Патенты с меткой «частицв»

Номер патента: 197788

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Данилов, Панин, Сильвестров

МПК: H05H 7/08

Метки: заряженных, проводки, ускоритель, частицв

...области компенсации и устранения искажения внешнего поля, одна из шин выполнена раздвоенной и разме щена по обе стороны от второй шины, а полюсные наконечники имеют вставки, выполненные из ферромагнитных пластин.2. Устройство по п. 1, отличающееся тем,что шины профилированы по силовым линиям 39 поля ускорителя. Известные устройства для впуска и вы. пуска заряженных частиц в ускоритель, пред ставляющие собой закороченый шинопровод, питаемый импульсным током, поле которого компенсирует поле магнитов ускорителя, не обеспечивают достаточно широкой области компенсации, а также искажают внешнее поле.Предлагаемое устройство благодаря раздвоению одной из шин и размещению ее по краям нераздвоенной шины, выполнению полюсных накладок в...

Номер патента: 241089

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Иванчев

МПК: G01N 21/59, G01N 33/28

Метки: количества, масляных, растворе, частицв

...Под влиянием ультрафиолетового облучения пропускные свойства светофильтров изменяются, что,приводит к дополнительной нестабильности яркости флуоресценции. 3 Предложено измерять длину волны максимума поглощения ультрафиолетового излучения, прошедшей через исследуемый раствор,ц по положению волны на шакале длгвн волнсудить о концентрации втасляных частиц врастворе, что повышает точность определения.На фиг. 1 показаны спектры поглощенияультрафцолетового излучения авиационныммаслом МСво фреоне 113, снятые на спектрофотометре СФД,На осц ординат отложено поглощение ультрафиолетового излучения исследуемого раствора в процентах, а на осц абсцисс - длинаволны в нанометрах. Кривая 1 соответствуетконцентрации в 0%, кривая 2 - в 0,01 %,...

Номер патента: 334479

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Писарев

МПК: G01F 5/00

Метки: камере, регистрации, следов, частицв

...нитей. В качестве таких нитей могут быть использованы нити с поверхностным полупроводниковым (фото- полупроводниковым) покрытием, например 10 нити с поверхностным слоем из Сд 5, Сй 5 е,Упыре, ЯО 2, й - Яп, силиконового пластика, фталоцианина и др.Нитяную камеру с конденсированным заполнением (жидкостью или твердым телом) 15 охлаждают до температуры Т, при которойЫТ.-,ЬЕ, где й - постоянная Больцмана и ЬЕ - энергетическая глубина залегания донорных уровней в запретной зоне полупроводникового слоя. Затем осуществляют импуль сную подсветку камеры светом в полосе собственного поглощения полупроводникового покрытия (диапазон зеленого света). Этой операцией будет достигнуто заполнение электронами опустошенных уровней в полосе за прета...