэлом в любом месте моделируемого узла активной зоны реактора по условию где К - номер основной гармоникиораспределения.Параметр Г, есть Функция следующихвеличин:Е= Е(ВИ з, "; ф;эКо)где К. - внутренний радиус -го слоя1тепловьделяющего элемента,К - наружный радиус оболочкиЮтепловыделяющего элемента,- соответственно коэффициентытенлопронодности 1-го слояэлемента и охлаждающего теплоносителя,ф. - термическое сопротивление1между 1-ым и (1+1)-ым слоями элемента.Параметр Г определяется следующим...