Жаростойкая эмаль

Номер патента: 1359338

Опубликовано: 15.12.1987

Автор: Новак

МПК: C23C 8/02

Метки: диффузии, защиты, металлических, обработке, пасты, плазме, разряда, состав, тлеющего, химических, элементов

...пленки в соответствии с изобретением возможно осуществлять погружением защищаемых частей илц нанесением покрытия кистью.Ударом ионов вырываются или испаряются из защитной пленки некоторые ионы, загрязняющие химико-термическиобрабатываемый объект. Это случаетсянапример прц применении защитного 7 15слоя под защитным слоем пасты.П р и м е р 2, При ионном карбо оазотировании при 550 и 700 С применяется 55 мас.%коллоидно-яиспергированного олова; 10 мас,% коллоицнодиспергированного свинца, 10 мас.%двуокиси титана; 8 мас.% метилметасг 5крилата," 17 мас.% толуола.Коллоидно-диспергированная смесь приготовлена на специальном гомогенизационном оборудовании,П р и и е р 3. При ионном борироБОованин при 800 и 950 С применяется39 мас,%...

Номер патента: 936772

Опубликовано: 07.09.1992

Автор: Беляев

МПК: H01S 3/03

Метки: активный, лазера, парах, химических, элемент, элементов

...а именно повышение мощности излучения лазера и обеспечение возможности использования в качестве рабочего вещества химически активных элементов, эаключенных в ампулы, например, щелочно-земельных металлов.Указанная цель достигается тем, что вактивном элементе лазера на парах химических элементов, содержащем полый. катод, анод, выполненный в виде электрически соединенных между собой и расположенных по окружности внутри катода металлических штырей, и рабочее вещество, катод выполнен в виде двух коаксиально расположенных и разделенных через кольцевые прокладки цилиндров, внутренний из которых выполнен с продольными щелями, при этом штыри анода расположены во внутреннем цилиндре между щелями, а рабочее вещество размещено в полости...

Номер патента: 999919

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Зинченко, Иванов, Михалевский, Сэм

МПК: H01S 3/227

Метки: газовый, лазер, парах, химических, элементов

1. ГАЗОВЫЙ ЛАЗЕР НА ПАРАХ ХИМИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, содержащий активный элемент с анодом, катодом, расположенным в катодной колбе, дополнительным анодом, разрядным капилляром, испарителем, и конденсационной камерой, источник питания и регулятор давления паров рабочего вещества в испарителе, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности мощности излучения, в лазер введен измерительный капилляр с электродами на его концах, подсоединенный одним концом к входу разрядного капилляра между дополнительным анодом и конденсационной камерой, анод расположен вне разрядного капилляра в анодной колбе, соединенной через испаритель с вторым концом измерительного капилляра, при этом электроды измерительного капилляра подключены к входу регулятора...

Номер патента: 1031397

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Вайнер, Зинченко, Иванов, Сэм

МПК: H01S 3/036, H01S 3/227

Метки: газовый, лазер, парах, химических, элементов

ГАЗОВЫЙ ЛАЗЕР НА ПАРАХ ХИМИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, содержащий разрядную трубку с электродами, один из которых выполнен в виде полого катода, испаритель с рабочим веществом, нагреватель испарителя и источник напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности мощности излучения лазера, нагреватель испарителя включен между источником напряжения и одним из электродов.

Номер патента: 1160908

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Солдатов, Федоров

МПК: H01S 3/097

Метки: возбуждения, лазеров, парах, химических, элементов

...периодически повторяющихся импульсов возбуждения,передний ронт импульса возбужденияФормируют со спадом; при этом положение начала спада на переднем фронте импульса меняют от значения, соответствующего порогу генерации, до 25максимального значения импульса, ве"личину глубины спада устанавливаютне больше значения, соответствующегопорогу генерации, а крутизну спадасравнимой с крутизноЙ переднего Фрон- ЭОта импульса возбуждения.Для получения генерации на парахметаллов к активному объему рабочейсреды, имеющей определенную (в за висимости от рода химического элемента) Э 5рабочую температуру, необходимо приложить импульс возбундения, амплитудакоторого обеспечит инверсную заселенность лазерного уровня по отношениюк метастабильному (т.е,...