208366
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 208366
Автор: Филков
Текст
Союз СоветскихСоциалистически публик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ исимое от авт, свидетельства36Зб 0 Ло 1016817/26 Заявлено 12,Ъ 11,196 061031 8-091.81(088.8 ПриоритетОпубликовано 29.Х 11.1967. Бюллетень3Дата опубликования описания 25.111.1968 Комитет по делам изобретений и открытийСовете Министров СССР Авторизобретения Г. фильк Заявитель НЕЙРИСТО с присоединением заявкиИзвестны нейристоры, представляющие собой распределенную многослойную структуру,состоящую из нескольких полупроводниковыхслоев и двух шин питания.Описываемый нейристор отличается тем, что 5полупроводниковые слои представляют собойдва распределенных транзистора (один р-п-р,а другой п-р-и типа) и один распрвделенныйтуннельный диод. По коллекторам транзисторов проложены шины литания, а диод расположен между эмиттерами транзисторов, Базытранзисторов по всей длине соединены с источником смещения через распределенные сопротивления,Нейристор возбуждается и передает возбуждение посредством двуполярных электрических импульсов. Возбуждение и формирование импульсов по амплитуде происходитвследствие туннельного эффекта в распределенном туннельном диоде. Длительность формируемых импульсов определяется зарядом нразрядом емкостей переходов эмиттер - базадвух распределенных транзисторов.Схема описываемого нейристора лредусматривает возможность триггерного и рефракторного соединения с другими нейристорами.Триггерное соединение двух нейристоров осуществляется соединением эмиттеров р-и-р транзисторов обеих линий при помощи распределенного сопротивления, а также соединением эмиттеров и-р-и транзисторов при помощи такого же сопротивления.Рефракторное соединение двух нейристоров осуществляется перекрестным включением распределенных сопротивлений между эмиттером р-и-р транзистора первой линии и эмиттером и-р-и транзистора второй линии, а также между эмиттером и-р-и транзистора первой линии и эмиттером р-и-р транзистора второй линии.Г 1 р едм ет изобретенияНейристор, представляющий собой распределенную структуру, состоящую из нескольких полупроводниковых слоев и двух шин питания, отличающийся тем, что, с целью формироьания импульса по амплитуде и по длительности, а также возможности триггерного и рефракторного соединения с другими нейристорами, он выполнен в виде двух распределенных транзисторов (один р-п-р, а другой п-р-и типа), по коллекторам которых проложены шины питания, а между эмиттерами раоположен распределенный туннельный диод; базы транзисторов по всей длинс соединены с источником смещения через распределенные сопротивления,
СмотретьЗаявка
1016817
В. Г. Фильков
МПК / Метки
МПК: G06G 7/60
Метки: 208366
Опубликовано: 01.01.1968
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-208366-208366.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">208366</a>
Предыдущий патент: 208365
Следующий патент: Обратимая модель стержневой системы
Случайный патент: Способ промывки засоленных земель на склонах