414762
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 414762
Текст
еоюоо,аеттомт,хи. К П ИСАЙИЕ 414762 Союз Советских Социалистицеских РеспубликЗОБРЕТЕН ИЯАВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства-Л,Н 051824034/26-9) явлено исоединением заявкиосударственный комитеСоавта 1 йинистров СССпо делам иэооретенийн открытий Приоритет -Опубликовано 05Дата опубликова К 667.826 (088.8 11.1974. Бюллетень5 ия описания 18 Х 11.1974. Авторыизобретен нов, Л. Н, Куликов, А. Е. Богатырев, Е, И. Бобкова и А, П. Карташова явител ОСОБ ОЧИСТКИ сти деталей.Ниже привефениламцна итики. ны структурная го температурнь ормула динар актерисТ пл. = 54 С сии. =302 С О, позволяя уда, 1 загрязнения, обес го класса чистоты е". Оц дает воз гическпй процесс полупроводнпко овать удаление плый спосослои и высоко ерхцост техноло ых схем ханизир ов. исаи ь техно 1 ечивает полнроожность очистки ых принок фочогические сохранение 1 ванны, човупРостить интегральц боров и ме торезистор рецн турь токр скнх с це ы об раств нила зиоцных от техтнц об- растволью со- рабатыорителя мин. Изобретение относится к технологии производства деталей радиоэлектронной аппаратуры.Известен способ очистки поверхностей прецизионных деталей радиоэлектронной аппаратуры от технологических фоторезистивных покрытий обработкой их в нагретых органических растворителях.Однако известный способ не обеспечивает таких технологических покрытий, как заполцмеризированные пленки фоторезистов, некоторых лаков и эмалей.Цель изобретения - сохранение высоко, окласса чистоты Обрабатывас,ы.т .Озерхостей.Предлагаемый способ отличается ТС.,1, 1 то в качестве растворителя используют расплавленный дифениламин.Суть способа состоит в следующем; очищаемую деталь с пленкой заполимеризированного фоторезиста погружают в горячий расплав высокоплавкого растворителя, нагретого до температуры не менее 200; для улучшения очистки растворитель расплавляют в ряде ванн, через которые перемещается деталь. После обработки в расплавленном растворителе остатки загрязнений смывают в трихлорэтилене при небольшом подогреве.Такой процесс позволяет устранить как пленку, так и следы загрязнений на поверхноПредмет изобрстенп Способ очистки поверхностей п деталей радиоэлектронной аппара 25 нологическцх фоторезистивных работкой пх в нагретых органнче рителях, отлича 1 оп(ийся тем, что,хранения высокого класса чистот ваемых поверхностей, в качестве ЗО используют расплавленный дифе
СмотретьЗаявка
1824034, 01.09.1972
МПК / Метки
МПК: H05K 3/26
Метки: 414762
Опубликовано: 05.02.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-414762-414762.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">414762</a>
Предыдущий патент: 414761
Следующий патент: 414763
Случайный патент: Аналоговое запоминающее устройство