Г еп; лизт: 1л
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 254989
Авторы: Гончаренко, Гуревич, Уральский
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 254989 Союз Советских Социалистических Республикт. свидетельстваЗависимое от Заявлено О,У 51/22-1 66 ( 108 л. 48 а, 5/36 с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано комитет по аелвм зобретений и открытий при Совете Министров СССР.1 Ч.1970 Дата опублик нпя описа АвторыизобретенияА, Гончаренко И. Е, Гуреви Заявител ьский политехнический институт СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ СПЛАВА МЕДЪ - ЦИНКПредмет изобретения 32 - 38, 36 - 38, 240 в 2, = 1 1,2 в 1 2,2 0,8 в 1,0, 0,1 - 0,2 сеонокисяая медьсернокислый цинксегнетова сольедкий натр дожелатинар-нафтол Изобретение относится к способам электро- осаждения сплавов.Известен способ электроосаждения сплава медь - цинк из электролита, содержащего сернокислые соли меди и цинка, едкий натр и комплексообразователь, В качестве комплексообразователя используют винную кислоту.Предложенный способ отличается от известного тем, что комплексообразователем служит сегнетова соль и в электролит вводят органические поверхностноактивные вещества - желатину и р-нафтол. Такой способ позволяет получать мелкокристаллические осадки сплава при высоких плотностях тока,Способ, согласно изобретению, заключается в том, что осаждение сплава медь - цинк ведут в электролите, содержащем, г/л: серно- кислой меди 32 - 38; сернокислого цинка 36 - 38; сегнетовой соли 240 - 280; едкого натра до рН=11,2 - 12,2; желатины - 0,8 - 1,0; нафтола - 0,1 - 0,2.Процесс ведут при температуре 30 - 50 С, плотности тока - 5 - 7 а/дм 2 и обязательном перемешивании электролита воздухом.При этом получаются мелкокристаллические плотные осадки толщиной до 50 - 100 мк,соответствующие латуни марки от Л 65 доЛ 90. Спо" об электролитического осаждениясплава медь - цинк из электролита, содержащего сеонокислые соли меди и цинка, едкий натр и комплексообразователь, отличаюитий ся тем, что, с целью получения мелкокристаллических осадков сплава при повышенных плотностях тока, в качестве комплексообразователя используют сегнетову соль н в электролит вводят желатину и р-нафтол при сле дующем соотношении компонентов, г/л: и процесс ведут при температуре 30 - 50 С,5 плотности тока - 5 - 7 а/дмз и перемешивании электролита воздухом,
СмотретьЗаявка
1081551
И. Гуревич, А. А. Гончаренко, Уральский политехнический институт С. Кфова
МПК / Метки
МПК: C25D 3/58
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-254989-g-ep-lizt-1l.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Г еп; лизт: 1л</a>
Предыдущий патент: Способ электролитического палладирования
Следующий патент: Устройство для электролитического медненияпроволоки
Случайный патент: Прибор для определения модуля сдвига вязко-пластических материалов