Способ регистрации следов заряженных частиц в стримерной камере

Номер патента: 652516

Опубликовано: 15.03.1979

Авторы: Монич, Рыкалин, Чернятин

МПК: G01T 5/12

Метки: ионизирующих, камера, многонитяная, регистрации, частиц

...стекла, покрывающий металлический керн.Дрейфующие к аноду свободные элект. роны, освобожденные при ионизации рабочей среды детектора исследуемой частицей, сталкиваются на своем пути с атомами рабочей среды, Величина разности потенциалов между электродами детектора подбирается такой, чтобы свободные электроны набирали энергию достаточную для возбуж-, дения атомов рабочей среды, на расстоянии от анода сравнимым с радиусом нити. Возбужденный агом через время л 10сек излучает квант света, переходя на основной уровень. Другими слова 55ми, используется эт,эктролюминесценгный режим работы проволочных камер, характерный для гак называемых люминесценг 6ных камер. Испускаемые вблизи анода фотоны (в основном соответствующие области вакуумного...

Номер патента: 617996

Опубликовано: 05.10.1979

Автор: Лихтенштейн

МПК: G01T 1/28

Метки: детектор, нейтральных, регистрации, частиц

...Для обеспечения полного сбора вто. 2 оричных электронов с обеих сторон фольг, междуними помещены элетрически соединенные междусобой коллекторные сетки Таким образом, впредлагаемом устройстве регистрируются практи.чески все вторичные электроны, образовавцщеся25в процессе торможения первичной частицы в ве.ществе эмиттера.Именно это обстоятельство обусловливаетзнаапельный выигрыш в чувствительности пред.лагаемого детектора по сравнению с прототипом. э. ЭОЭлектрическое соединение входной фольги с эмнттером позволяет включить ее в общую системурегистрации, что несколько повышает чувстви. тепьность детектора, В отличие от прототипа,для того, чтобы быть. зарегистрированной, детек- з 5торная частица уже не должна пройти через всйвходную...

Номер патента: 534718

Опубликовано: 05.11.1976

Автор: Оконов

МПК: G01T 5/00

Метки: взаимодействия, регистрации, частиц, ядерных

...в стримерной камере импульсным генератором; Т - длительность импульса; р - давние газа в камере; В - константа, которая имеет разную величину для различных газов и эпределяется в основном пэтенциадэм зажигания.Из этэгэ соотношения в.дно, чтэ при эдних и тех же параметрах вьсэкэвэпьтнэго импульса можно подучпть стримерныи треК кэвый) режим в различных газах, если давление в них устанавливается в соответствии с равенством Поскольку плотность чапэлняюшегэ газапропэрциэнальна давлению, тэ это сэотнэше -ние мэжно представить как где С и С- константы, чакже зависящие эт свойств выбранных газов. Таким образом, стримерный режим в камере и мишени обеспечивается тем, чтэ плотности газов,наполняющих мишень и стримерную камеру,удовлетворяют...

Номер патента: 1156484

Опубликовано: 30.09.1985

Автор: Зорин

МПК: G01T 1/38

Метки: регистрации, тяжелых, частиц, ядерных

...универсальную константу С по максимальному выходу изотопов. Надежность такого определения увеличивается из-за совмещения всех изотопных линий в одной. Затем устанавливается электрод со слоем исследуемого делящегося вещества, Благодаря установлению С идентифицируется по Е каждьгл тяжелый осколок этого делящегося вещества по1 О Так как для каждой пары осколков,образующихся в одном акте деления,существует только одна величинадеФекта массы 55 величине измеряемой удельной ионизации, равной С 2, После идентификации 2 осколка устанавливается его массовое число измерением его полной кинетической энергии, а так же по полной энергии делящегося ядра и по соответствующему значению М деФекту массы.Способ реализуется следующим...

Номер патента: 334479

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Писарев

МПК: G01F 5/00

Метки: камере, регистрации, следов, частицв

...нитей. В качестве таких нитей могут быть использованы нити с поверхностным полупроводниковым (фото- полупроводниковым) покрытием, например 10 нити с поверхностным слоем из Сд 5, Сй 5 е,Упыре, ЯО 2, й - Яп, силиконового пластика, фталоцианина и др.Нитяную камеру с конденсированным заполнением (жидкостью или твердым телом) 15 охлаждают до температуры Т, при которойЫТ.-,ЬЕ, где й - постоянная Больцмана и ЬЕ - энергетическая глубина залегания донорных уровней в запретной зоне полупроводникового слоя. Затем осуществляют импуль сную подсветку камеры светом в полосе собственного поглощения полупроводникового покрытия (диапазон зеленого света). Этой операцией будет достигнуто заполнение электронами опустошенных уровней в полосе за прета...