413441
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 413441
Текст
ОП ИСАНИ ЕИЗОБРЕТЕН И ЯК АВХОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республикаявлено 28,1 Х,1971831689 с прис ением за явки Гасударственный комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий ПриоритетОпубликовано 30.1,1974. Бюлле нь4 621.396,6.002.7 (088,8) ата опубликования описания 21 Х,1974 4 г; Г 5Авторыизобретенц робьев и Ю. С. Клейнфельд явитель СПОСОБ ЭЛЕКТРОТРЕНИРОВКИ МАЛОМОЩНЪХ ПЛАНАРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВпрямом направлении, а од остается неподклюет получить поток носиг.лверхности базы повыается в термостат, ксимально допусти атура: для кремние для германиевых 70 - постоянного тока через пропускается ток уста- В таком режиме транв течение нескольких димое время выдержки еримецтально для конПр Спосоо 20 планарных т пускании че повышенной тем, что, с коэффициент 25 пропускают ный переход максимально транзистораедмет изобретлектротренировкирацзисторов, основрез транзистор посплотности, о т лцсл.:о повышенияпередачи тока, пчерез прямосмещебез подключения кдопустимой дляокрркающей темп ния маломощных аццый на протоянного тока ч ающийсястабильности остоянный ток шый эмиттероллектора при данного типа ературе. Изобретение относится к области радиотехники,Известны способы электротренировки маломощных планарных транзисторов, основанные на пропускании через транзистор постоянного тока повышенной плотности.Цель изобретения - повышение стабильности коэффициента передачи тока.Для этого по предлагаемому способу постоянный ток пропускают через прямосмещенный эмиттерный переход без подключения коллектора при максимально допустимой для данного типа транзистора окружающей температурее.Предлагаемый способ заключается в следующем.Для конкретного транзистора устанавливается повышенная величина постоянного тока, который можно пропускать через прямосмещенный эмиттерный переход без внесения нарушений в структуру прибора. Для маломощных планарных ВЧ и СВЧ транзисторов максимально допустимыми постоянными токами могут быть токи порядка 50 - 150 ма. Плотчость тока при этом достигается порядка 10 - 10" А/смТренируемый тодный режим так ранзистор включается в диим образом, что эмиттерный переход смещается в коллекторный электр че шым. Это позволя телей заряа вбл: зн шеннон плотности. Транзистор помещ устанавливается ма окружающая тем пер прибсров 120 - 150 С,0 80 С. От гецера", ора эмиттерный переход новленцой величины. зцстор выдержцваетс часов. Точное цеобхо 5 устанавливается эксп кретного прибора.
СмотретьЗаявка
1831689, 28.09.1972
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26
Метки: 413441
Опубликовано: 30.01.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-413441-413441.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">413441</a>
Предыдущий патент: 413440
Следующий патент: 413442
Случайный патент: Устройство для установки втулок в корпусную деталь