Способ электролитического осаждения индия

Номер патента: 222104

Авторы: Казаров, Лошкарев

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 222104 Союз Советскик Социалистическик Республик. 48 а, 5,3 аявлсно пением заявки Ь..ЧП 3 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРЧ 1 х 621.357.7;669 872 (088.8) 69. Бюллетень31описания 3.111.1970 пуоликовано 07,Х ата опбликовани вторызобрете шкарев и А. А. Казаров Заявит пропетровскии химико-технологическии институт ПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕН ИЯ Эффективность действия указанных добавок сохраняется при плотности тока до 200 а/.и-. Дальнейшее повышение плотности тока возможно лишь при интенсивном перемешивании раствора. осаждения ин.ове хлористогоотличающийсямелкокристаллиных осадков, в ну, фенилтиомоющем соотношеСпособ электролитическогодия из электролита на осниндия и хлористого натрия,тем, что, с целью полученияческих плотных и равномерэлектролит вводят тиомочевичевину и желатину при следунии компонентов (в г/л):хлористый индийхлористый натрий0 тиомочевинафенплтиомочевинажелатинаи процесс ведут прп темпер150 а/лт-. 83 580,4 - 0,6 0,4 - 0,6 1,5 - 2уре 25 С Известный способ электролитического осаж. дения индия из хлоридных электролитов имеет тот недостаток, что осадки индия склопны к дендритообразованию.По предложенному способу электролитического осаждения индия для получения мелко- кристаллических плотных и равномерных осадков в электролит вводят тиомочевину, фенилтиомочевину и желатину при следующехт соотношении компонентов (в г/л):хлористый индий 83хлористый натрий 58тиомочевина 0,4 - 0,6 фенилтиомочевина 0,4 - 0,6 желатина 1,5 - 2Процесс ведут при температуре 25 С и плотности тока 150 а/.н 2.Осадки индия, полученные из предложенного электролита при многосуточном электролизе, плотные и очень равномерные.Введение тиомочевины, фенилтиомочевины и желатины возможно не только при гальваническом нанесении покрытий индием, но и при электролитическом рафинировании индия,редмет изобретени

Смотреть

Заявка

1148585

М. А. Лошкарев, А. А. Казаров Днепропетровский химико технологический институт

МПК / Метки

МПК: C25D 3/54

Метки: индия, осаждения, электролитического

Опубликовано: 01.01.1968

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-222104-sposob-ehlektroliticheskogo-osazhdeniya-indiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ электролитического осаждения индия</a>

Похожие патенты