Способ контроля структуры слитка
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Соне Советоеиа Социелиотииеоииа РесоубдивКомитет оо делан изобретений и отнрытий ори Совете Министров СССРАвторыизобретения В, М. Эдемский, С. Л, Степанянц, В, А. Смирнов и М, А. Филиппов Заявители Всесоюзный научно-исследовательский институт электротермическогооборудования и Днепропетровский филиал Института автоматики СПОСОБ КОНТРОЛЯ СТРУКТУРЫ СЛИТКА Известен способ контроля структуры слитка в процессе его кристаллизации.Для определения микронеоднородности слитка предложено непрерывно измерять колебания электрического сопротивления кристаллизующегося слитка и по частоте колебаний определять частоту выпадения кристаллизующихся слоев.Способ основывается на явлении изменения сопротивления металла при фазовом переходе и дискретном характере кристаллизации,Выпадение кристаллизующего слоя происходит по достижении требуемого переохлаждения скачком с выделением тепла, на отсос которого требуется определенное время.Расстояние между кристаллизующимися слоями прямо пропорционально градиенту температуры на фронте кристаллизации. Чем больше при заданной скорости роста градиент, тем выше частота колебаний сопротивления, тем тоньше слои роста.Колебания сопротивления кристаллизующегося слитка можно контролировать, измеряя колебания рабочего тока, протекающего через слиток (или напряжения, если питание осуществляется от параметрического стабилизатора тока), например при элекгрошлаковом переплаве, а также, измеряя колебания измерительного тока (или напряжения при питании от параметрического измерительного стабилизатора тока), причем для этого требуется к слитку подвести питание от независимого источника, например при выращивании монокристаллов, в электроннолучевых плавильных ус тановках.Контроль скорости роста слитка можно производить путем измерения скорости подачи электрода, например прп электрошлаковом переплаве, или скорости вытягивания слитка, 10 например при выращивании монокристаллови непрерывной разливке.Сопоставление скорости роста слитка и частоты колебаний сопротивления с целью определения расстояния между кристаллизующи мися слоями, т. е, с целью оценки мпкронеоднородности, заключается в делении измеренной скорости роста слитка на измеренную частоту колебаний сопротивления с учетом коэффициента пропорциональности, определяемого 20 расчетным путем или экспериментально. Предмет из о бр етенияСпособ контроля структуры слитка в процессе его кристаллизации, отличающийся тем, 25 что, с целью определения микронеоднородности слитка непрерывно измеряют колебания электрического сопротивления кристаллизующегося слитка и по частоте колебаний определяют частоту выпадения кристаллизюшихся30 слоев.
СмотретьЗаявка
1100018
вители Всесоюзный научно исследовательский институт электротермического оборудовани, Днепропетровский филиал Института автоматики
В. М. Эдемский, С. Л. Степан нц, В. А. Смирнов, М. А. Филиппов
МПК / Метки
МПК: B22D 7/00
Опубликовано: 01.01.1968
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-212290-sposob-kontrolya-struktury-slitka.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля структуры слитка</a>
Предыдущий патент: 212289
Следующий патент: Интенсификатор кипения
Случайный патент: Устройство для ввода сушильного агента в распылительную сушилку