ZIP архив

Текст

3065% Союз Советския Социалистккеския РеспубликЗависимое от авт. свидетельства М Заявлено 12.Х 11.1970 ( 1393914/26-25) 51 т 11/О рисоединением заявки М ПриоритетОпубликовано Комитет по делам зобретекий и открмтий при Совете Министров СССР,1971. Бюллетень19 Дата опубликования описания 21 Х 11.1971 вторызобретения В, М, Коляда и В. Г. ЗлобВсесоюзный научно-исследсвательски аналитического приборостроения аявитель СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПОПЕРЕЧНОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПЛОТНОСТИ ПУЧКА ИОНОВредмет изобретения Изобретение относится к ускорительной и измерительной технике, в частности к способам измерения поперечного распределения плотности пучка заряженных частиц,Известны способы измерения поперечного распределения плотеости пучка за,яжеппых частиц, например с помощью датчиков в виде параллельнь.:1 роволочек в плоскости плп путем введения зондов в пучок. Однако при этих способах искажается пространственное распределение плотности пучка, а для измерения поперечного распределения плотности пучка диаметром 1 ля и меньше применение известных способов затруднительно из-за большого шага измерений 50 - 100 лтк.Целью изобретения является погып 1 еппе разреш ающей способности.Для анализа пучка предложенным с;особом облучают определенную грань монокристалла, количество распыленного вещества которого зависит только ог интенсивности падающего пучка заряженных частиц (при ус:.овии моноэнергетичности и малой угловои расходимости пучка).Если перпендикулярно направлению падающего пучка заряженных частиц поставить хорошо Отполировапу;О грань монокр 1:;талла, то в результате катодного распыления поверхность монокристалла будет распыляться только на участке падения пучка, т. е. профиль распыленной области монокристалла соОтветствует профилю пучка. А так как локальная интенсивнос 1-ь пучка связана со степенью распыления данного участка, то более интенсивным участкам пучка будет соответствовать большая глубина распыляемого слоя моно- кристалла.Следовательно, глуб 11 на распыленного слоямонокр:1 сталла в данной области зависит только от интенсивности падающего пучка в О этой области. Опгеделпв глубину распыленного слоя з определенной точке, можно судить об интенсивности пучка в этой же точке.Глубину отдельных участков распыленнойобласти можно определять с высокой точно стью с помощью пцтерференционных я 1 икроскопов (1,апрпмер, мпк оскопа типа .Ч 1111-1), которые имеют разрешение по глубине 0,01 - 0,1 .1 ис и пО 110 скости 1 - 2 л 1 к. Способ измерения поперечного распределения плотности пучка ионов, основанный на катодном распылении мишени, ог.пииаютиий ся те.;:, что, с целью повышения разрешающейспособности, пучок ионов направляют на монокристаллпческую пли амс,фпую мишень, измеряют профиль ее распыления интерференционным методом и по глубш е отдельных 30 участков распь 1 лснной области судят о распре 11 е пеппи

Смотреть

Заявка

1393914

МПК / Метки

МПК: H05H 11/00

Метки: 306591

Опубликовано: 01.01.1971

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-306591-306591.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">306591</a>

Похожие патенты